(一)晶体管材料与极性的判别
1.从晶体管的型号命名上识别其材料与极性 国产晶体管型号命名的第二部分用英文字母A"D表示晶体管的材料和极性。其中，“A”代表锗材料PNP型管，“B”代表锗材料NPN型管，“C”代表硅材料PNP型管，“D”代表硅材料NPN型管。
***产晶体管型号命名的第三部分用字母A"D来表示晶体管的材料和类型(不代表极性)。其中，“A”、“B”为PNP型管，“C”、“D”为NPN型管。通常，“A”、“C”为高频管，“B”、“D”为低频管。
欧洲产晶体管型号命名的第一部分用字母“A”和“B”表示晶体管的材料(不表示NPN或PNP型极性)。其中，“A”表示锗材料，“B”表示硅材料。
2.从封装外形上识别晶体管的引脚 在使用权晶体管之前，首先要识别晶体管各引脚的极性。
不同种类、不同型号、不同功能的晶体管，其引脚排列位置也不同。通过阅读上述“晶体管的封装外形”中的内容，可以快速识别也常用晶体管各引脚的极性。
3.用万用表判别晶体管的极性与材料 对于型号标志不清或虽有型号但无法识别其引脚的晶体管，可以通过万用表测试来判断出该晶体管的极性、引脚及材料。
对于一般小功率晶体管，可以用万用表R×100Ω档或R×1k档，用两表笔测量晶体管任意两个引脚间的正、反向电阻值。
在测量中会发现：当黑表笔(或红表笔)接晶体管的某一引脚时，用红表笔(或黑表笔)去分别接触另外两个引脚，万用表上指示均为低阻值。此时，所测晶体管与黑表笔(或红表笔)连接的引脚便是基极B，而别外两个引脚为集电极C和发射极E。若基极接的是红表笔，则该管为PNP管;若基极接的是黑表笔，则该管国 NPN管。
也可以先假定晶体管的任一个引脚为基极，与红表笔或黑表笔接触，再用另一表笔去分别接触另外两个引脚，若测出两个均较小的电阻值时，则固定不动的表笔所接的引脚便是基极B，而另外两个引脚为发射极E和集电极C。
找到基极B后，再比较基极B与另外两个引脚之间正向电阻值的大小。通常，正向电阻值较大的电极为发射极E，正向电阻值较小的为集电极C。
PNP型晶体管，可以将红表笔接基极B，用黑表笔分别接触另外两个引脚，会测出两个略有差异的电阻值。在阻值较小的一次测量中，黑表笔所接的引脚为集电极C;在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接的引脚为发射极E。
NPN型晶体管，可将黑表笔接基极B。用红表笔去分别接触另外两个引脚。在阻值较小的一次测量中，红表笔所接的引脚为集电极C;在阻值较大一次测量中，红表笔所接的引脚为发射极E。
通过测量晶体管PN结的正、反向电阻值，还可判断出晶体管的材料(区分出是硅管还是锗管)及好坏。一般锗管PN结(B、E极之间或B、C极之间)的正向电阻值为200"500Ω，反向电阻值大于100kΩ;硅管PN结的正向电阻值为3"15kΩ，反向电阻值大于500kΩ。若测得晶体管某个PN结的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判断该管已击穿或开路损坏。
(二)晶体管性能的检测
1.反向击穿电流的检测
普通晶体管的反向击穿电流(也称反向漏电流或穿透电流)，可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档， NPN型管的集电极C接黑表笔，发射极E接红表笔;PNP管的集电极C接红表笔，发射极E接黑表笔。
正常时，锗材料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10Kω(用R×100档测，电阻值大于2kΩ)，锗大功率晶体管的电阻值为1.5kΩ(用 R×10档测)以上。硅材料晶体管的电阻值应大于100kΩ(用R×10k档测)，实测值一般为500kΩ以上。
若测得晶体管C、E极之间的电阻值偏小，则说明该晶体管的漏电流较大;若测得C、E极之间的电阻值接近0，则说明其C、E极间已击穿损坏。若晶体管C、E极之间的电阻值随着管壳温度的增高而变小许多，则说明该管的热稳定性不良。
也可以用晶体管直流参数测试表的ICEO档来测量晶体管的反向击穿电流。测试时，先将hFE/ICEO选择开关置于ICEO档，选择晶体管的极性，将被测晶体管的三个引脚插个测试孔，然后按下ICEO键，从表中读出反向击穿电流值即可。