为提高其开关速度，要求驱动电路必须有足够高的输出电压、较高的电压上升率、较小的输出电阻。还需要一定的栅极驱动电流。
开通时，栅极电流可由下式计算：
（1）
关断时，栅极电流由下式计算：
（2）
式（1）是选取开通驱动元件主要依据，式（2）是选取关断驱动元件的主要依据。
电力场效应管的一种驱动电路
IR2130可以驱动电压不高于600V电路中的MOSFET，内含过电流、过电压和欠电压等保护，输出可以直接驱动6个MOSFET或IGBT。
TLP250内含一个光发射二极管和一个集成光探测器，具有输入、输出隔离，开关时间短，输入电流小、输出电流大等特点。适用于驱动MOSFET或IGBT。
（四） 绝缘栅双极型晶体管
IGBT的结构和基本原理
IGBT也是一种三端器件，它们分别是栅极G、集电极C和发射极E。
擎住效应
擎住效应 由于IGBT复合器件内有一个寄生晶闸管存在，当IGBT集电极电流Ic大到一定程度，可使寄生晶闸管导通，从而其栅极对器件失去控制作用，这就是所谓的擎住效应。
IGBT的驱动电路
驱动的基本要求
要有较陡的脉冲上升沿和下降沿
要有足够大的驱动功率
要有合适的正向驱动电压UGE
要有合适的反偏压 反偏压一般取为-2～-10V
驱动电路
适用于高频小功率场合的驱动电路
IGBT驱动电路实例一
适合于中大功率场合的驱动电路
IGBT驱动电路实例二
IGBT专用集成模块驱动电路
比较典型的有日本三菱公司的M57918L
电力电子器件的缓冲电路和串并联
缓冲电路
