1. 截止时：P=Vce•Iceo饱和时：P=Vces•Ic由于三极管的反向漏电流Iceo和饱和压降Vces都很低，因此，饱和和截止时，三极管的消耗功率并不大，但在两种状态的转换过程中，三极管有一部分时间工作于放大区，此时的电流电压均较大，处于放大区的时间越长，从而消耗功率也越大，温度也就升高越多。影响三极管处于放大区的开关参数主要是上升时间和下降时间。因此，应选用上升时间和下降时间尽可能短的三极管。
3)高温漏电流在上面的说明中，我们知道三极管工作在截止状态时的功耗主要由反向漏电流Iceo决定。常温下，Iceo一般很小，因此，三极管的截止功率并不大，但当工作后温度升高后，Iceo变大，则其消耗功率也变大，直至影响到正常的工作。另一方面，反向漏电流的增大使得PN结击穿特性变软，也使三极管变得易于烧毁。因此，高温漏电流也是影响管子质量的重要参数。硅三极管的ce反向漏电为：
Iceo=(1+β)Icbo≈(1+β)Ae×Ni×XMG/2τ其随温度的变化主要与材料和工艺有关。
4)其它功率开关三极管的其他参数，也与其使用有关。hFE也是经常考虑的因素之一。