保护三极管的基极
这次出现的问题是使用了ULN2003，由于直接用它的输入级接入模块的输入端，因此出现了问题。
由于电缆上存在分布电感和分布电容，因此很容易出现耦合，在ISO7637的实验中，存在高频脉冲250V，200ns
我们必须加入限流电阻，并且与RB和分压，或者加入其他抗瞬态的器件，这样的设计是非常耗成本的，因此一般可以采用分立的器件。
最好不用用晶体管的基极直接面对输入，这回造成很大的隐患。
另外一个错误很常见，就是直接把晶体管的基极接至MCU的输出管脚上面，前面已经验算过MCU的输出能力：单片机IO口的驱动能力
这很明显的造成了晶体管Ib过大，引起过大的损耗。
因此如果遇到分立的晶体管，注意验证它的基极，是否直接接MCU，是否内部含有限流电阻（Build-in），否则很可能造成过热和损坏。
这里顺便说明一下，三极管由于有热击穿效应，所以建议把余量放大些，60%～75%，否则很有可能造成损坏。
由于电缆上存在分布电感和分布电容，因此很容易出现耦合，在ISO7637的实验中，存在高频脉冲250V，200ns
我们必须加入限流电阻，并且与RB和分压，或者加入其他抗瞬态的器件，这样的设计是非常耗成本的，因此一般可以采用分立的器件。
最好不用用晶体管的基极直接面对输入，这回造成很大的隐患。
另外一个错误很常见，就是直接把晶体管的基极接至MCU的输出管脚上面，前面已经验算过MCU的输出能力：单片机IO口的驱动能力
这很明显的造成了晶体管Ib过大，引起过大的损耗。
因此如果遇到分立的晶体管，注意验证它的基极，是否直接接MCU，是否内部含有限流电阻（Build-in），否则很可能造成过热和损坏。
这里顺便说明一下，三极管由于有热击穿效应，所以建议把余量放大些，60%～75%，否则很有可能造成损坏。