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DS1210非易失控制器芯片

2012年07月19日 14:30 电子发烧友 作者:灰色天空 用户评论(0

  DS1210非易失控制器芯片是CMOS电路,解决了转换成非易失性内存的CMOS RAM中的应用问题。输入电源监测容忍条件。当检测到这样的情况下,芯片使能抑制实现写保护和电池提供不间断电源的RAM接通。特殊的电路采用低泄漏CMOS能提供精确的电压检测,在极低的电池消耗量的过程。8引脚DIP封装,保持PC板房地产需求到最低限度。DS1210非易失控制器芯片的CMOS记忆体和电池相结合,可以实现非易失性RAM操作。

  关键特性

  皈依的CMOS公羊到非易失性存储器

  无条件写保护当V CC是容错

  自动切换到电池电源故障发生时

  节省空间的8引脚PDIP或16引脚SO封装

  功耗小于电池电流为100nA

  测试电池的状况上电

  提供冗余电池

  可选5%或10%的电源故障检测

  低正向压降的V CC交换机

  可选的工业(N)的温度范围为-40°C至+85°C间

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( 发表人:灰色天空 )

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