IR2110其他电路应用
（1）带电平箝位的IR2110驱动电路
针对IR2110的不足，对输出驱动电路进行了改进，可以采用在栅极限流电阻上反并联一个二极管，但在大功率的环境下不太明显。本文介绍的第一种方法就是下面如图4所示电路。在关断期间将栅极驱动电平箝位到零电平。在桥臂上管开通期间驱动信号使Q1导通、Q2截止，正常驱动。上管关断期间，Q1截止，Q2栅极高电平，导通，将上管栅极电位拉到低电平（三极管的饱和压降）。这样，由于密勒效应产生的电流从Q2中流过，栅极驱动上的毛刺可以大大的减小。下管工作原理与上管完全相同，不再累述。
（2）IR2110负压产生电路
在大功率IGBT场合，各路驱动电源独立，集成驱动芯片一般都有产生负压得功能，如EXB841系列，M57957系列等，在IGBT关断期间栅极上施加一个负电压，一般为－3～－5V。其作用也是为了增强IGBT关断的可靠性。防止由于密勒效应而造成的误导通。IR2110芯片内部虽然没有产生负压功能，但可以通过外加几个无源器件来实现产生负压得功能，如图5所示。在上下管驱动电路中均加上由电容和5V稳压管组成的负压电路。
其工作原理为：电源电压为20V，在上电期间，电源通过Rg给Cg充电，Cg保持5V的电压，在LIN为高电平的时候，LO输出0V，此时S2栅极上的电压为－5V，从而实现了关断时负压。
对于上管S1，HIN为高电平时，HO输出为20V，加在栅极上的电压为15V。当HIN为低电平时，HO输出0V，S1栅极为－5V。
IGBT为电压型驱动器件，所以负压负压电容C5，C6上的电压波动较小，维持在5V，自举电容上的电压也维持在20V左右，只在下管S2导通的瞬间有一个短暂的充电过程。
IGBT的导通压降一般小于3V，负压电容C5的充电在S2导通时完成。对于C5，C6的选择，要求大于IGBT栅极输入寄生电容Ciss。自举电容电电路中的二极管D1必须是快恢复二极管，应留有足够的电流余量。此电路与一般的带负压驱动芯片产生负压原理相同，直流母线上叠加了5V的电压。
（3）IR2110结合隔离变压器电路
上面2种方法已经得到了广泛的应用，但是也有他的缺点，首先电路比最简单的应用电路要复杂的多，其次所用的器件数目增多，成本增加，再次效果也并不是非常好，这主要是因为IR2110芯片本身很容易受到开关管的影响。
负载增大，电压升高，IR2110的输出波形就会变得很混乱，所以用常规的变压器隔离和IR2110结合起来使用其电路图如6所示，这种电路结合了经典电路的部分内容，大大地减小了负载对驱动的影响，可以用于大功率场合，电路也比较简单，非常实用。
其工作原理为：电源电压为20V，在上电期间，电源通过Rg给Cg充电，Cg保持5V的电压，在LIN为高电平的时候，LO输出0V，此时S2栅极上的电压为－5V，从而实现了关断时负压。
对于上管S1，HIN为高电平时，HO输出为20V，加在栅极上的电压为15V。当HIN为低电平时，HO输出0V，S1栅极为－5V。
IGBT为电压型驱动器件，所以负压负压电容C5，C6上的电压波动较小，维持在5V，自举电容上的电压也维持在20V左右，只在下管S2导通的瞬间有一个短暂的充电过程。
IGBT的导通压降一般小于3V，负压电容C5的充电在S2导通时完成。对于C5，C6的选择，要求大于IGBT栅极输入寄生电容Ciss。自举电容电电路中的二极管D1必须是快恢复二极管，应留有足够的电流余量。此电路与一般的带负压驱动芯片产生负压原理相同，直流母线上叠加了5V的电压。