场效应管特点
1.场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流,应此对于信号源额定电流极小的情况下，常选用场效应管。
2.场效应管是多子导电,晶体管是两种载流子参与导电。但少子受环境影响明显。
3.场效应管FET和晶体管BJT一样具有放大作用，而且这两种放大元件间存在着电极对应关系G-b，S-e，D-c。因此根据BJT电路，即可得到与之对应的FET放大电路。但不能简单地加以替换，否则有时电路不能正常工作。场效应除作放大器件及可控开关外还可作压控可变线性电阻使用。
4.场效应管S极和D极是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管栅源电压可正可负使用比晶体三极管灵活。
5.场效应管组成放大电路时与晶体管一样，必须选择合适的静态工作点，栅极必须有合适的偏压，但不出现偏流，对不同类型场效应管对偏压的极性要求不同，特列如下：
|
类型 |
VGS |
VDS |
类型 |
VGS |
VDS |
|
N沟道JFET |
负 |
正 |
P沟道JFET |
正 |
负 |
|
N沟道EMOS |
正 |
正 |
P沟道EMOS |
负 |
负 |
|
N沟道DMOS |
正/负 |
正 |
P沟道DMOS |
正/负 |
负 |
注：JFET表示结型场效应管，DMOS表示耗尽型场效应管；EMOS表示增强型场效应管。
自给偏压电路
如图，为自给偏压电路。电容对Rs起旁路作用——源极旁路电容。
自给偏压电路
注：增强型场效应管（MOSFET）只有G—S间电压先达到某个开启电压VT时才有ID，所以自偏压不适用于增强型MOSFET。
分析：当Is流过Rs时产生Vs压降对地是负值。所以，VGS=VG-VS=-ISRS=-IDRS
问题是：VGS决定于ID而ID又随VGS变化而变化，如何能确定ID、VGS之值呢？下面内容介绍两种解法。
图解法
步骤：
（1）作直流负载线（从输出回手）
直流负载线于输出特性曲线的不同VGS的交点，即管子内部方程与输出回路方程的联立解，表明电路中ID，VDS，VGS的数值必在这些交点上。
(2)利用直流负载线上的点作转移特性曲线。
（3）定静态工作点Q（从G极回路入手）因Q还应满足输入回路，所以作输入回路的直流负载线VGS=-IDRS，如图。
（4）代入数据，得Q：VGS，VDS，ID
注：增强型场效应管（MOSFET）只有G—S间电压先达到某个开启电压VT时才有ID，所以自偏压不适用于增强型MOSFET。
分析：当Is流过Rs时产生Vs压降对地是负值。所以，VGS=VG-VS=-ISRS=-IDRS
问题是：VGS决定于ID而ID又随VGS变化而变化，如何能确定ID、VGS之值呢？下面内容介绍两种解法。
图解法
步骤：
（1）作直流负载线（从输出回手）
直流负载线于输出特性曲线的不同VGS的交点，即管子内部方程与输出回路方程的联立解，表明电路中ID，VDS，VGS的数值必在这些交点上。
(2)利用直流负载线上的点作转移特性曲线。
（3）定静态工作点Q（从G极回路入手）因Q还应满足输入回路，所以作输入回路的直流负载线VGS=-IDRS，如图。
（4）代入数据，得Q：VGS，VDS，ID
计算法
计算法采用下列公式求解:
式子的IDSS称为饱和电流，即为VGS=0时ID的值；VP称为夹断电压，当VGS=VP时，漏极电流ID为0。
让我们来看一个例子,电路如图.
已知:VP=-4V ，IDSS=2mA。代入上述两个公式得：
求解此两方程,解得：ID1=0.82mA,ID2=0.30mA
因为-ID1RS< VP，因而ID1=0.82mA不合题意，舍去，故静态漏极电流IDQ为
IDQ=0.30mA；
静态管压降VGSQ、VDSQ分别为
计算法采用下列公式求解:
式子的IDSS称为饱和电流，即为VGS=0时ID的值；VP称为夹断电压，当VGS=VP时，漏极电流ID为0。
让我们来看一个例子,电路如图.
已知:VP=-4V ，IDSS=2mA。代入上述两个公式得：
求解此两方程,解得：ID1=0.82mA,ID2=0.30mA
因为-ID1RS< VP，因而ID1=0.82mA不合题意，舍去，故静态漏极电流IDQ为
IDQ=0.30mA；
静态管压降VGSQ、VDSQ分别为
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JFET |
MOSFET | ||
| N
沟 道 |
|
|
|
| P
沟 道 |
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