基于MEMS的LED芯片封装主要包括两个大的部分，第一个部分是加工带有反射腔的硅基体;第二部分是LED芯片的贴片、引线等通用工艺。由于该封装结构的第二个部分和标准的LED封装工艺相同，因此本文卡要详细的介绍第一部分的主要工艺流程(如图7)。
首先准备一片具有(100)晶向的硅片(a);通过热氧化在硅的表面形成层二氧化硅;光刻二氧化硅，形成需要的开口尺寸和形状(b);用KOH腐蚀硅基体形成需要的凹槽，通过腐蚀液的浓度和腐蚀时间控制槽的深度(c)：除占表面残余的二氧化硅;对硅基进行背碰腐蚀，生成通孔(d);利用电镀的方法在通孔内沉积金属导电材料(e);在硅的表面溅射会属层作为反射面，光刻金属表面和引线区，形成封装电极(f)。接下来就可以进行LED的贴片等后续工艺。
3 结论
仿真结果显示反射腔的深度越大，则反射效率越高，腔的开口越小，反射效率越高。文章最后给出该封装结构的工艺流程设汁。通过分析表明，基于MEMS工艺LED封装技术可以降低器件的封裴尺寸，提高发光效率。