1、添加元器件
图1-1是打开Multisim软件之后的示意图。
图1-1 Multisim初始示意图
使用快捷键【ctrl+W】可以快速打开元器件选择界面，如图1-2所示：
图1-2 元器件选择界面
在【数据库】中选择【主数据库】
第一步：
在【组】中选择【Sources】，并选择【POWER_SOURCES】，在【元器件】中选择电源模块：
1、【DC_POWER】*2；
2、【GROUND】*2；
第二步：
在【组】中选择【Basic】，并选择【RESISTOR】，在【元器件】中选择电阻：
3、【20k】*1；
4、【100】*1；
第三步：
在【组】中选择【Transistors】，并选择【BJT_NPN】，在【元器件】中选择三极管：
5、【2N1711】*1；
2、绘制仿真电路图
总共选择元器件如下：
1、【DC_POWER】*2；
2、【GROUND】*2；
3、【20k】*1；
4、【100】*1；
5、【2N1711】*1；
在绘制界面将各个元器件按图1-3所示连接好。
图 1-3 仿真电路
3、进行仿真测试
电路绘制完毕后，下面要利用Multisim获得一个关于Vce和Ic关系曲线，单击Multisim工具栏的分析按钮，如图1-4所示：
图1-4 点击仿真按钮
选中其中的仿真功能，并选择【Analyses and Simulation】，其界面如图1-5所示：
图1-5 仿真菜单界面
在【Analyses and Simulation】界面中选择【直流分析】，如图1-6所示，在分析参数的标签栏中的【源1】选择【V2】，并把起始值设置为0V，而终止值设置为12V，同时增量设置为0.2V，这个设置是让图1-3所示电路的电源V2的电压以0.2V为间隔，从0V开始向12V逐渐增大，电源V2的电压逐渐增大，也就是三极管Q1的集电极-发射极间电压Vce不断增大。
图1-6 分析参数界面显示图
接下来，为了获得Vce与Ic的关系，还需要把图1-6所示的直流分析设置对话框的输出变量标签栏中把三极管Q1的c极电流Ic作为输出，方法是单击【输出】标签栏，选择所有变量中【I（Q1[Ic]）】添加到用于分析的变量，选择完毕后点击【Save】。
图1-7 选择合适的变量分析
单击工具栏中仿真【开始按钮】，如图1-8所示：
图1-8 单击仿真开始
那么Multisim将会生成一个如图1-9所示的Ic-Vce的关系曲线图。
图1-9 三极管Ic-Vce曲线图
这个曲线图显示了三极管的截止、饱和和放大的三个状态。
审核编辑：刘清