电力电子器件之晶闸管结构
电力半导体可控器件，始于1957年通用公司开发的SCR。然后进入晶闸管大容量化时期，同时又开发了双向晶闸管（Triac）和逆变导晶闸管(Reverse Conducting Thyristor)。70年代后期，自关断器件的开发取得了进展。BJT(Bipolor Junctlon Transistor)又称GTR（Giant Transistor）和GTO (Gate Turnoff Thyristor)等商品化。进入80年代，在致力于这些器件的高速开关化的同时，又相继出现了功率MOSFET、IGBT (Insulated Gate Bipolor Transistor)、SITH（Static Induction Thyristor）、MCT (Mos Controlled Thyistor)等。
8.2.1 晶闸管（SCR）
晶闸管又叫可控硅。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它主要有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。从晶闸管的电路符号可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。晶闸管是可以处理耐高压、大电流的大功率器件，随着设计技术和制造技术的进步，越来越大容量化
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| 基本结构： | |
| 晶闸管的外形如下图所示，分为螺栓形和平板形两种，螺栓形这种结构更换元件很方便，用于100A以下的元件。平板形，这种结构散热效果比较好，用于200A以上的元件。 晶闸管是由四层半导体构成的。图右所示为螺栓形晶闸管的内部结构，它由单晶硅薄片P1、N1、P2、N2四层半导体材料叠成，形成三个PN结。图 (b)和(c)所示分别为其示意图和表示符号。 | |