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IGBT/MOSFET栅极驱动耦合器:TLP155E

2012年03月13日 14:03 电子发烧友网 作者:灰色天空 用户评论(0

  TLP155E是一款SO6封装IC耦合器,能够直接驱动一个小容量IGBT或功率MOSFET。保证传输延时为200 ns(最大值),能够通过高速脉宽调制(PWM)驱动IGBT/功率MOSFET。这款产品的保证传输延迟偏差为85 ns(最大值),有助于缩短死区时间,并提高变频器、PDP保持电路等的效率。TLP155E采用小型SO6封装,因此其安装面积比现有型号TLP705(SDIP6)小30%左右,同时符合国际安全标准的强化绝缘等级。本产品可用于各种产品,包括工业设备、数字家用电器、测量设备和控制设备。

  

小型高速IGBT/MOSFET栅极驱动耦合器产品照片: TLP155E.

 

  特征

  传输延时: tpLH,tpHL=200ns(最大值)

  传输延时变化: |tpLH,tpHL|=50ns(最大值)

  传输延迟偏差: tpsk=85ns(最大值)

  图腾柱输出

  最高输出电流: IOP=±0.6A

  输入电流: IFLH=7.5mA(最大值)

  耐压: BVs=3750Vrms

  应用

  PDP

  通用变频器

  MOSFET/IGBT栅极驱动

  变频空调

  轮廓图

  

小型高速IGBT/MOSFET栅极驱动耦合器轮廓说明图: TLP155E.

 

  电路实例

  PDP保持电路

  

小型高速IGBT/MOSFET栅极驱动耦合器电路实例说明图: TLP155E.

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( 发表人:灰色天空 )

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