本文主要是关于三极管中2TY和J3Y的相关介绍，并以此探讨了三极管的命名方式。
三极管
什么是三极管 ［1］ （也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是 如图所示的几种器件。
可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇。
电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译，这是和电子三极管最早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西，实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的，否则就麻烦大咯，严谨地说，在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇！
电子三极管 Triode （俗称电子管的一种）
双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）
J型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）
金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET （ Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor）英文全称
V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）
注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单极（Unipolar）结构的，是和 双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）
其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管
VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管
三极管中2TY和J3Y是什么意思
2TY 是8550 PNP SOT23
J3Y是8050 NPN SOT23
这不是高频管，一般用在小功率的电源电路，如小电流电源开关管，充电电路开关管等，分别测BE极和BC极的二极管导通电压为0.6V左右是好的，
高频放大用9018 NPN SOT23
三极管命名方式
不同的国家对三极管的命名是不同的。所有命名方式要查询全世界的工厂和国家，很难办到。
以中美日等国为例：
中国三极管型号命名方法
中国半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管
3-三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：
A-N型锗材料
B-P型锗材料
C-N型硅材料
D-P型硅材料
表示三极管时：
A-PNP型锗材料、
B-NPN型锗材料、
C-PNP型硅材料、
D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。P-普通管、
V-微波管
W-稳压管
C-参量管
Z-整流管
L-整流堆
S-隧道管
N-阻尼管
U-光电器件
K-开关管
X-低频小功率管（F《3MHz，Pc《1W）
G-高频小功率管（f》3MHz，Pc《1W）
D -低频大功率管（f《3MHz，Pc》1W）
A-高频大功率管（f》3MHz，Pc》1W）
T-半导体晶闸管（可控整流器）
Y-体效应器件
B-雪崩管
J-阶跃恢复管
CS-场效应管
BT-半导体特殊器件
FH-复合管
PIN-PIN型管
JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管
国际三极管型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：
1.第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗
B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅
C -器件使用材料的Eg》1.3eV如砷化镓
D-器件使用材料的Eg《0.6eV如锑化铟
E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
2.第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管
B-变容二极管
C-低频小功率三极管
D-低频大功率三极管
E-隧道二极管
F-高频小功率三极管
G-复合器件及其他器件
H-磁敏二极管
K-开放磁路中的霍尔元件
L-高频大功率三极管
M-封闭磁路中的霍尔元件
P-光敏器件
Q-发光器件
R-小功率晶闸管
S-小功率开关管
T-大功率晶闸管
U-大功率开关管
X-倍增二极管
Y-整流二极管
Z-稳压二极管
3.第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
4.第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：
1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。
三极管管脚的区分方法
从本质上分辨，可以通过分辨发射区，基区，集电区，分辨发射极e，基极b，和集电极c。因为这三个电极都是三极管中各区导线牵出去的。
发射区和集电区均为N型半导体，不同的是，发射区比集电区掺入的杂质多，在几何尺寸上，集电区的面积要远比发射区的大。而基区在发射区和集电区之间。
结语
关于三极管中2TY和J3Y的区分介绍就到这了，希望本文能对你有所帮助。