KNX42150A：1500V，3A适用于变频器电源，DC-DC转换等
N沟道MOSFET--KNX42150A漏源击穿电压高达1500V，漏极电流最大值为3A，适用于变频器电源，逆变器，DC-DC转换等。
KNX42150的开启延迟典型值为30nS，关断延迟时间典型值为45nS，上升时间65nS，下降时间60nS，反向传输电容11pF，具有极快的开关速度，可靠性高。反向恢复时间410nS，正向电压的典型值1.6V。
该MOS管的导通阻抗典型值为6.5Ω。最大功耗为50W，最大结温为150℃。此产品的储存温度在-55到150℃，可适用于大部分环境。
图： 电路原理图
图：KNX42150A规格书
产品特点：
高速切换
RDS(ON),typ，典型值=6.5Ω@VGS=10V
典型应用：
变频器电源
逆变器
DC-DC转换
KNX42150A型号的MOS管是由国内专注研发16年的优质MOS管厂家生产，它是可以代换3N150等型号参数的场效应管。
【KNX42150A应用】
1500V/3A MOS管KNX42150A推荐用于380V变频器反激式辅助电源、5G基站通信电源辅助供电系统。
KNX42150A助力380V变频器反激式辅助电源
变频器因可以方便的改变电动机的转速，改善拖动系统性能，被广泛运用于风扇、电梯、水泵、机床、传送带等工业电机拖动设备；
运用于AC380V变频器反激式辅助电源的优势特点：
该MOS管VDS电压1500V，在550V电压上需留有1.5-2.5倍的裕量，以2.5倍最高耐压余量计算就是需要耐压1375V，故需要应用到1500V耐压的MOS管，KNX42150A耐压VDS电压1500V满足应用需求；
导通电阻为典型值6.5Ω，可降低导通损耗，降低输入电源功耗；续漏极电流在25℃时最大额定值为3A，一般辅助电源功率在10几瓦特，电流余量可满足功率需求；
最大结温为150℃，存储温度范围均为-55~150℃，工业级工作温度范围，完全适用于工业市场运用。
图：辅助电源反激式电源拓扑
KNX42150A用于5G基站通信电源辅助供电系统
高速互联网信息交互通信技术的发展，实现万物互联，给人们的生活带来了极大的便利。现阶段5G通信技术的发展和基站建设，致力于满足大数据量、高传输率的信息交互需求。
5G通信基站的建设，对通信电源的设计也有着高要求。以下是5G基站通信电源的设计框图。
从电网取电，需要EMI滤波，滤除电网谐波噪声干扰，通过PFC，减少损耗和电流纹波，提高供电效率，再通过LLC电路稳压和提高效率，最后同步整流输出。输出的稳定需要对输出端电压进行采样监控，反馈到控制系统，控制系统的供电，由辅助电源从PFC母线直流取电，PFC的输出母线电压一般在400V左右甚至更高，需要高耐压的外置MOS管配合DCDC控制器进行降压。
KNX42150A用于5G基站通信电源辅助供电系统优势：
1、耐压高达1500V，在400V的直流电压下有着3倍多的充分裕量，可以满足高耐压的应用需求；
2、导通电阻典型值为6.5Ω，可降低导通损耗，降低输入电源功耗。
KNX42150A适用于1KW开关电源
图：开关电源半桥LLC电路拓扑
KNX42150A的VDS电压是1500V，适合母线电压高达800V的使用场景，并留有足够的防击穿余量。
审核编辑：刘清