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光耦的内部原理及工作条件

2022年09月05日 10:03 CSDN技术社区 作者:队长-Leader 用户评论(0

最为大家所熟知的隔离器件,有变压器、光耦电容、继电器等。其中,光耦是最为常见的。

一、光耦的内部原理。

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如上图所示,光耦是由一个LED和一个光敏三极管组成。当LED发亮时,光敏三极管也导通(基极不引出)。

二、光耦的工作条件。

以TLP521例。参考手册,可以得知其推荐的工作条件。如下图所示。

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其中IF是指LED的工作电流IC是光敏三极管的集电极电流,VCC是光敏三极管的电源电压。

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24V / 1500R = 16mA , 5V / 5000R = 1mA,IF和IC满足推荐的工作条件。

三、光耦的传输速率。

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由上图所示,在VCC=5V,RL=1.9K,IF=16mA时,TLP521的传输速率=2us+15us+25us=42us=23.8KHz。

也就是说,光耦的传输速率取决到工作条件和负载。需要参考图表。

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虽然可以由图表得知光耦的传输速率,但是推荐用信号发生器和示波器测出来,这样能观察到波形是否正常。

四、光耦的隔离参数

 

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由上图所示,LED和光敏三极管之间存在寄生电容,在Vs=0,f=1MHz测得为0.8pF,Vs为LED和光敏三极管之间的电压,f为LED的通断频率。

在湿度低于60%时,Vs=500V,LED和光敏三极管之间的隔离电阻为10的11次方欧姆。

隔离电压:交流有效值为2500V能隔离1分钟。

五、光耦的封装。

 

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由上图所示,TLP521宽度为6.4mm,此宽度能决定电气间隙和爬电距离,一般来说,越宽越好。

六、光耦的PCB走线。

 

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如上图所示,光耦底部不走线,不铺铜,这样可以达到最佳的隔离效果。

七、光耦的保护。

 

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如上图所示,LED的反向击穿电压VR=5V。

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如上图所示,在LED两端并联一个TVS管,既可以防止负压过来,导致LED反向击穿,又可以防止高压进来,导致正向电流过大。但是在高速传输时,需要考虑TVS管的结电容。

八、电流传输比。

电流传输比也叫CTR,在一定的工作条件下,CTR是常数,那么光耦工作在线性区,否则是非线性区。

线性光耦较贵,可用于带隔离的反馈回路,比如:开关电源等。

九、其它问题。

1、假如光耦两侧共用一个电源,是否起到隔离作用?

只起到IO口隔离,但是电源没有隔离。也就是说隔离的作用变得非常小,此用法适用于电平转换。

2、推荐个高速光耦。

6N136、6N137能达到1MBit/s。

3、推荐个宽体封装的电耦。

TLP385,宽8mm,隔离电压达到5000V的交流有限值。

审核编辑:汤梓红

 

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( 发表人:汤梓红 )

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