在升压电源模块中，会用到肖特基二极管，但常规硅二极管一般耐压低、损耗大。要想实现更高的380V电压，硅二极管就不是很合适了。
本文推荐国产厂家基本半导体的碳化硅肖特基二极管B2D10065Q。
升压原理的基本电路如下图所示，肖特基二极管应用位置已标注：
B2D10065Q应用于28V升压到380V的升压电路中的主要特点如下：
（1）耐压高 B2D10065Q的反向耐压650V，在380V的直流升压系统中有足够余量应对。
（2）损耗小 B2D10065Q的正向压降为1.29V，在380V时，损耗只有0.34%，进一步提高升压电源模块的效率。
（3）体积小 电源模块一般封装很小，需要的元器件也要尽量小体积，B2D10065QDFN8*8贴片封装，在保证良好散热的情况下，减小体积以及布线面积，保证了电源模块的小型化。
（4）可靠性高 电源模块作为一个系统的“动力之源”，是电子产品最核心的部件，所以对可靠性要求更高。B2D10065Q可以在-55℃~175℃，满足电源模块高温工作环境要求。
（5）兼容性强 B2D10065Q可替代完美英飞凌的IDL10G65C5、意法半导体的STPSC10065DLF以及安森美的FFSM1065A。
综上，基本半导体的碳化硅肖特基二极管B2D10065Q，具备耐压高、损耗小、体积小、可靠性高的特点，能够满足28V升压到380V的电源模块设计需要。
审核编辑：刘清