实际应用时，反向电压不应超过数据手册规定的最大值，否则将导致二极管反向被击穿
当输入发光二极管的光线足以使输出场效应管导通时，输出回路即产生回路电流，通常称之为连续负载电流IO，而把场效应管导通时的体电阻称为输出电阻RON（On resistance）
当输出场效应管截止时，电池的电压将全部加在场效应管的两端，这时允许的最大电压称为负载电压VOFF，实际应用时不应超过最大值，否则场效应管可能会被击穿。
实际场效应管在截止时呈现的电阻不会是无穷大的，因此也会在输出回路产生一定的泄露电流ILEAK（Off state leakage current）
既然是继电器，不可避免涉及到触点结构，与电磁继电器一样，光耦继电器
继电器的触点结构通常有3种，即
◆ 常开触点（normally open）：Form A或NO（中国代号：H）
◆ 常闭触点（normally closed）：Form B或NC（中国代号：D）
◆ 转换型触点（changeover）：Form C或CO（中国代号：Z），这个触点结构可以理解为单刀双掷开关SPDT（Single-Pole Double-Throw）
相应的符号如下图所示：
实际的继电器可能封装了一个或多个通道，因此相应的触点类型也有很多，比如1a（1开）、1b（1闭）、1c、1a1b（1开1闭）等等，都是由上述3种触点结构组合起来的
从上图可以看出，Form C可以看成是一个Form A与Form B的组合（一个单刀双掷开关总是与一侧相接触，同时与另一侧断开），用光耦继电器来组合则如下图所示：
此时输入电阻R的值，应如由下式决定：
即输入回路包含两个串联的发光二极管的正向压降。