3 场效应管伏安特性曲线
场效应管的特性曲线类型比较多，根据导电沟道的不同以及是增强型还是耗尽型可有四种转移特性曲线和输出特性曲线，其电压和电流方向也有所不同。如果按统一规定的正方向，特性曲线就要画在不同的象限。为了便于绘制，将P沟道管子的正方向反过来设定。有关曲线绘于下图之中。
4.各种场效应管特性比较
（a） 转移特性曲线 （b） 输出特性曲线
5.场效应管的主要参数
① 开启电压VGS（th） （或VT）
开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值，场效应管不能导通。
② 夹断电压VGS（off） （或VP）
夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS（off） 时，漏极电流为零。
③ 饱和漏极电流IDSS
耗尽型场效应三极管，当VGS=0时所对应的漏极电流。
④ 输入电阻RGS
场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅场型效应三极管，RGS约是109～1015Ω。
⑤ 低频跨导gm
低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，这一点与电子管的控制作用十分相像。gm可以在转移特性曲线上求取，单位是mS（毫西门子）。
⑥ 最大漏极功耗PDM
最大漏极功耗可由PDM=VDS ID决定，与双极型三极管的PCM相当。