三极管是电路中最基本的元器件，最主要的功能是电流放大和开关作用。
本文主要是关于三极管各极含义和识别方法，希望本文能对你有所帮助。
三极管
三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。三极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。三极管大都是塑料封装或金属封装，常见三极管的外观，有一个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型三极管，而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是电流的方向。
电子制作中常用的三极管有90系列，包括低频小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪声管9014（NPN），高频小功率管9018（NPN）等。它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6（低频小功率硅管）、3AX31（低频小功率锗管）等，它们的型号也都印在金属的外壳上。我国生产的晶体管有一套命名规则，电子工程技术人员和电子爱好者应该了解三极管符号的含义。符号的第一部分“3”表示三极管。符号的第二部分表示器件的材料和结构：A——PNP型锗材料；B——NPN型锗材料；C——PNP型硅材料；D——NPN型硅材料。符号的第三部分表示功能：U——光电管；K——开关管；X——低频小功率管；G——高频小功率管；D——低频大功率管；A——高频大功率管。另外，3DJ型为场效应管，BT打头的表示半导体特殊元件。
三极管各极的含义和辨别方法
中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管（F《3MHz，Pc《1W）、G-高频小功率管（f》3MHz，Pc《1W）、D -低频大功率管（f《3MHz，Pc》1W）、A-高频大功率管（f》3MHz，Pc》1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号
例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管
国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C -器件使用材料的Eg》1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg《0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、 F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。
第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：
1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。
三极管各极判别方法
三极管有PNP型和NPN型，它们都有三个极，分别为发射极e，基极b，集电极c。在实际维修过程中，往往需要判断三极管的好坏，并对坏管进行更换。因此快速而准确地判断出三极管的三个电极是非常重要的。
一、用指针万用表测穿透电流法，判断发射极、集电极
先用指针万用表找到三极管的基极并判断出它的型号。（参见笔者上一篇文章《快速判断三极管是NPN型还是PNP型的方法》），然后就可以采用测集电极--发射极穿透电流的方法来确定发射极和集电极。
1、 对于NPN型三极管，先用黑表笔（内接表内电池正极）、红表笔（内接表内电池负极）测量发射极和集电极这两个极间的正方向电阻Rce，然后颠倒表笔测量反向电阻Rec。仔细观察万用表指针的偏转角度就会发现，在两次的测量中会有一次偏转角度较大。正常三极管极间正向电阻Rce一般在几十千欧以上，反向电阻Rec一般在几百千欧以上。
我们就选用偏转角度大的那次，偏转角度大意味着电阻小，此时电流的流向是：黑表笔--c极--b极--e极--红表笔，电流的流向与三极管符号中的箭头方向一致。（三极管符号中的箭头方向形象地反映了实际中电流的流向。）据此可判断这时黑表笔接的是集电极c，红表笔接的是发射极e。
2、 对于PNP型的三极管，判断方法类似NPN型，选取指针偏转角度大的那次，此时其电流流向是：黑表笔--e极--b极--c极--红表笔，电流的流向同三极管符号中的箭头方向一致。表明黑表笔接的是发射极e，红表笔接的是集电极c。
二、 数字万用表hFE插孔检测，判断三极管发射极、集电极
hFE是三极管的直流电流放大系数。在判断出三极管基极b和管型的基础上，把数字万用表的转换开关旋转至hFE位置。
若被测三极管是PNP型管，则将管子的各个引脚插于PNP插孔相应的插孔中，（若被测三极管是NPN型管，则将管子的各个引脚插于NPN插孔相应的插孔中。）此时显示屏就会显示出被测三极管的hFE值。
将c极、e极对调后，再看hFE值。将两次测得的hFE值进行比较，数值大的说明管脚插对了。然后根据万用表hFE插孔上标注的三极管字母符号E、B、C，相对应地判断三极管电极哪个是发射极e，哪个是集电极c就可以了。
半导体三极管的好坏检测
a.先选量程：R﹡100或R﹡1K档位
b.测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值。
红表笔接基极，黑表笔接发射极，所测得阻值为发射极正向电阻值，若将黑表笔接集电极（红表笔不动），所测得阻值便是集电极的正向电阻值，正向电阻值愈小愈好。
c.测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值。
将黑表笔接基极，红表笔分别接发射极与集电极，所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻，反向电阻愈小愈好。
d.测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的方法和测量PNP型半导体三极管的方法相反。
结语
关于三极管各极的介绍就到这了，关于三极管的各极可探讨的地方还有很多，在本文就不再赘述了，如有不足之处欢迎指正。