IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器,它采用高压集成电路技术和无闩锁CMOS技术,并采用双直插式封装,可用于工作母线电压高达600V的系统中。其输入与标准的CMOS电平兼容,输出驱动特性可满足交叉导通时间最短的大电流驱动输出级的设计要求。其悬浮通道与自举技术的应用使其可直接用来驱动一个工作于母线电压高达600V的、在高边或低端工作的N沟道MOSFET或IGBT。
1 引脚排列及功能
IR2117采用标准的双列直插式DIR-8或小型双列扁平表面安装SOIC-8封装形式,这两种封装形式的引脚排列相同,其引脚排列如图1所示,各引脚的名称、功能和用法如表1所列。
表1 IR2117的引脚说明
| 引脚号 | 符号 | 名 称 | 功能及用法 |
| 1 | Vcc | 输入级工作电源端 | 供电电源,抗干扰,该端应接一去耦网络到地 |
| 2 | IN | 控制脉冲输入端 | 直接按控制脉冲形成电路的输出 |
| 3 | COM | 输入级地端及Vcc参考地端 | 接供电电源Vcc地 |
| 4,5 | NC | 空脚 | 悬空 |
| 6 | Vs | 输出级参考地端 | 接被驱动的MOSFET源极或IGBT射极及负载端 |
| 7 | HO | 驱动脉冲输出端 | 通过一电阻接被驱动的MOSFET或IGBY的栅极 |
| 8 | VB | 输出级工作电源端（高边悬浮电源端） | 当VB与Vcc使用独立电源时,接用户提供的电源,此时VB的参考地为VS而Vcc的参考地为COM。在两电源之间,电位应隔离。当VB与Vcc利用自举技术产生时,此端分别通过一电容及二极管接VS及Vcc |
2 内部结构及工作原理
IR2117的内部结构及工作原理框图如图2所示。它在内部集成有一个施密特触发器,一个脉冲增益电路,两个欠压检测及保护电路,一个电平移位网络,一个与非门,一个由两个MOSFET组成的互补功放输出级、一个RS触发器以及一个脉冲滤波器共九个单元电路。
正常工作时,若IR2127的逻辑电源部分及输出电源部分不欠压,则来自用户控制脉冲形成单元的信号先由施密特触发器整形,再经脉冲增益环节放大后,由电平移位网络进行电平移位与匹配,再经RS触发器触发后由互补推挽输出级输出驱动外接的MOSFET或IGBT。一旦输入逻辑部分电源或输出功放级悬浮电源中有一个出现欠压,则两部分中将有一个输出信号被封锁而使输出驱动脉冲变为低电平。
3 主要设计特点和参数
3.1 主要设计特点
IR2117在设计上很有特点,现述如下：
（1）采用悬浮通道设计,内部自举工作可用来驱动从低压到600V工作母线电压中的MOSFET或IGBT;
（2）对负的瞬态电压上升率无限制;
（3）栅极驱动电压范围宽达10～20V;
（4）采用CMOS施密特触发器输入及推挽功放输出方式;
（5）具有欠压封锁功能;
（6）输出与输入同相。
3.2 极限参数
下面是IR2117的极限参数：
（1）高边悬浮电源电压VB：-0.3～625V;
（2）高边悬浮电源参考电压Vs：VB-25～VB+0.3V;
（3）高边悬浮输出电压VHO：Vs-0.3～VB+0.3V;
（4）逻辑输入部分工作电源电压Vcc：-0.3～25V;
（5）逻辑输入电压VIN：-0.3～Vcc+0.3V;
（6）允许的参考电源电压上升率dVs/dt：50000V/μs;
（7）功耗：SOIC封装的功耗为0.625W;DIP封装的功耗为1W;
（8）允许最高工作结温Tj：150℃;
（9）存贮温度Tstg：-55～150℃;
（10）焊接温度（焊接时间10s）TL：300℃;
3.3 推荐工作条件
IR2117的推荐工作参数如下：
（1）高边悬浮电源电压绝对值VB：Vs+10～Vs+20V;
（2）高边悬浮电源参考电压Vs：600V;
（3）高边悬浮输出电压VHO：Vs～VB;
（4）逻辑电源电压Vcc：10～20V;
（5）逻辑输入电压范围VIN：0～Vcc;
（6）工作环境温度TA：-40～125℃。