有机场效应晶体管主要性能指标
对有机半导体层的要求主要有以下几个方面：第一，具有稳定的电化学特性和良好的π共扼体系，只有这样才有利于载流子的传输，获得较高迁移率；第二，本征电导率必须较低，这是为了尽可能降低器件的漏电流，从而提高器件的开关比。此外，OFET半导体材料还应满足下列要求：单分子的最低未占分子轨道（LUMO）或最高已占分子轨道（HOMO）能级有利于电子或空穴注入；固态晶体结构应提供足够分子轨道重叠，保证电荷在相邻分子间迁移时无过高能垒。因此，评价OFET的性能指标主要有迁移率、开—关电流比、阈值电压3个参数。场迁移率是单位电场下电荷载流子的平均漂移速度，它反映了在不同电场下空穴或电子在半导体中的迁移能力；开—关电流比定义为在“开”状态和“关”状态时一的漏电流之比，它反映了在一定栅极电压下器件开关性能的优劣。为了实现商业应用，OFET的迁移率一般要求达到0.O1cm2/（V·s），开—关比大于10。对于阈值电压，要求尽量低。OFET发展至今，电压由最初的几十甚至上百伏下降到5V甚至更低。开关电流比由102~103提高到109，器件载流子迁移率也由最初的10-5cm2/（V·s）提高到了15.4cm2/（V•s）。
器件性能通常用输出特性曲线和转移特性曲线来表征。
下图是以聚合物PDTT为半导体材料的顶结构OFET输出特性曲线（a）和转移特性曲线（b）图。从下图（a）可以看出漏电流ID在VD绝对值小于20V范围内随VD绝对值的增大而增大。下图（b）中，ID随着VG负电压绝对值的增大而增大。最终计算出该器件的迁移率为2.2x103cm2/（V·s）。
顶结构OFET输出特性曲线及转移特性曲线图