晶体管的本名是半导体三极管，是一种半导体器件。由于晶体管中参与导电的有自由电子和空穴两种载流子，因而又称为双极型晶体管。晶体管的内部含有两个PN结，外部通常有三个引出电极。晶体管的几种常见外形如图1所示，图2为晶体管的电气图形符号。晶体管对电信号具有放大和开关等作用，应用十分广泛。它与晶闸管比较，主要有以下几点不同：
（1）晶体管能在完全导通至完全截止的范围内进行无级调节。
（2）晶闸管触发导通后再切断控制信号，晶闸管仍能在一定时间内保持导通状态；而晶体管在控制信号失电后立即关断。
（3）与晶闸管相比，晶体管的开关时间短，动态性能较好，可在较高的工作频率下工作。
功率晶体管既可以作开关器件用，也可作放大器件用，在与晶闸管竞争中，它更适用于开关领域。由于功率晶体管具有自关断能力和较高的工作频率，从而在斩波器、逆变器中得到了日益广泛的应用。
三极管和晶闸管有啥区别
1、定义不同
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又被称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅。
2、原理不同
三极管：
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，
在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，
发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b （Base）和集电极c （Collector）。
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
晶闸管：晶闸管在工作过程中，它的阳极（A）和阴极（K）与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。
3、作用不同
三极管：晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。
我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
晶闸管：晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和控制极； 晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。