专题半导体基础入门

1，半导体基础2，PN节二极管3，BJT和其他结型器件4，场效应器件

常用半导体器件本章要求：一、理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和        电流放大作用；二、了解二极管、稳压管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；三、会分析含有二极管的电路。     对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。    学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。    对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。     器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。

半导体元器件是用半导体材料制成的电子元器件，随着电子技术的飞速发展，各种新型半导体元器件层出不穷。半导体元器件是组成各种电子电路的核心元件，学习电子技术必须首先了解半导体元器件的基本结构和工作原理，掌握它们的特性和参数。本章从讨论半导体的导电特性和PN 结的单向导电性开始，分别介绍二极管、双极型晶体管、绝缘栅场效应晶体管和半导体光电器件等常用的半导体元器件。喜欢的顶一顶，介绍的非常详细哦。。。。[此贴子已经被作者于2008-5-24 11:05:21编辑过]

功率半导体基本开关原理

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清华大学半导体基础知识课件

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 编辑 半导体工艺

一个比较经典的半导体工艺制作的课件，英文的，供交流……

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LED照明技术缺点的有哪些(附图)

半导体晶圆（晶片）的直径为4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圆盘，在制造过程中可承载非本征半导体。它们是正（P）型半导体或负（N）型半导体的临时形式。硅晶片是非常常见的半导体晶片，因为硅是最流行的半导体，这是由于其在地球上的大量供应。半导体晶圆是从锭上切片或切割薄盘的结果，它是根据需要被掺杂为P型或N型的棒状晶体。然后对它们进行刻划，以用于切割或切割单个裸片或方形子组件，这些单个裸片或正方形子组件可能仅包含一种半导体材料或多达整个电路，例如集成电路计算机处理器。划刻并切割用于生产电子元件（如二极管

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:52 编辑 <p><font face="Verdana"><strong>半导体电路教材</strong></font><font face="Verdana"><strong><br/></p></strong></font><p><font face="Verdana">This bood is published under the terms and conditions of the Design sacience License.These terns and conditions allow for conpying,distribution,and/or modification of this document by the general public.</font><font face="Verdana"></p></font><p><font face="Verdana"> </p></font><font face="Verdana"><a href="http://down.elecfans.com/bbs/z/elecfans.com-半导体电路教材.rar">半导体电路教材.rar</a></font>

半导体具有独特的导电性能。当环境温度升髙或有光照时，它们的导电能力 会显著增加，所以利用这些特性可以做成各种温敏元件（如热敏电阻）和各种光 敏元件（如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等）。更重要的是，如果在纯诤 的半导体中加入适量的微量杂质后，可使其导电能力增加至数十万倍以上。利用 这一特性，已经做成各种不同用途的半导体器件（如二极管、三极管、场效应管 和晶闸管等）。温度、光照和适量掺入杂质这三种因素对半导体导电性能的强弱影响很大， 所以半导体的导电特性可以概括如下。热敏性：当环境温度升髙时，导电能力显著增强。光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化。掺杂性：当纯诤的半导体中摻入某些适量杂质，导电能力明显改变。2. 本征半导体制作半导体器件时用得最多的半导体材料是硅和锗，它们原子核的最外层都 有4个价电子。将硅或锗材料提纯（去掉杂质）并形成单晶体后，所有原子在空间 便基本上整齐排列。半导体一般都具有这种晶体结构，所以半导体也称为晶体。 本征半导体就是完全纯诤的、具有晶体结构的半导体。(1)本征半导体的原子结构及共价键在本征半导体中，相邻的两个原子的一对最外层电子成为共用电子，这样的 组合称为共价键结构，如图1-1所示。共价键内的两个电子是由相邻的原子各用一个价电子组成，称为束缚电子。这样每个原子核最外层等效有8个价电子，由于价电子不易挣脱原子核束缚而成为自由电子，因此本征半导体导电能力较差： (2)本征激发现象在热力学温度oK(-273°C)时，本征半导体中的每个价电子都被束缚在共 价键中，不存在自由运动的电子，本征半导体相当于绝缘体。当温度升高或受到 光的照射时，价电子能量増高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电， 成为自由电子。与此同时，在该共价键上留下了一个空位，这个空位称为空穴。 这种现象称为本征激发（也称热激发）。因热激发而出现的自由电子和空穴是同 时成对出现的，称为电子一空穴对，如图1-2所示。温度越高，产生的电子一空 穴对数目就越多，这就使得游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复 合。在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡，此时自由电子和空六的浓度 一定，且自由电子数和空六数相等。(3)半导体的导电原理当半导体两端加上外施电压后，半导体中有两类作相反运动的导电粒子形成 的电流：一类是自由电子作定向运动形成的电子电流，另一类是被原子核束缚的 价电子填补空穴而形成的空六电流。因此，在半导体中有自由电子和空六两种承 载电流的粒子（即载流子），这是半导体导电方式的最大特点，也是半导体与金 属导体在导电机理上的本质差别。空穴导电的实质是相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空 穴而形成电流。由于电子带负电，而电子的运动与空六的运动方向相反，因此认 为空穴带正电。温度越高，产生的电子一空穴对数量就越多，导电能力增强，所以溫度对半 导体器件有很大影响。3.杂质半导体掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。杂质半导体是半导体器件的基本材 料。根据掺入杂质的性质不同，杂质半导体分为两类：电子型（N型）半导体和 空穴型（P型）半导体。(1) P型半导体在本征半导体中掺入微量的三价元素（如硼）就形成P型半导体，结构示意如图1-3所示。可见每掺入一个三价原子，就能提供一个空穴，所以在P型半导体中，空穴 浓度远大于自由电子浓度，空穴为多数载流子，自由电子是少数载流子。此时， 杂质半导体仍然呈现电中性。(2) N型半导体在本征半导体中掺入微量的五价元素（如磷）就形成N型半导体，结构示意图如图1-4所示。可见每掺入一个五价原子，就能提供一个自由电子，所以在N型半导体中，自由电子浓度远大于空穴浓度，自由电子为多数载流子，空穴是少数载流子。此 时，杂质半导体仍然呈现电中性。注意：杂质半导体中的多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度；而少数载流子是因本征激发产生，因而其浓度与掺杂无关，只与温度等激发因素有关。购线网 http://www.gooxian.com/

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本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 编辑 1.氧化（炉）（Oxidation）对硅半导体而言，只要在高于或等于1050℃的炉管中，如图2-3所示，通入氧气或水汽，自然可以将硅晶的表面予以氧化，生长所谓干氧层(dryz/gate oxide)或湿氧层(wet /field oxide)，当作电子组件电性绝缘或制程掩膜之用。氧化是半导体制程中，最干净、单纯的一种；这也是硅晶材料能够取得优势的特性之一（他种半导体，如砷化镓 GaAs，便无法用此法成长绝缘层，因为在550℃左右，砷化镓已解离释放出砷）硅氧化层耐得住850℃ ~ 1050℃的后续制程环境，系因为该氧化层是在前述更高的温度成长；不过每生长出1 微米厚的氧化层，硅晶表面也要消耗掉0.44微米的厚度。以下是氧化制程的一些要点： （1）氧化层的成长速率不是一直维持恒定的趋势，制程时间与成长厚度之重复性是较为重要之考量。 （2）后长的氧化层会穿透先前长的氧化层而堆积于上；换言之，氧化所需之氧或水汽，势必也要穿透先前成长的氧化层到硅质层。故要生长更厚的氧化层，遇到的阻碍也越大。一般而言，很少成长2微米以上之氧化层。 （3）干氧层主要用于制作金氧半（MOS）晶体管的载子信道（channel）；而湿氧层则用于其它较不严格讲究的电性阻绝或制程罩幕（masking）。前者厚度远小于后者，1000~ 1500埃已然足够。 （4）对不同晶面走向的晶圆而言，氧化速率有异：通常在相同成长温度、条件、及时间下，{111}厚度≥{110}厚度＞{100}厚度。 （5）导电性佳的硅晶氧化速率较快。 （6）适度加入氯化氢（HCl）氧化层质地较佳；但因容易腐蚀管路，已渐少用。 （7）氧化层厚度的量测，可分破坏性与非破坏性两类。破坏性量测是在光阻定义阻绝下，泡入缓冲过的氢氟酸（BOE，Buffered Oxide Etch，系 HF与NH4F以1：6的比例混合而成的腐蚀剂）将显露出来的氧化层去除，露出不沾水的硅晶表面，然后去掉光阻，利用表面深浅量测仪，得到有无氧化层之高度差，即其厚度。 （8）非破坏性的测厚法，以椭偏仪 (ellipsometer) 或是毫微仪（nano-spec）最为普遍及准确，前者能同时输出折射率(refractive index；用以评估薄膜品质之好坏)及起始厚度b与 跳阶厚度a (总厚度 t = ma + b)，实际厚度 (需确定m之整数值)，仍需与制程经验配合以判读之。后者则还必须事先知道折射率来反推厚度值。 （9）不同厚度的氧化层会显现不同的颜色，且有2000埃左右厚度即循环一次的特性。有经验者也可单凭颜色而判断出大约的氧化层厚度。不过若超过1.5微米以上的厚度时，氧化层颜色便渐不明显。 2.扩散（炉）（diffusion）1、扩散搀杂 半导体材料可搀杂n型或p型导电杂质来调变阻值，却不影响其机械物理性质的特点，是进一步创造出p-n接合面（p-n junction）、二极管（diode）、晶体管（transistor）、以至于集成电路（IC）世界之基础。而扩散是完成导电杂质搀染的初期重要制程。 众所周知，扩散即大自然之输送现象 (transport phenomena)；质量传输(mass transfer)、热传递(heat transfer)、与动量传输 (momentum transfer；即摩擦拖曳) 皆是自然的三种已知现象。杂质扩散即属于质量传输之一种，唯需要在850摄氏度以上的高温环境下，效应才够明显。 由于是扩散现象，杂质浓度C （concentration；每单位体积具有多少数目的导电杂质或载子）服从扩散方程式如下：？？？？？？？？？？？？？（方程式缺）这是一条抛物线型偏微分方程式，同时与扩散时间t及扩散深度x有关。换言之，在某扩散瞬间 (t固定)，杂质浓度会由最高浓度的表面位置，往深度方向作递减变化，而形成一随深度x变化的浓度曲线；另一方面，这条浓度曲线，却又随着扩散时间之增加而改变样式，往时间无穷大时，平坦一致的扩散浓度分布前进！既然是扩散微分方程式，不同的边界条件（boundary conditions）施予，会产生不同之浓度分布外形。固定表面浓度与固定表面搀杂量，是两种经常被讨论的具有解析精确解的扩散边界条件(参见图2-4)： 2、前扩散 (pre-deposition) 第一种定浓度边界条件的浓度解析解是所谓的互补误差函数，其对应之扩散步骤称为「前扩散」，即我们一般了解的扩散制程；当高温炉管升至工作温度后，把待扩散晶圆推入炉中，然后开始释放扩散源 (p型扩散源通常是固体呈晶圆状的氮化硼芯片，n型则为液态POCl3之加热蒸气) 进行扩散。其浓度剖面外形之特征是杂质集中在表面，表面浓度最高，并随深度迅速减低，或是说表面浓度梯度 (gradient) 值极高。 3、后驱入 (post drive-in) 第二种定搀杂量的边界条件，具有高斯分布 (Gaussian distribution) 的浓度解析解。对应之扩散处理程序叫做「后驱入」，即一般的高温退火程序；基本上只维持炉管的驱入工作温度，扩散源却不再释放。或问曰：定搀杂量的起始边界条件自何而来？答案是「前扩散」制程结果；盖先前「前扩散」制作出之杂质浓度集中于表面，可近似一定搀杂量的边界条件也！ 至于为什么扩散要分成此二类步骤，当然不是为了投数学解析之所好，而是因应阻值调变之需求。原来「前扩散」的杂质植入剂量很快达到饱和，即使拉长「前扩散」的时间，也无法大幅增加杂质植入剂量，换言之，电性上之电阻率特性很快趋稳定；但「后驱入」使表面浓度及梯度减低(因杂质由表面往深处扩散)，却又营造出再一次「前扩散」来增加杂质植入剂量的机会。所以，借着多次反复的「前扩散」与「后驱入」，既能调变电性上之电阻率特性，又可改变杂质电阻之有效截面积，故依大家熟知之电阻公式 ；其中 是电阻长度，可设计出所需导电区域之扩散程序。 4、扩散之其它要点，简述如下： (1)扩散制程有批次制作、成本低廉的好处，但在扩散区域边缘，有侧向扩散的误差，故限制其在次微米 (sub-micron) 制程上之应用。 (2)扩散之后的阻值量测，通常以四探针法（four-point probe method）行之，示意参见图2-5。目前市面已有多种商用机台可供选购。(3)扩散所需之图形定义（pattern）及遮掩（masking），通常以氧化层（oxide）充之，以抵挡高温之环境。一微米厚之氧化层，已足敷一般扩散制程之所需。 3.化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition；CVD) 到目前为止，只谈到以高温炉管来进行二氧化硅层之成长。至于其它如多晶硅 (poly-silicon)、氮化硅 (silicon-nitride)、钨或铜金属等薄膜材料，要如何成长堆栈至硅晶圆上？基本上仍是采用高温炉管，只是沿着不同的化学沉积过程，有着不同的工作温度、压力与反应气体，统称为「化学气相沉积」。 即是化学反应，故免不了「质量传输」与「化学反应」两部份机制。由于化学反应随温度呈指数函数之变化，故当高温时，迅速完成化学反应。换言之，整体沉积速率卡在质量传输 (diffusion-limited)；而此部份事实上随温度之变化，不像化学反应般敏感。所以对于化学气相沉积来说，如图2-11所示，提高制程温度，容易掌握沉积的速率或制程之重复性。 然而高制程温度有几项缺点： 1.高温制程环境所需电力成本较高。 2.安排顺序较后面的制程温度若高于前者，可能破坏已沉积之材料。 3.高温成长之薄膜，冷却至常温后，会产生因各基板与薄膜间热胀缩程度不同之残留应力 (residual stress)。 所以，低制程温度仍是化学气相沉积追求的目标之一，惟如此一来，在制程技术上面临之问题及难度也跟着提高。以下，按着化学气相沉积的研发历程，分别简介「常压化学气相沉积」、「低压化学气相沉积」、及「电浆辅助化学气相沉积」： 1、常压化学气相沉积 (Atmospheric Pressure CVD；APCVD) 最早研发的CVD系统，顾名思义是在一大气压环境下操作，设备外貌也与氧化炉管相类似。准备成长的材料化学蒸汽自炉管上游均匀流向硅晶，至于何以会沉积在硅晶表面，可简单地以边界层 (boundary layer) 理论作定性说明： 当具黏性的化学蒸汽水平吹拂过硅芯片时，硅芯片与炉管壁一样，都是固体边界，沿着靠近芯片表面约1mm的边界层内速度的大量变化(由边界层外缘之蒸汽速度减低到芯片表面之0速度)，会施予一拖曳外力，拖住化学蒸汽分子；同时，因为硅芯片表面温度高于边界层外缘之蒸汽温度，芯片将释出热量，来供给被拖住之化学蒸汽分子在芯片表面完成薄膜材质解离析出所需能量。所以基本上，化学气相沉积就是大自然「输送现象」(transport phenomena) 的应用。 常压化学气相沉积速度颇快，但成长薄膜的质地较为松散。另外，如果晶圆不采用水平摆放的方式 (太浪费空间)，薄膜之厚度均匀性 (thickness uniformity)不佳。 2、低压化学气相沉积 (Low Pressure CVD；LPCVD) 为进行50片或更多晶圆之批次量产，炉管内之晶圆势必要垂直密集地竖放于晶舟上，这明显产生沉积薄膜之厚度均匀性问题；因为平板边界层问题的假设已不合适，化学蒸汽在经过第一片晶圆后，黏性流场立即进入分离 (separation) 的状态，逆压力梯度 (reversed pressure gradient) 会将下游的化学蒸汽带回上游，而一团混乱。 在晶圆竖放于晶舟已不可免之情况下，降低化学蒸汽之环境压力，是一个解决厚度均匀性的可行之道。原来依定义黏性流特性之雷诺数观察，动力粘滞系数ν随降压而变小，如此一来雷诺数激增，而使化学蒸汽流动由层流 (laminar flow) 进入紊流 (turbulent flow)。有趣的是紊流不易分离，换言之，它是一种乱中有序之流动，故尽管化学蒸汽变得稀薄，使沉积速度变慢，但其经过数十片重重的晶圆后，仍无分离逆流的现象，而保有厚度均匀，甚至质地致密的优点。以800℃、1 torr（托；真空度单位）成长之LPCVD氮化硅薄膜而言，其质地极为坚硬耐磨，也极适合蚀刻掩膜之用 (沉积速度约20分钟0.1微米厚。)3、电浆辅助化学气相沉积 (Plasma Enhanced CVD；PECVD) 尽管LPCVD已解决厚度均匀的问题，但温度仍太高，沉积速度也不够快。为了先降低沉积温度，必须寻找另一能量来源，供化学沉积之用。由于低压对于厚度均匀性的必要性，开发低压环境的电浆能量辅助(电浆只能存在于10~0.001托下)，恰好补足低温环境下供能不足的毛病，甚至于辅助的电浆能量效应还高于温度之所施予，而使沉积速率高过LPCVD。以350℃、1 Torr成长之PECVD氮化硅薄膜而言，其耐磨之质地适合IC最后切割包装 (packaging) 前之保护层 (passivation layer) 使用 (沉积速度约5分钟0.1微米厚。) PECVD 与 RIE 两机台之运作原理极为相似，前者用电浆来辅助沉积，后者用电浆去执行蚀刻。不同之处在于使用不同的电浆气源，工作压力与温度也不相同。 4.洁净室 （clean room）一般的机械加工是不需要洁净室(clean room)的，因为加工分辨率在数十微米以上，远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位都是以微米计算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可能影响到其上精密导线布局的样式，造成电性短路或断路的严重后果。 为此，所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，这就是洁净室的来由。洁净室的洁净等级，有一公认的标准，以class 10为例，意谓在单位立方英寸的洁净室空间内，平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。所以class后头数字越小，洁净度越佳，当然其造价也越昂贵。为营造洁净室的环境，有专业的建造厂家，及其相关的技术与使用管理办法如下： 1、内部要保持大于一大气压的环境，以确保粉尘只出不进。所以需要大型鼓风机，将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。 2、为保持温度与湿度的恒定，大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。换言之，鼓风机加压多久，冷气空调也开多久。 3、所有气流方向均由上往下为主，尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配，使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。 4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。 5、所有人事物进出，都必须经过空气吹浴 (air shower) 的程序，将表面粉尘先行去除。 6、人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源，为此务必严格要求进出使用人员穿戴无尘衣，除了眼睛部位外，均需与外界隔绝接触 (在次微米制程技术的工厂内，工作人员几乎穿戴得像航天员一样。) 当然，化妆是在禁绝之内，铅笔等也禁止使用。 7、除了空气外，水的使用也只能限用去离子水 (DI water, de-ionized water)。一则防止水中粉粒污染晶圆，二则防止水中重金属离子，如钾、钠离子污染金氧半 (MOS) 晶体管结构之带电载子信道 (carrier channel)，影响半导体组件的工作特性。去离子水以电阻率 (resistively) 来定义好坏，一般要求至17.5MΩ-cm以上才算合格；为此需动用多重离子交换树脂、RO逆渗透、与UV紫外线杀菌等重重关卡，才能放行使用。由于去离子水是最佳的溶剂与清洁剂，其在半导体工业之使用量极为惊人！ 8、洁净室所有用得到的气源，包括吹干晶圆及机台空压所需要的，都得使用氮气 (98%)，吹干晶圆的氮气甚至要求99.8%以上的高纯氮！ 以上八点说明是最基本的要求，另还有污水处理、废气排放的环保问题，再需要大笔的建造与维护费用!

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半导体器件物理（胡正明）

写在前面：笔者主要学习软件，对硬件不是很了解，此篇主要是为了总结自己锁遇到的困惑。硬件知识主要是通过查阅网上资料总结，由于网上资源杂乱，可能会出现错误理解。如有错误，期待指正，避免误导大家，非常感谢 !!1、半导体元件与芯片的区别按照国际标准分类方式，在国际半导体的统计中，半导体产业只分成四种类型：集成电路，分立器件，传感器和光电子。所有的国际半导体贸易中都是分成这四类。上面说的...

新冠病毒对世界半导体影响全球疫情还在蔓延，根据2020年2月27日的疫情统计数据，韩国累计确诊感染者达到1595人，日本感染者达894人。一衣带水的日韩疫情凶猛，也牵动着全球半导体产业的脉搏，因为两个国家都处在半导体的关键地位。其中，韩国位于半导体技术俯冲带，在存储器、面板等领域投资力度巨大，日本是产业链上的核心技术节点，半导体材料、机械设备都首屈一指。 在以上领域中，大家更关注存储器以及上游材料的状况。而面板产业，中国产能更大，也有替代之选，生产设备上则有市占率更高的欧洲厂商可以选择。 目前日韩的半导体巨头三星、SK海力士等并未停工，都在运转中。短期来看，影响尚不明显，但是一旦疫情继续恶化，关键供应的短缺会为全球产业链带来巨大损失。 据记者了解，三星确诊的员工是在手机工厂，并且是试验线，员工并不多，对整体影响不大。三星电子则表示，公司在韩国的芯片和面板工厂未受影响。 日前，SK海力士位于韩国利川工厂的一名新员工曾与大邱市确诊病例有密切接触。SK海力士对外表示，该名员工核酸检查结果为“阴性”，为安全起见继续被隔离至3月1日。对于该员工所接触的800名人员都无条件地进行隔离。SK海力士在利川工厂拥有1.8万多名员工，工厂的运营不会受此影响，目前正常运营中。多位半导体业内人士向21世纪经济报道记者表示，现在日韩***干预力度没有那么大，工厂都是正常开工，需要保持动态跟踪。 存储器价格小幅上涨 有手机从业者曾告诉记者，存储已经超过屏幕、CPU，成为手机最大的成本，存储在手机中的成本达到25%-35%，可见其重要性。而三星、SK海力士均在存储器领域占据垄断地位。 根据集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）调查显示，从2019年第四季度全球NAND品牌厂商营收来看，三星排名第一，市场份额达到35.5%；SK海力士排名第六，市场份额为9.6%。2019年第四季度全球DRAM厂自有品牌内存营收排名中，三星位居第一，市场份额43.5%，SK海力士为第二名，市场份额29.2%。 整体来看，NAND领域，三星加上SK海力士，韩系厂商市占比为45.1%，接近半壁江山；在DRAM领域，三星和SK的占比高达72.7%。 其中，三星除了韩国有工厂外，在中国西安也有建厂，扩产时程因疫情影响存有隐忧，但目前仍按原本规划进行；SK海力士在中国无锡设有工厂，受到中美贸易战以及疫情的影响，投片规划倾向保守。此外，NAND大厂铠侠和西部数据，在日本岩手县和三重县均有工厂，也受到疫情影响。 集邦咨询分析师吴雅婷回复21世纪经济报道记者称，因内存工厂高度自动化，目前生产上并没有受到疫情影响。至于需求面，受疫情影响，笔记本电脑以及智能手机已经有比较明显的出货下修；但不管是DRAM还是NAND Flash，目前都是即将要转为供货吃紧的市况，但是采购端的购货意愿还是很强。 需要指出的是，半导体产业生产基本全年无休，其制程特殊，一旦停止就会产生重大损失，所以工厂不会轻易地停产或者减少产能。从去年年末开始，存储器供需就在发生变化，疫情影响叠加下，或会进一步导致紧缺，存储器的价格将迎来上涨。 集邦咨询指出，从全球供给端来看，存储器产业的特性是除非遇到全球系统性风险，否则厂商不会贸然减产，加上客户端库存仍然不足，即便下游客户现阶段面临缺工、缺料的问题，但仍会维持一定采购力；加上半导体工厂大多已经高度自动化，人力需求不高。因此，集邦咨询预估第一季DRAM与NAND Flash价格维持小幅上涨的态势。 另一方面，业内也关注国内存储器企业的替代，最有代表性的是长江存储、合肥长鑫、晋华存储。目前，长江存储宣布，公司已开始量产3D NAND闪存，这也是中国首款64层3D NAND闪存。据长鑫存储官网消息，新列出的长鑫笔记本和台式机内存，容量都是8GB，速率都是DDR4-2666，公司还计划建造另外两座晶圆厂。 两家公司在NAND、DRAM领域有了突破，但是国内存储产业仍处在追赶阶段，和国际大厂差距较大，还需要长时间的积累。芯片失效分析实验室介绍，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。 不少材料产品不可替代 目前日本在工厂方面没有疫情披露，但是日本在半导体上游地位超然，如果疫情导致了原材料断供，无疑对全球、中国半导体事业都是重创。 半导体生产工艺主要分为设计、制造、封测三大环节，在后两个环节中，就需要关键设备和材料，它们也是保障芯片顺利生产的上游基石。 而日本的硬核能力就是在上游的原材料和硬件设备上，众多技术门槛非常高，尤其是材料方面，不少日本企业的产品不可替代。 根据IC Insights公布的2018年全球半导体产值数据计算，半导体材料约为总产值的11%，设备约为12%。两者相加为23%，占半导体产业的四分之一左右。 虽然材料和设备的整体体量不算大，但高壁垒使得玩家极少，且高玩和普通玩家差距很大，日本就是高玩选手。在原材料领域中，日本企业，在全球半导体材料市场上占据了半壁江山。 例如，在材料中成本占比最高的硅片领域（超过30%），日本信越化学一骑绝尘，市场份额第一，随后为日本 SUMCO（三菱住友）、中国***环球晶圆、德国 Siltronic、韩国的SK 海力士。西南证券报告显示，2018年，前四大硅片供货商的全球市占率达到了94%，其中日本信越化学占比28%，日本三菱住友占比25%。 在光刻胶领域，日本JSR、东京应化工业、住友化学、美国陶氏、富士电子等企业垄断；在靶材领域，日本的日矿金属、霍尼韦尔、东曹、普莱克斯占据了大部分市场。 此外，日本的知名半导体材料供应商还包括住友化学、昭和电工、 DAIKIN 工业、 Stella Chemifa、森田化工、日本凸版印刷株式会社等等。 设备供应商方面，全球五大设备巨头之一的东京电子就是日本企业，在技术桂冠光刻机方面，日本尼康和佳能可以生产，虽然制程和市场份额比不上荷兰的ASML。 在最强劲的材料和设备之外，日本的芯片供应商在细分领域亦有建树。比如瑞萨电子是全球排名前三的车用半导体厂商，今年以67亿美元完成了对芯片商IDT的收购。索尼虽面临架构整合、工厂关闭等问题，但是仅CMOS传感器芯片一项，就在影像拍摄领域制霸。 以上这些领域中，不论中国国内还是别国，都很少有完备的产业链来进行替代。国泰君安证券的报告也指出，电子行业方面，代工制造和封测的材料领域，日本企业占据了绝对的优势。日本企业在材料研发方面深耕多年，在技术上达到了炉火纯青的地步，在硅晶圆材料、光罩、靶材等重要的细分子领域，日本企业所占份额都多达50％以上。中国目前还没有能够在这个领域实现较大突破。 对比中国来看，韩国和日本的半导体产业链聚焦在中上游，智力密集度更高，相对来说人工密集度低一些，抗疫情能力强一些。但是依旧不能忽视疫情爆发带来的风险，如果进一步加剧，产业链将受到冲击。

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集成电路是一种微型电子器件或部件，它是采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路，是20世纪50年代后期到60年代发展起来的一种新型半导体器件。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，它在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。集成电路是一种微型电子器件或部件，采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有

Describes how to use the 4280A to make semiconductor CV measurements, Ct measurements, perform Zerbst analysis, and determine doping profiles. [App Note 322]

**1、半导体死区电压概念**首先我们先从半导体开始了解下，半导体的死区电压概念：死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压，硅管约0.5V，锗管约0.1V。（硅和锗是制造晶体管最常用的两种半导体材料，硅管较多，锗管较少）也就是我们在二极管整流得时候理想是，整个周期都是导通的，但是由于死区电压的存在，实际上并不是全部导通的，当半导体电压

近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类（吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代半导体、扬州杨杰等）；模块类（嘉兴斯达、南京银茂、中车永电、西安卫光、湖北台基、宁波达新等）；设计类（青岛佳恩、无锡紫光、上海陆芯、浙江天毅、深圳芯能、成都森未等）；代工类（上海华虹、芜湖启迪、深圳方正微、中芯集成电路等）；测试类（***冠魁、绍兴宏邦、西安易恩、杭州可靠性仪器厂、陕西三海、西安庆云等）；随着半导体功率器

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半导体光刻蚀工艺

关于元器件材料方面的知识

栅电荷，反向恢复时间，开关时间测试方法，LX9600

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：半导体行业的湿化学分析——总览编号：JFSJ-21-075作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html对液体和溶液进行分析以获得有关半导体材料、工艺和集成电路生产环境的信息在半导体工业中被称为湿化学。尽管湿法自 50 年代后期以来已在该行业中使用，但对这些技术仍然知之甚少。然而，在行业努力保持良好的质量控制、提高产量和帮助了解污染源的过程中，使用了超过 120 个程序来获取特定信息。这些程序涵盖超纯水、化学品、薄膜和晶片清洁度。此外，它们还用于评估反应器、洁净室和用于洁净室、湿工作台和反应器的各种组件的清洁度。本文将全面介绍湿化学工艺的应用以及从这些分析技术中获得的数据的有用性。这篇论文不仅将涵盖人们期望通过湿法进行的那些测试，例如化学品中的金属分析，还将涵盖湿化学分析的许多不寻常应用，例如它们在评估来自各种反应器的产品中的有用性。人们更容易接受湿分析程序可用于测量制造的湿侧使用的材料，例如超纯水、化学品和湿工作台。然而，正如我们将要展示的，湿法在分析处理过的晶片、薄膜、反应器、洁净室和各种组件时也非常有用。使用湿化学方法进行测量有许多优点 当需要低水平特定的反应时，例如过程评估和过程控制：文章全部详情，请加V获取：hlknch / xzl1019l 湿化学测量是主要的，很容易追溯到标准（即 NIST），因此是绝对定量的。l 人们可以精确地复制一个矩阵，从而确定矩阵何时以及如何引起干扰，从而确定 fMse 数据。l 可以轻松进行回收率研究以验证该方法。l 由于这些程序给出了准确的结果，因此可以比较一段时间内的数据并查看处理过程中的基线变化或变化。l 湿化学分析对以下物质异常敏感 如有侵权，请联系作者删除

*附件：BS32F030XX_入门开发指南_V1.0.1_20221220.pdf

意法半导体的STM32 F0系列 MCU集实时性能、低功耗运算和STM32平台的先进架构及外设于一身。STM32F0x0超值系列微控制器在传统8位和16位市场极具竞争力，并可使用户免于不同架构平台迁徙和相关开发带来的额外工作。STM32F0x1系列MCU实现了高度的功能集成，提供多种存储容量和封装的选择，为成本敏感型应用带来了更加灵活的选择。STM32F0x2系列微控制器通过无晶振USB 2.0和CAN总线接口提供了丰富的通信接口，使它成为通信网关、智能能源器件或游戏终端的理想选择。工作电压为1.8V ±8%的STM32F0x8系列MCU非常适合用于智能电话、配件及多媒体设备等便携式消费类应用。且STM32 F0系列MCU提供多种封装类型，适合各种应用和市场。

1. 答：半导体多路开关的特点是：(答5条即可)(1)采用标准的双列直插式结构，尺寸小，便于安排；(2)直接与TTL(或CMOS)电平相兼容；(3)内部带有通道选择译码器，使用方便；(4)可采用正或负双极性输入；(5)转换速度快，通常其导通或关断时间在1ms左右，有些产品已达到几十到几百纳秒(ns)；(6)寿命长，无机械磨损；(7)接通电阻低，一般小于100W，有的可达几欧姆；(8)断开电阻高，通...

1、半导体元件与芯片的区别按照国际标准分类方式，在国际半导体的统计中，半导体产业只分成四种类型：集成电路，分立器件，传感器和光电子。所有的国际半导体贸易中都是分成这四类。上面说的这四类可以统称为半导体元件。其中集成电路（Integrated Circuit, 简称IC），又叫做芯片（chip），所以说集成电路，IC，芯片，chip这四个名字都是指一个东西。但是，在我们通常的新闻中，没有分的这么清楚，他们会把半导体元件统统叫做集成电路（比如也会把分立器件也叫做IC,芯片），所以大家要根据前后文的意

`]　　器件前缀一般是代表器件比较大的系列，比如逻辑IC中的74LS系列代表低功耗肖特基逻辑IC，74ASL系列代表先进的低功耗肖特基逻辑]　　忽略前缀的现象一般稍少一点，但是忽略后缀的情况就比较多了。一般来说，后缀有以下这些用处：<span]　　1、]　　比如，拿MAXIM公司的复位芯片MAX706来说，同样是706，但是有几种阀值电压，比如MAX706S的阀值电压为2.93V，MAX706T的阀值电压为3.08V，这里的后缀“S”和“T”就代表不同的阀值电压。<span]　　2、]　　比如TI公司的基准电压芯片TL431，TL431C代表器件的工作温度是0度至70度(民用级)，TL431I代表器件的工作温度是-40度至85度(工业级)，其中后缀“C”和“I”就代表不同的工作温度。<span]　　3、]　　比如TI公司的基准电压芯片TL431，TL431CP代表的是PDIP封装，TL431CD代表的是SOIC封装，其中后缀“P”和“D”代表的就是不同封装(“C”代表温度，在上面已经解释)。<span]　　4、区分订货包装方式<span]　　比如，TI公司的基准电压芯片TL431]　　5、区分有铅和无铅<span]　　比如，ON公司的比较器芯片LM393D(“D”表示是SOIC封装)，如果要用无铅型号，必须按LM393DG下单，这里的后缀“G”就表示无铅型号，没这个后缀就是有铅型号。<span]　　后缀可能还有其他特殊的用处，总之，后缀的信息不能省略，否则买回来的可能就不是你想要的物料。<span]　　不同的公司的前缀和后缀可能是不同的(也有少数公司的一些前缀后缀一致)，这需要参考实际选用厂家的具体情况。<span]AO-Electronics 傲壹电子`

利用SMU(Source measurement unit)供应电压或电流，验证与量测半导体组件特性(Diode I-V Curve、MOSFET特性曲线等)。 iST宜特检测可协助验证及量测半导体电子组件的参数与特性，如电容-电压特性曲线、电压-电流(IV)、电阻、电容、电感值量测或信号波形等，藉此了解组件的故障行为，以利后续的分析动作。

该资料是一漫画的形式讲解半导体，画风不错，个人感觉可以在一定程度上解决单纯学半导体给我们带来的枯燥感，增加学习兴趣，自然学习效率就会提升。有兴趣的可以下载看看。注：由于文件有点大，分成了4部分，需要全部下载后才能解压。

摘要：半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件。其工作原理是，通过一定的激励方式，在半导体物质的能带（导带与价带）之问，或者半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒、子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。

半导体材料市场构成：在半导体材料市场构成方面，大硅片占比最大，占比为32.9%。其次为气体，占比为14.1%，光掩膜排名第三，占比 为12.6%，其后：分别为抛光液和抛光垫、光刻胶配套试剂、光刻胶、湿化学品、建设靶材，比分别为7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:45 编辑 <p><strong> <font face="Verdana">半导体物理基础知识</font>下载</strong><br/></p><p><br/>

LED是一种半导体器件，大家其实对LED并不陌生，各种电器的指示灯、手机键盘灯、LED液晶屏的背光、高亮LED手电筒等，都是通过LED发光的。LED有两种主要用途，一种是作为指示灯；另一种是照明。照明用的LED一般都是大功率LED，需要较大的电压电流才能正常工作。而这里我们要用到的则是用作指示灯的小功率LED。常见的小功率LED，在它的正负极加上3V左右的电压，就会发光，正常发光的时候，电流大概是2~5mA。这里要注意，LED有正负极之分，接反了不会发光。另外，电压也不可太高，那样会烧坏LED。/****

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KIA半导体MOS管具备挺大的核心竞争力，是开关电源生产厂家的最好的选择。KIA半导体 MOS管厂家主要研发、生产、经营：场效应管（MOS管）、COOL MOS（超结场效应管）、三端稳压管、快恢复二极管；广泛应用于逆变器、锂电池保护板、电动车控制器、HID车灯、LED灯、无刷电机、矿机电源、工业电源、适配器、3D打印机等领域；可申请样品及报价和有技术支持，有什么问题有技术员帮忙解决问题！MOS管选型最近在推MOS管的过程中，遇到一些问题，最主要的是一个品牌交换参数的对应问题，很多时分我们只关注了电流电压

1) Acetone 丙酮丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3性质：无色，具剌激性薄荷臭味的液体用途：在FAB内的用途，主要在于黄光室内正光阻的清洗、擦拭毒性：对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤粘膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量的丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。允许浓度：1000ppm2) Active Area 主动区域MOS核心区域，即源，汲，闸极区域3) AEI蚀刻后检查（1） AEI 即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前和光阻去除后，分别对产品实施主检或抽样检查。（2） AEI的目的有四： 提高产品良率，避免不良品外流。 达到品质的一致性和制程的重复性。 显示制程能力的指标。 防止异常扩大，节省成本（3） 通常AEI检查出来的不良品，非必要时很少做修改。因为除去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加。生产成本增高，以及良率降低的缺点。4） Al-Cu-Si 铝硅铜金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为Target，其成份为0.5%铜，1%硅及98.5%铝，一般制程通常是使用99%铝 1%硅．后来为了金属电荷迁移现象(Electromigration) 故渗加0.5%铜降低金属电荷迁移5） Alkaline Ions 碱金属雕子如Na+，K+，破坏氧化层完整性，增加漏电密度，减小少子寿命，引起移动电荷，影响器件稳定性。其主要来源是：炉管的石英材料，制程气体及光阻等不纯物。6） Alloy 合金半导体制程在蚀刻出金属连线后，必须加强Al与SiO2间interface的紧密度，故进行Alloy步骤，以450℃作用30min，增加Al与Si的紧密程度，防止Al层的剥落及减少欧姆接触的电阻值，使RC的值尽量减少。7） Aluminum 铝一种金属元素，质地坚韧而轻，有延展性，容易导电。普遍用于半导体器件间的金属连线，但因其易引起spike及Electromigration，故实际中会在其中加入适量的Cu或Si8） Anneal 回火又称退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火。a) 激活杂质：使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置，以便具有电活性，产生自由载流子，起到杂质的作用。b) 消除损伤：离子植入后回火是为了修复因高能加速的离子直接打入芯片而产生的损毁区（进入底材中的离子行进中将硅原子撞离原来的晶格位置，致使晶体的特性改变）。而这种损毁区，经过回火的热处理后即可复原。这种热处理的回火功能可利用其温度、时间差异来控制全部或局部的活化植入离子的功能c) 氧化制程中的回火主要是为了降低界面态电荷，降低SiO2的晶格结构退火方式：Ø 炉退火Ø 快速退火：脉冲激光法、扫描电子束、连续波激光、非相干宽带频光源(如卤光灯、电弧灯、石墨加热器、红外设备等)9） Angstrom 埃(Å)是一个长度单位，1Å=10-10米,其大小为1公尺的佰亿分之一，约人的头发宽度的伍拾万分之一。此单位常用于IC制程上，表示膜层(如SiO2，POLY，SIN‥)厚度时用10） Argon 氩气11） Arc Chamber 弧光反应室弧光反应室,事实上就是一个直流式的电浆产生器。因为所操作的电流－对－电压的区域是在弧光电浆内。 12） APM( Ammonia , hydrogen-Peroxide Mixing )又称 SC-1 ( Standard Cleaning solution - 1 )主要化学试剂是NH4OH/H2O2/D.I .water,常用比率为1：1：6。能有效去处除无机颗粒，有机沉淀及若干金属玷污，去除颗粒能力随NH4OH增加而增加。13） Backing Pump 辅抽泵在高真空系统中，要想很快建立我们所需的高真空，单纯靠高真空泵是不行的（因高真空泵启动时系统必须已经在低真空条件下），所以我们在系统中加入一个辅抽泵（如油泵）,先对系统建立初真空，再由高真空泵对系统建立高真空。14） Bake, Soft bake, Hard bake烘培、软烤、预烤烘烤（Bake）:在集成电路芯片的制造过程中，将芯片置于稍高温(60ºC~250ºC)的烘箱或热板上均可谓之烘烤。随其目的不同，可区分为软烤(Soft bake)与预烤(Hard bake)。软烤(Soft bake) :其使用时机是在上完光阻后，主要目的是为了将光阻中的溶剂蒸发去除，并且可增加光阻与芯片的附着力。预烤(Hard bake):又称为蚀刻前烘烤(pre-etch bake)，主要目的为去除水气，增加光阻附着性，尤其在湿蚀刻(wet etching)更为重要，预烤不完全常会造成过蚀刻。15） Barrier Layer 阻障层为了防止铝合金与硅的的接触界面发生尖峰（spiking）现象，并降低彼此的接触电阻，在铝合金与硅之间加入一层称为阻障层的导体材料，常见的有Ti/TiN及TiW。16） BB ：Bird's Beak 鸟嘴 在用Si3N4作为掩膜制作field oxide时，在Si3N4覆盖区的边缘，由于氧或水气会透过Pad Oxide Layer扩散至Si-Substrate表面而形成SiO2，因此Si3N4边缘向内会产生一个鸟嘴状的氧化层，即所谓的Bird's Beak。其大小与坡度可由改变Si3N4与Pad Oxide的厚度比及Field Oxidation的温度与厚度来控制 17） Boat 晶舟Boat原意是单木舟。在半导体IC制造过程中，常需要用一种工具作芯片传送及加工，这种承载芯片的工具，我们称之为Boat。一般Boat有两种材质，一是石英（Quartz），另一碳化硅（SiC）。SiC Boat用在温度较高(Drive in)及LPSiN的场合。18） BOE(Buffer Oxide Etching)B. O. E.是HF与NH4F依不同比例混合而成。6:1 BOE蚀刻即表示HF: NH4F =l:6的成份混合而成。HF为主要的蚀刻液，NH4F则做为缓冲剂使用。利用NH4F固定[H']的浓度，使之保持一定的蚀刻率。 HF会侵蚀玻璃及任何硅石的物质，对皮肤有强烈的腐蚀性，不小心被溅到，应用大量冲洗。19） Boundary Layer 边界层假设流体在芯片表面流速为零，则流体在层流区及芯片表面将有一个流速梯度存在，称为边界层（Boundary Layer）20） BPSG(boron-phosphor-silicate-glass)BPSG : 为硼磷硅玻璃，含有B,P元素的SiO2 , 加入B,P可以降低Flow 温度，并且P吸附一些杂质离子，流动性比较好，作为ILD的平坦化介质。 21） Breakdown Voltage 崩溃电压22） Buffer Layer 缓冲层 通常此层沉积于两个热膨胀系数相差较大的两层之间,缓冲两者因直接接触而产生的应力作用。我们制程最常见的缓冲层即SiO2，它用来缓冲SiN4与Si直接接触产生的应力，从而提升Si3N4对Si表面附着能力23） C1 cleanClean的一种制程，它包括DHF(稀释HF)---APM(NH4OH-H2O2-H2O mixed)---HPM (HCl-H2O2-H2O mixed)24) Burn in预烧试验「预烧」(Burn in)为可靠性测试的一种，旨在检验出那些在使用初期即损坏的产品，而在出货前予以剔除。 预烧试验的作法，乃是将组件(产品)置于高温的环境下，加上指定的正向或反向的直流电压，如此残留在晶粒上氧化层与金属层的外来杂质离子或腐蚀性离子将容易游离而使故障模式(Failure Mode)提早显现出来，达到筛选、剔除「早期夭折」产品的目的。预烧试验分为「静态预烧」(Static Burn in)与「动态预烧」(Dynamic Burn in)两种，前者在试验时，只在组件上加上额定的工作电压及消耗额定的功率。而后者除此外并有仿真实际工作情况的讯号输入，故较接近实际况，也较严格。基本上，每一批产品在出货前，皆须作百分之百的预烧试验，但由于成本及交货期等因素，有些产品就只作抽样 (部分)的预烧试验，通过后才货。另外，对于一些我们认为它品质够稳定且够水准的产品，亦可以抽样的方式进行。当然，具有高信赖度的产品，皆须通过百分之百的预烧试验25) Carrier Gas 载气用以携带一定制程反应物（液体或气体）进反应室的气体，例如用N2携带液态TEOS进炉管，N2即可称为载气。26) Chamber真空室，反应室专指一密闭的空间，而有特殊的用途、诸如抽真空，气体反应或金属溅镀等。因此常需对此空间的种种外在或内在环境加以控制；例如外在粒子数(particle)、湿度等及内在温度、压力、气逞流量、粒子数等达到最佳的反应条件。27) Channel 通道 ; 缝道当在MOS的闸极加上电压（PMOS为负，NMOS为正）。则闸极下的电子或电洞会被其电场所吸引或排斥而使闸极下的区域形成一反转层(Inversion layer)。也就是其下的半导体p-type变成N-type Si，N-type变成p-type Si，而与源极和汲极成同type ，故能导通汲极和源极。我们就称此反转层为"通道"。信道的长度"Channel Length"对MOS组件的参数有着极重要的影响，故我们对POLY CD的控制需要非常谨慎28) Channel Stop Implantation 通道阻绝植入在集成电路中，各电晶体彼此间则以场氧化层（FOX）加以隔离的，因为场氧化层上方常有金属导线通过，为了防止金属层，场氧化层，底材硅产生类似 NMOS 的电容效应，场氧化层下方的区域常掺有掺质浓度很高的P型层，以防止类似 NMOS 的反转层在场氧化层下发生，而破坏电晶体间的隔离。这层P型层通常称为“Channel Stop”,这层掺质是以离子植入（Implantation）的方式完成的，所以称为 通道阻绝植入。29) Chemical Mechanical Polishing 化学机械研磨法 随着用以隔离之用的场氧化层（FOX）,CMOS电晶体，金属层及介电层等构成IC的各个结构在芯片上建立之后，芯片的表面也将随之变得上下凸凹不平坦，致使后续制程变得更加困难。而传统半导体制程用以执行芯片表面平坦化的技术，以介电层SiO2的平坦为例，计有高温热流法、各种回蚀技术及旋涂式玻璃法。当VLSI的制程推进到0.35以下后，以上这些技术已不能满足制程需求，故而也就产生了CMP制程。所谓CPM就是利用在表面布满研磨颗粒的研磨垫（polishing pad），对凸凹不平的晶体表面，藉由化学助剂（reagent）的辅助，以化学反应和机械式研磨等双重的加工动作，来进行其表面平坦化的处理。30) Charge Trapping 电荷陷入无特定分布位置，主要是因为MOS操作时产生的电子或电洞被氧化层内的杂质或不饱和键所捕陷造成。可以通过适当的回火来降低其浓度。31) Chemical Vapor Deposition 化学气相沉积参与反应的气体从反应器的主气流里藉着反应气体在主气流及芯片表面的浓度差，以扩散的方式经过边界层传递到芯片的表面。反应物在表面相会后藉着芯片表面提供的能量，沉积反应发生。反应完成后，反应的副产物及未参与反应的反应气体从芯片表面吸解并进入边界层，最后进入主气流并被抽气装置抽离 32) Chip, Die晶粒一片芯片(OR晶圆，即Wafer)上有许多相同的方形小单位，这些小单位即称为晶粒。同一芯片上的每个晶粒都是相同的构造，具有相同的功能，每个晶粒经包装后，可制成一颗颗我们日常生活中常见的IC，故每一芯片所能制造出的IC数量是很可观的。同样地，如果因制造的疏忽而产生的缺点，往住就会波及成百成千个产品。33) Clean Room 洁净室又称无尘室。半导体加工的环境是高净化空间，恒温恒湿，对微粒要求非常高。常用class表示等级（class 1即一立方米直径大于0.5微米的微粒只有一颗）。34) CMOS （Complementary Metal Oxide Semiconductor 互补式金氧半导体）金属氧化膜半导体(MOS,Metal-Oxide Semicoductor)其制造程序及先在单晶硅上形成绝缘氧化膜，再沉积一层复晶硅(或金属)做为闸极，利用加到闸极的电场来控制MOS组件的开关(导电或不导电)。按照导电载子的种类，MOS又可分成两种类型:NMOS(由电子导电)和PMOS(由电洞导电)。而互补式金氧半导体(CMOS, Complementary MOS）则是由NMOS及PMOS组合而成，具有省电，抗噪声能力强、α一Particle免役力好等许多优点，是超大规模集成电路(VLSI)的主流。 35) CDA（Compressed Dry Air ）压缩干燥空气通常指压力在60到110psi之间的空气，作为控气动阀的领气阀的气体源。36) Compressive Stress 挤压应力37) Compressor 压缩机将空气压缩形成高压气体的设备。38) Contaminant 污染物39) Constant-Surface-Concentration Diffusion恒定源: 通常杂质在半导体高温扩散有两种方式:Constant-Surface-Concentration Diffusion(恒定源扩散):The vapor source maintains a constant level of surface concentration during the entire Diffusion period (like POCl3 dope) 这个扩散模式，是假设离子在界面上所具备的浓度，并不随扩散的进行而改变。且一直为一个定值所建立。换句话说，不管离子的扩散持续多久，离子在界面上的浓度将维持在一个定值下。Constant-Total-Dopant Diffusion(限定源扩散): A fixed amount of dopant is deposited into the semiconductor surface in thin layer ,and the dopant subsequently diffuse into the semiconductor (like ion implantation, drive in)40) Crack 龟裂( 或裂痕 )41) CROSS Section横截面IC的制造，基本上是由一层一层的图案堆积上去，而为了了解堆积图案的结构，以改善制程，或解决制程问题，以电子显微镜(SEM)来观察，而切割横截面，观察横截面的方式，是其中较为普遍的一种。42) Cryogenic Pump 低温泵将一个表面温度降到极低，甚至结近绝对零度时，与这个表面相接触的气体分子，将会产生相变化，而凝结在低温表面上，称为低温凝结。还有一些气体虽然不能凝结，但与低温表面接触后，将因为表面与分子间的凡得瓦力（Van der Waals Force）而吸附在低温表面上，且活动性大减，称为低温吸附，Cryogenic Pump 就是利用低温凝结和低温吸附的原理，将气体分子从容器里排出，以达到降低容器压力的目的。 Cryo pump原理:是利用吸附原理而工作： Cryo pump为高真空pump，应该和低真空pump配合使用，工作前真空度应该达到10-2mbar,否则无法工作。当吸附气体饱和后，要做regen,即将高温N2通入使凝结的气体释放而排出pump。入口处挡片吸附水泡，里面的特殊气体吸附（成液态状） 43) Curing 固化当以SOG 来做介电层和平坦化的技术时，由于SOG 是一种由溶剂与含有介电材质的材料，经混合而形成的一种液态介电材料，以旋涂（Spin-on Coating）的方式涂布在芯片的表面，必须经过热处理来趋离SOG本身所含的溶剂，称之为Curing.44) Cycle Time生产周期时间指原料由投入生产线到产品于生产线产出所须的生产/制造时间。在TI-Acer，生产周期时尚两种解释 : 一为"芯片产出周期时间"（wafer-out time）；一为"制程周期时间" (Process cycle time)"芯片产出周期时间"乃指单一批号的芯片由投入到产出所须的生产/制造时间。"制程周期时间"则指所有芯片于单一工站平均生产/制造时间的总和，亦即每一工站均有一平均生产/制造时间，而各工站(从头至尾)平均生产/制造的加总即为该制程的制程周期时间。目前TI-Acer Line Report的生产周期时间乃探用"制程周期时间"。 一般而言，生产周期时间可以下列公式概略推算之： 在制品（WIP）生产周期时间＝产能（Throughout）45) CV Shift: 利用量测MOS电晶体在不同条件下的电容－电压关系曲线，来评估MOS氧化层品质的一种技术。一般要求CV Shift|Vt|时，处于“开（ON）”的状态，且当|Vg|

除晶圆代工厂在加大投入外，封测企业在近期也纷纷传出了扩产的消息。就目前封测市场来看，封测行业市场主要集中于中国***（54％）、美国（17％）和中国大陆（12%），中国***方面有日月光、京元电以及力成；美国方面有安靠（Amkor）；中国则有长电科技、通富微电、天水华天。 根据目前市场消息来看，2020年5G手机将会出现在市场当中。而5G手机中将用到的毫米波天线模块封测的需求将被释放出来。因此，有业内人员认为，天线封装（AiP）与测试成为全球先进封测从业者重心之一。2018年下半，日月光高雄厂已经砸下重金建构两座专门针对5G毫米波高频天线、射频元件特性封测的整体量测环境。另据经济日报消息显示，苹果将于今年下半年推出的新款5G规格iPhone，初期将采用5G毫米波的封装技术，可望贡献日月光约一成的营收成长动能。此外，日月光也将于今年扩充其K25 厂，日月光K25于2018年4动工，总投资金额达新台币125亿元，预计2020年完工。日月光表示，K25厂房是日月光推动的5年6厂投资计划之一，将专攻高端的3C、通信、车用、消费性电子、以及绘图芯片等应用领域。 中国***另外两座封测厂，京元电和力成在2020年也会有新的工厂落成。其中，京元电铜锣三厂已经开始设备安装调试，预计2020年首季完工启用，主要以自行开发的测试设备为主，未来新厂依不同测试平台需求，预期可增设800～1000台测试设备。据悉，其自研的测试设备可用于各种SOC产品、记忆体产品、CIS感测元件、面板驱动IC、射频元件、功率管理元件和混合讯号产品。目前，其来自自研测试设备的营收已逾集团合并营收总额的20％以上。此外，力成的竹科三厂总投资金额达新台币500亿元，预计2020年上半年完工、同年下半年装机量产。竹科三厂将成为全球首座面板级扇出型封装制程的量产基地，预期月产能将可达约5万片，约与15万片12吋晶圆相当。 此外，先进封装的新进玩家台积电方面也传出了新厂消息。据相关报道显示，2019年11月台积电竹南先进封测厂通过环评，并将在2020年上半年开工建设，投资约700亿新台币。预计竹南厂未来将以 3D IC 封装及测试产能为主，提供主要客户利用封装完成异构芯片整合。 美国封测方面，在Amkor 2019年Q4季度的财报中，Amkor曾表示，在2019年中他们许多先进技术都迁移到了新的大批量市场中。一个例子就是Amkor的高级SiP技术，该技术现在在消费类和汽车市场上已经站稳了脚跟。另一个例子是，Amkor的晶圆级扇出技术现已部署在汽车雷达以及智能手机应用中。在投资方面，Amkor计划在2020年支出的5.5亿美元中，其中，60％以上将用于扩大高级封装产能（晶圆级，倒装芯片产品的高级系统和封装）。另外，公司还计划将超过30％的资金用于设备的质量改善和研发上。其余部分将用于引线键合封装产能的扩张。 中国大陆方面的封测厂商也有了扩产的需求。长电科技于今年1月举行了公司第七届董事会第四次临时会议，并逐项审议通过了《关于公司2020年度投资事项的议案》。其中一项议案就是终止子公司星科金朋半导体(江阴)有限公司在江阴综合保税区建设集成电路测试厂的议案。公告显示，为减少投资损失，长电科技拟终止本投资项目，不再建设该测试厂房，由***收储已购两块土地，并注销JSCT。 此外，在本次会议中，长电科技还讨论了2020年度固定资产投资计划的议案，公司计划在2020年进行30亿元的资本开支，其中为重点客户扩产14.3亿元，其他产能扩充及产线维护优化15.7亿元。按照长电科技2019年的投资计划来看，长电科技主要的扩产项目就包括了宿迁厂区。根据芯思想研究院的消息显示，长电科技宿迁集成电路封测项目二期生产厂房顺利结顶，预计于2020年4月份即可完整交付使用。据悉，宿迁厂以脚数较低的IC和功率器件为主，低成本是其竞争优势。首期将建设厂房21.7万平米，以及年产100亿块通信用高密度混合集成电路和模块封装产品线。 通富微在近日也披露定增预案。根据通富微发布的公告显示，公司拟定增不超40亿元，布局5G、汽车、处理器等领域。扣除发行费用后资金将全部投向集成电路封装测试二期工程、车载品智能封装测试中心建设、高性能中央处理器等集成电路封装测试项目，以及补充流动资金及偿还银行贷款。预案显示，“集成电路封装测试二期工程”总投资25.8亿元，募集资金投入14.5亿元。项目建成后，形成年产集成电路产品12亿块、晶圆级封装8.4万片的生产能力。“车载品智能封装测试中心建设”总投资11.80亿元，募集资金投入10.30亿元。项目建成后，年新增车载品封装测试16亿块的生产能力。“高性能中央处理器等集成电路封装测试项目”总投资6.28亿元，募集资金投入5亿元。项目建成后，形成年封测中高端集成电路产品4420万块的生产能力。 天水华天方面，据相关报道显示，天水华天耗资近20亿元，分别在天水、西安以及昆山扩大规模项目。昆山布局先进封装，主营晶圆级高端封装，订单量最大的是CIS封装。同时在南京建厂项目总投资80亿元，分三期建设，主要进行存储器、MEMS、人工智能等集成电路产品的封装测试。 2019年12月，晶方科技发布《非公开发行A股股票预案》，拟定增募资不超过14.02亿元加码主业。根据预案，晶方科技本次拟采用非公开发行方式，向合计不超过10名的特定对象发行股票不超过4593.59万股，募集资金总额不超过14.02亿元，扣除发行费用后用于集成电路12英寸TSV及异质集成智能传感器模块项目。公告显示，本次募集资金投资项目名称为“集成电路12英寸TSV及异质集成智能传感器模块项目”，主要建设内容围绕影像传感器和生物身份识别传感器两大产品领域。项目建成后将形成年产18万片的生产能力。公告指出，公司产品主要应用于影像传感器和生物身份识别传感器。由于手机三摄、四摄的趋势导致摄像头数量大幅增加，传感器在安防监控和汽车电子领域的应 用稳定增长、屏下指纹将成为手机生物身份识别主流等市场产品趋势，影像传感器和生物身份识别传感器的封测需求大幅增加。 总结 对于整个半导体产业来说，现在正在面临的的风口是前所未有的。一方面，新技术层出不穷，对高性能和低功耗的芯片追求也越来越多；与此同时，摩尔定律的失速，也让企业需要从技术和设备等多方面入手，去寻找“续命”的方法。 在这波竞争中，谁会是最终的赢家？谁又是失败者，尚未可知。但毫无疑问，这一场持久大战已经正式打响。芯片失效分析实验室介绍，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。

半导体过压保护器是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种 新型保护器件，具有精确导通、快速响应（响应时间ns级）、浪涌吸收 能力较强、双向对称、可靠性高等特点。由于其浪涌通流能力较同尺寸 的TVS管强，可在无源电路中代替TVS管使用。但它的导通特性接近于短 路，不能直接用于有源电路中，在这样的电路中使用时必须加限流元件 ，使其续流小于最小维持电流。半导体过压保护器有贴装式、直插式和 轴向引线式三种封装形式。

功率半导体器件概述功率半导体器件基本概念功率半导体器件（Power Semiconductor Device）又称电力电子器件（Power Electronic Device）。1940年贝尔实验室在研究雷达探测整流器时，发现硅存在PN结效应，1958年美国通用电气（GE）公司研发出世界上第一个工业用普通晶闸管，标志着电力电子技术的诞生。从此功率半导体器件的研制及应用得到了飞速发展，并快速成长为电子制造业的核心器件之一，还独立成为电子电力学科。作为制造业大国，功率半导体器件在中国大陆的工业、消费、军事等领域都有着广泛应用，具有很高的战略地位。功率半导体器件分类从发展历程看，功率半导体器件先后经历了：全盛于六七十年代的传统晶闸管、近二十年发展起来的功率MOSFET及其相关器件，以及由前两类器件发展起来的特大功率半导体器件，它们分别代表了不同时期功率半导体器件的技术发展进程。概括来说，功率半导体器件主要有功率模组、功率集成电路（即Power IC，简写为PIC，又称为功率IC）和分立器件三大类；其中，功率模组是将多个分立功率半导体器件进行模块化封装；功率IC对应将分立功率半导体器件与驱动/控制/保护/接口/监测等外围电路集成；而分立功率半导体器件则是功率模块与功率IC的关键。图表1 功率半导体器件分类（来源：中泰证券研究所）功率半导体器件又可根据对电路信号的可控程度分为全控型、半控型及不可控型；或按驱动电路信号性质分为电压驱动型、电流驱动型等划分类别。常用到的功率半导体器件有Power Diode（功率二极管）、SCR（晶闸管）、GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（大功率电力晶体管）、BJT（双极晶体管）、MOSFET（电力场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）、SIT（静电感应晶体管）、BSIT（双极型静电感应晶体管）、SITH（静电感应晶闸管）、MCT（MOS控制晶闸管）、IGCT（集成门极换流晶闸管）、IEGT（电子注入增强栅晶体管）、IPEM（集成电力电子模块）、PEBB（电力电子积木）等。图表2 功率半导体器件分类方式及代表类型（来源：电力电子技术馆）不同功率半导体器件，其承受电压、电流容量、阻抗能力、体积大小等特性也会不同，实际使用中，需要根据不同领域、不同需求来选用合适的器件。图表3 功率半导体器件比较（来源：中信证券研究部）随着技术的不断进步，功率半导体器件在不断演进。自上世纪80年代起，功率半导体器件MOSFET、IGBT和功率集成电路逐步成为了主流应用类型。其中IGBT经历了器件纵向结构、栅极结构以及硅片加工工艺等7次技术演进，目前可承受电压能力从第四代的3000V跃升到了第七代的6500V，并且实现了高频化（10-100kHz）应用。功率半导体器件主要应用领域作为电能/功率处理的核心器件，功率半导体器件主要用于电力设备的电能变换和电路控制，更是弱电控制与强电运行之间的沟通桥梁，主要作用是变频、变压、变流、功率放大和功率管理，对设备正常运行起到关键作用。与此同时，功率半导体器件还具有绿色节能功能，被广泛应用于几乎所有的电子制造业，目前正从传统工业制造和4C产业向新能源、电力机车、智能电网等领域发展。另外，不同的细分领域，对功率半导体器件的电压承受能力要求也不一样，以IGBT为例，消费电子电压一般在600V以下，太阳能逆变器及新能源汽车要求在600V-1200V，而轨道交通要求最高，范围在3300V-6500V之间。图表4 功率半导体器件的应用及工作频率（来源：Applied Materials）注：IPM即智能功率模块，常见类型有IGBT类本文来源：来源：宽禁带半导体技术创新联盟

我司是韩国EMLSI和美国Everspin半导体中国区指定代理.公司主要产品有：1,Low power SRAM (低功耗静态随机存储器)1Mbit~8Mbit.2,Serial SRAM(串行静态随机存储器)1Mbit~8Mbit.3,PSRAM[Pseudo SRAM,UtRAM] (虚拟静态随机存储器)4Mbit~64Mbit.4,Cellular RAM(伪静态随机存储器)4Mbit~64Mbit.5,Die(祼片)1Mbit~64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存储器)256Kbit~1Gbit7.MCP 512Mbit+256Mbit,1Gbit+512Mbit，64Mbit+32Mbit,128Mbit+64Mbit,32Mbit+16Mbit8.Mobile SDRAM/DDR(低功耗SDRAM/DDR)128Mbit~512Mbit如有需要请随时和我们联系. 我们原厂供货，价格&交期较有优势.谢谢！-----------------------------Coco Lee(李女士)Ramsun International Limited.英尚国际有限公司***QQ:778240593Skype:coco-ramsunPseudo SRAM,UtRAM,Cellular RAM 型号及参数如下:DensityVoltagePart NamePackage -----------------------------------------------------------------------64Mbit 1.8VEMC645SP16AKY-70LF54BGA64Mbit 1.8VEMC643SP16AJY-70LF54BGA 64Mbit 1.8VEMC643SP16AKY-70LF54BGA 64Mbit 1.8VEMC646SP16AJY-70LF54BGA 64Mbit 1.8VEMC646SP16AKY-70LF54BGA 64Mbit 1.8VEM7644SP16LP-70LFx48BGA 64Mbit 1.8VEM7644SP16MP-70LFx48BGA 64Mbit 1.8VEM7644SP16NP-70LFx48BGA 64Mbit 1.8VEM7644SP16PP-70LFx48BGA 64Mbit 1.8VEM7644SP16RP-70LFx48BGA 64Mbit 1.8VEM7644SP16SP-70LFx48BGA 64Mbit 3.0VEM7644SU16ALP-70LFx48BGA 64Mbit 3.0VEM7644SU16AMP-70LFx48BGA 64Mbit 3.0VEM7644SU16ANP-70LFx48BGA 64Mbit 3.0VEM7644SU16APP-70LFx48BGA 64Mbit 3.0VEM7644SU16ARP-70LFx48BGA 64Mbit 3.0VEM7644SU16ASP-70LFx48BGA ----------------------------------------------------------------------- 32Mbit 1.8VEMC325SP16AKY-70LF 54BGA 32Mbit 1.8VEMC323SP16AJY-70LF54BGA 32Mbit 1.8VEMC323SP16AKY-70LF 54BGA 32Mbit 1.8VEMC326SP16AJY-70LF54BGA 32Mbit 1.8VEMC326SP16AKY-70LF 54BGA 32Mbit 1.8VEM7324SP16LP-70LFx48BGA 32Mbit 1.8VEM7324SP16MP-70LFx 48BGA 32Mbit 1.8VEM7324SP16NP-70LFx 48BGA 32Mbit 1.8VEM7324SP16PP-70LFx 48BGA 32Mbit 1.8VEM7324SP16RP-70LFx 48BGA 32Mbit 1.8VEM7324SP16SP-70LFx 48BGA 32Mbit 3.0VEM7324SU16LP-70LFx 48BGA 32Mbit 3.0VEM7324SU16MP-70LFx48BGA 32Mbit 3.0VEM7324SU16NP-70LFx48BGA 32Mbit 3.0VEM7324SU16PP-70LFx48BGA 32Mbit 3.0VEM7324SU16RP-70LFx48BGA 32Mbit 3.0VEM7324SU16SP-70LFx48BGA ----------------------------------------------------------------------- 16Mbit1.8VEMC165SP16KY-70LF 54BGA 16Mbit1.8VEMC163SP16JY-70LF54BGA 16Mbit1.8VEMC163SP16KY-70LF 54BGA 16Mbit1.8VEMC166SP16JY-70LF54BGA16Mbit1.8VEMC166SP16KY-70LF 54BGA 16Mbit1.8VEM7164SP16LP-70LFx48BGA 16Mbit1.8VEM7164SP16MP-70LFx 48BGA 16Mbit1.8VEM7164SP16NP-70LFx 48BGA 16Mbit1.8VEM7164SP16PP-70LFx 48BGA 16Mbit1.8VEM7164SP16RP-70LFx48BGA 16Mbit1.8V EM7164SP16SP-70LFx48BGA 16Mbit3.0V EM7164SU16BLP-70LFx48BGA 16Mbit3.0V EM7164SU16BMP-70LFx48BGA 16Mbit3.0V EM7164SU16BNP-70LFx48BGA 16Mbit3.0V EM7164SU16BPP-70LFx48BGA 16Mbit3.0V EM7164SU16BRP-70LFx48BGA 16Mbit3.0V EM7164SU16BSP-70LFx48BGA Low power SRAM,Serial SRAM型号及参数如下:DesityPart NameOrg. PackageVoltage----------------------------------------------------------------------------8Mbit EM680FV8BU1Mx8bit 44TSOP22.7~3.6V8Mbit EM681FV8BU1Mx8bit 44TSOP22.7~3.6V8Mbit EM680FV8B1Mx8bit 48BGA2.7~3.6V8Mbit EM681FV8B1Mx8bit 48BGA2.7~3.6V8Mbit EM681FV16BU 512Kx16bit 44TSOP22.7~3.6V8Mbit EM680FV16B 512Kx16bit 48BGA2.7~3.6V8Mbit EM681FV16B 512Kx16bit 48BGA2.7~3.6V-------------------------------------------------------------------------- 4Mbit EM641FT8S512Kx8bit32 STSOP15.0V4Mbit EM641FV8FS 512Kx8bit32 STSOP12.7~3.6V4Mbit EM643FV16FU256Kx16bit 44 TSOP2 2.7~3.6V4Mbit EM644FV16FU256Kx16bit 44 TSOP2 2.7~3.6V4Mbit EM645FV16FU256Kx16bit 44 TSOP2 2.7~3.6V4Mbit EM646FV16FU256Kx16bit 44 TSOP2 2.7~3.6V4Mbit EM643FV16F 256Kx16bit 48BGA2.7~3.6V4Mbit EM644FV16F 256Kx16bit 48BGA2.7~3.6V4Mbit EM645FV16F 256Kx16bit 48BGA2.7~3.6V4Mbit EM646FV16F 256Kx16bit 48BGA2.7~3.6V4Mbit EM640FV16F 256Kx16bit 48BGA2.7~3.6V4Mbit EM641FV16F 256Kx16bit 48BGA2.7~3.6V---------------------------------------------------------------------------2MbitEM620FV8BS256Kx8bit 32 STSOP12.7~3.6V2MbitEM621FV8BS256Kx8bit 48BGA 2.7~3.6V2MbitEM620FV16B128Kx16bit32 STSOP12.7~3.6V2MbitEM621FV16B128Kx16bit48BGA 2.7~3.6V--------------------------------------------------------------------------- 1MbitEM610FV8S 128Kx8bit32 STSOP12.7~3.6V1MbitEM610FV16U64Kx16bit44 TSOP2 2.7~3.6V1MbitEM611FV16U64Kx16bit44 TSOP2 2.7~3.6V1MbitEM610FV8T 128Kx8bit32 STSOP12.7~3.6V

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 编辑 总结出的半导体常用英文单词，可以作为MFG新人培训的资料，和大家共享！<br/>另外，如有不锈钢净化设施非标加工和流水线非标加工的需求可与我公司联系，谢谢！<br/><br/><p class="MsoNormal" style="MARGIN: 0cm="0cm"0cm="0cm"0pt; TEXT-INDENT: 21.75pt"><span style="FONT-FAMILY: 宋体; mso-bidi-font-size: 10.5pt; mso-ascii-font-family: 'Times New="New"Roman'; mso-hansi-font-family: 'Times New="New"Roman'">西安诺源<span class="ttag">电子</span>科贸有限公司专注于<span class="ttag">半导体</span>净化间专用防静电设施及流水线、生产线的非标加工和销售（防静电不锈钢氮气柜、工作台、推车；精密仪器防震桌；抗腐蚀化学试剂柜；废液回收<span class="ttag">系统</span>；防静电转椅；全自动流水线、生产线、包装线；不锈钢<span class="ttag">设备</span>外壳等等）。</span><span lang="EN-US" style="mso-bidi-font-size: 10.5pt"><br/></span><span style="FONT-FAMILY: 宋体; mso-bidi-font-size: 10.5pt; mso-ascii-font-family: 'Times New="New"Roman'; mso-hansi-font-family: 'Times New="New"Roman'">根据客户需求及现场实际情况进行量身定做，结合半导体<span class="ttag">行业</span>的净化标准及生产标准，利用<span class="ttag">技术</span>人员多年积累的半导体行业经验进行专业<span class="ttag">设计</span>、专业加工，加工过程在</span><span lang="EN-US" style="mso-bidi-font-size: 10.5pt"><font face="Times New="New"Roman">1000</font></span><span style="FONT-FAMILY: 宋体; mso-bidi-font-size: 10.5pt; mso-ascii-font-family: 'Times New="New"Roman'; mso-hansi-font-family: 'Times New="New"Roman'">级净化间完成，加工设备均为进口数控设备，引进独特的<span class="ttag">***</span>精品钣金加工<span class="ttag">工艺</span>，工艺细腻，设计更合理更人性化。</span><span lang="EN-US" style="mso-bidi-font-size: 10.5pt"><?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" /><o:p></o:p></span></p><p class="MsoNormal" style="MARGIN: 0cm="0cm"0cm="0cm"0pt; TEXT-INDENT: 21.75pt"><span style="FONT-FAMILY: 宋体; mso-bidi-font-size: 10.5pt; mso-ascii-font-family: 'Times New="New"Roman'; mso-hansi-font-family: 'Times New="New"Roman'">半导体二手设备及备品备件的销售；半导体设备的维修维护服务以及机台专业</span><span lang="EN-US" style="mso-bidi-font-size: 10.5pt"><font face="Times New="New"Roman">move in</font></span><span style="FONT-FAMILY: 宋体; mso-bidi-font-size: 10.5pt; mso-ascii-font-family: 'Times New="New"Roman'; mso-hansi-font-family: 'Times New="New"Roman'">；专业清洗或</span><span lang="EN-US" style="mso-bidi-font-size: 10.5pt"><font face="Times New="New"Roman">PM</font></span><span style="FONT-FAMILY: 宋体; mso-bidi-font-size: 10.5pt; mso-ascii-font-family: 'Times New="New"Roman'; mso-hansi-font-family: 'Times New="New"Roman'">等服务。</span><span lang="EN-US" style="mso-bidi-font-size: 10.5pt"><br/><span style="mso-spacerun: yes"><font face="Times New="New"Roman">    </font></span></span><span style="FONT-FAMILY: 宋体; mso-bidi-font-size: 10.5pt; mso-ascii-font-family: 'Times New="New"Roman'; mso-hansi-font-family: 'Times New="New"Roman'">西安诺源电子科贸有限公司是西北地区唯一一家专业从事半导体行业净化设施及半导体设备备品备件的公司，希望能够为民族半导体行业的发展贡献一份力。<br/></span><span lang="EN-US" style="mso-bidi-font-size: 10.5pt"><font face="Times New="New"Roman"><a href="http://www.xanuoyuan.cn/">www.xanuoyuan.cn</a><br/><o:p>029-84215169</o:p></font></span></p><br/><br/><br/>

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 编辑 机器视觉在电子行业有着广泛的应用，可大大提高工作效率，保证工作质量。下面介绍机器视觉在电子行业应用的一些实例：（1）芯片计数定位系统1.在?30平面上检测二极管数目达三四万个2.稳定的平行光和大面阵摄像头确保计数精度3.系统整合条码识别，进入数据库高精度计数终端打印4.六百万像素以上相机5.高清晰度镜头（2）IC/冲压件/检测/载带包装1.吸嘴自动上料2.相机自动移动检测3.自动排除废料，自动包装4.适用于冲压件不同层次景深的检测（3）半导体植球检测1.植球前检测有无破损或灰尘以免虚焊2.植球后检测焊接质量3.植球位置、外观、大小、尺寸4.有无短路（4）IC表面检测1.字符对错2.颜色对错3.字符、图案、功能线位置对错4.图案形状有无缺陷5.表面污点划痕、划伤6.有覆膜以后同样可以检测

N型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。　 在纯净的电子发烧友体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。　　在纯净的电子发烧友体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。在纯净的电子发烧友体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:52 编辑 请教关于JMP在半导体封装数据分析中的使用案例，希望高手能多多指教。

功率半导体器件应用手册功率半导体器件应用手册——弯脚及焊接应注意的问题本文将向您介绍大家最关心的有关TSE功率半导体器件封装的两个问题：一、 怎样弯脚才能不影响器件的可靠性？二、 怎样确保焊接过程中不损坏器件？一、怎样弯脚才能不影响器件的可靠性1、弯脚功率电路为保证散热效果往往安装有较大的散热器，而用户所得到的穿孔封装器件的引脚是直排的，这会影响散热器的安装，所以在实际应用中往往需要改变标准封装器件的引脚形状。有时为了器件与电路板的连接方便也需要弯曲引脚。在对器件进行弯脚处理时必须注意以下几点。2、夹紧弯脚时绝对不要固定或夹紧塑料封装体，因为这样很可能破坏器件引脚与塑料封装体的结合部位。为了减小弯脚时对器件产生的应力，应在离器件封装体一定距离处夹紧引脚，一般来说，夹的地方离器件封装体越远，弯脚时器件越安全。对不同的封装，夹紧距离是不一样的，表1 为您提供了几种常用的功率器件封装的最小夹紧距离。弯曲半径引脚弯曲后弧的外侧会有微小的裂纹这会使引脚内部的铜暴露于空气中，不过这一般不会影响引脚的强度。创立达荐弯曲弧度的半径为引脚材料厚度的1 到2 倍，绝对不要小于引脚材料的厚度，因为如果弧度的半径小于引脚材料的厚度，裂纹就会很大很深，这势必会减小引脚的有效导流面积以及降低引脚机械强度，影响器件的可靠性。在某些对引脚长度要求较严格的应用中可以使半径等于引脚材料厚度。常用的功率器件封装引脚材料的 图1 最小夹紧距离和弯脚半径厚度请参照表1。 

半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上)电子器件。可以分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件，其中晶闸管为半控型器件，承受电压和电流容量在所有器件中最高；电力二极管为不可控器件，结构和原理简单，工作可靠；还可以分为电压驱动型器件和电流驱动型器件，其中GTO、GTR为电流...

文章目录外接半导体管的扩流方法外接PNP扩流外接NPN扩流线性稳压并联扩流外接半导体管的扩流方法外接半导体的扩流方法可以使用半导体三极管或者场效应管，其实质是使用外接的大功率半导体管分流，并利用线性稳压内部的反馈电路稳定输出电压。这里为方便说明仅以三极管为例说明。外接PNP扩流上图为线性稳压的拓扑结构，具体内容在电源学习总结（二）——线性稳压主要特点及原理中有详细说明。假设额定输出为3.3V，负载电阻为1Ω，此时可以看到，负载电流为3.3A。显然，大多数线性稳压都无法承受这样大的电流，虽然开关电源

半导体失效分析项目介绍，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。

半导体产业经历了2019年的低迷，但其在2020年的潜力却被很多业内人士看好。摩根大通分析师Harlan Sur在其于去年年底发布的一则研究报告中指出，半导体市场将于2020年复苏，预测到 2020 年半导体产业整体营收将增长4至7%，利润也将增长8至12%。 同时，伴随着类似5G、人工智能和HPC等应用的崛起，很多厂商也在近期加大了他们在半导体业务上的投资。从他们的投资方向上看，又能让我们窥见哪些市场信息？ 晶圆代工厂不惜重金 在制造工艺演进到10nm之后，晶圆厂都在为摩尔定律的继续前进而做各种各样的努力，EUV则是被看作的第一个倚仗。而从EUV光刻机ASML的财务数据我们可以看到，其2019年Q4季度的财报中显示，ASML全年EUV光刻机订单量达到了62亿欧元，总计出货了26台EUV光刻机，比2018年的18台有了明显增长，使得EUV光刻机的营收占比也从23%提升到了31%。同时，ASML还预计2020年，公司将交付35台EUV光刻机，2021年则会达到45台到50台的交付量，是2019年的两倍左右。 除了光刻机外，其他如刻蚀机等设备购买、工艺研发也都需要大量的资金，这就驱使这些厂商挥起了“金元大棒”。 —2019年二季度，台积电就宣布其利用EUV技术的7nm增强版（7nm+）开始量产，这是台积电第一次、也是行业第一次量产EUV极紫外光刻技术。根据台积电的发展进程来看，其7nm以下的工艺也将导入EUV技术。据***媒体报道，台积电5nm制程将于今年第二季度量产。据台积电介绍， 5nm是台积公司第二代使用极紫外光（EUV）技术的制程，其已展现优异的光学能力与符合预期的良好芯片良率。 据悉，其 5nm 已于2019年三月进入试产阶段，预计将于2020年开始量产。同时，我们也知道，台积电的多条产业已处于满载状态，订单供不应求，为了确保接下来7nm、5nm的供应，台积电也正在加快设备购买，除了ASML以外，受益的厂商还包括了KLA科磊、应用材料等公司。而根据台积电的投资计划中看，台积电在2020年的投资将达到150-160亿美元，也是台积电史上最高的资本支出。据悉，在他们的投入中，80%的开支会用于先进产能扩增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先进封装及特殊制程。而先进工艺中所用到的EUV极紫外光刻机，一台设备的单价就可以达到1.2亿美元，可见半导体设备也将是其投资中很重要的一部分。 其次，人力成本也是台积电在先进工艺上的又一重要投入。据相关媒体报道显示，台积电在劳动部“***就业通”网站大举征才超过1,500多个职缺，涵盖半导体工程师、设备工程师、光学工程师及制程技术员等，以支持5nm的发展。 为了保证资金充足，台积电甚至多年来首次对外公开募资20亿美元，以充实其弹药库。 而一直将超越台积电视为发展目标的三星，近年来也在先进工艺上不断砸下重金。根据三星的规划，他们打算在未来十年投资1160亿美元，力争成为世界级的存储芯片、逻辑芯片领导者。按照三星的计划，当中有636亿是用来做技术研发的，另外的五百多亿是建设晶圆厂基础设施。在这些银元的支持下，三星也开启了“买买买”。 在去年年底被传向ASML下了一个15台EUV光刻机订单后，今年一月，又有纤细表示三星计划斥资33.8亿美元采购20台EUV光刻机。据报道，这批EUV设备不仅会用于7/5nm等逻辑工艺，还会用在DRAM内存芯片生产上。 早前，三星还宣布，其位于华城的V1工厂已经开始量产。据悉，V1厂为三星第一条专门生产EUV技术的生产线，该工厂已经开始量产的产品为7nm 7LPP、6nm 6LPP工艺。按照三星的计划，到2020年底V1生产线投资金额将达到60亿美元，7nm以及先进制程产能将比去年增加3倍。 在头部晶圆代工厂商在7nm、5nm，甚至是3nm上交锋的同时，大陆晶圆代工厂则在14nm工艺上取得了不错的成绩。14nm虽然不是目前最先进的工艺，但其可用于中高端AP/SoC、GPU、HPC、高性能ASIC、FPGA等制造环节，这些场景正符合未来人工智能及物联网的核心应用需求。因此，14nm还有很大的市场潜力。大陆代工厂也为14nm和下一阶段的先进工艺进行了大量的投入。 2月18日，中芯国际对外披露了去年的重要设备交易，公告称，2019年3月12日至2020年2月17日，公司向泛林团体发出了用于生产晶圆的机器订单，购买单总价约6亿美元。根据公告，此次购买设备是为了应对客户的需要，扩大其产能、把握市场商机及增长。 根据中芯国际的发展进程来看，除了14nm及改进型12nm工艺之外，今年底前中芯国际还会试产N+1代工艺，据中芯国际在其Q4财报会议上的消息显示，N+1和7nm工艺非常相似，唯一区别在于性能方面，N+1工艺的提升较小，市场基准的性能提升应该是35%。 为了获得更好的支持，中芯国际也在早前发行了六亿美元的债券。 至于如华虹和华润微电子等厂商为了扩展其产能，斥巨资去兴建新的晶圆厂，这样算是积极投资的一种。因为涉及的项目众多，我们就不在这一一列举。芯片失效分析实验室介绍，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。

升级到半桥GaN功率半导体

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深圳大学现代通信技术测试题目录简述1到4G特点（从代表的系统、主要技术及传输的指标三方面）： 25G的主要KPI指标（列表给出5个） 25G的主要核心技术（给出10个） 35G手机（华为mate30，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分别采用了什么芯片？ 3协同通信的方式有哪些？ 4大数据及认知无线电（名词解释） 4半导体工艺的4个主要步骤： 4简叙半导体光刻技术基本原理 4给出4个全球著名的半导体设备制造商并指出其生产的设备核心技术： 5卫

基本半导体元件搭建门电路

半导体存储元器件工作原理

`《欧姆社学习漫画》是日本欧姆社自2004年7月开始出版的一系列漫画类学习教材。该图书主要讲述了电气学，物理学，数学以及生物科学等学科的内容，采用漫画的形式使内容更加生动有趣，令读者更容易接受。`

1.常用半导体器件型号命名的国家标准常用半导体器件的型号命名由五个部分组成，第一部分用数字表示电极的数目；第二部分用汉语拼音字母表示器件的材料和极性；第三部分表示器件的类别；第四部分表示器件的序号；第五部分表示规格。具体规定见表 3.1 所示。2.日本常用半导体器件的型号命名标准 3.美国常用半导体器件的型号命名标准 4.常用的整流二极管型号及性能 5.硅高频小功率三极管参数 6.部分国外硅高频小功率三极管参数例：Q2N916 晶体管的 SPICE 模型参数NPN(Is=6.734f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=74.03 Bf=336.4 Ne=1.218 Ise=6.734fIkf=61.58m Xtb=1.5 Br=.7883 Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=1 Cjc=3.638pMjc=.3085 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=4.493p Mje=.2593 Vje=.75 Tr=242.8nTf=300.9p Itf=.4 Vtf=4 Xtf=2 Rb=10) 7. 3DJ6N 场效应管参数购线网 http://www.gooxian.com/专业定制各类测试线（同轴线、香蕉头测试线，低噪线等）

`本书主要针对的是半导体使用客户，并把基础理论作了简单的阐述归纳总结。本手册站在用户的角度上，去了解IGBT、MOSFET功率模块以及零散或集成的二极管和晶闸管(可控硅)。详细介绍了它们的基本数据，参数性能和实际应用，比如冷却，布线，控制，保护，并联和串联连接和使用拓扑技术的晶体管模块作为软开关的应用。`

一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管触日本半导体分立器件型号命名方法 二、日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。 第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。 第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。美国半导体分立器件型号命名方法 三、美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下： 第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。 第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。 第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。 第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。 第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下： 第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:56 编辑 机器视觉在电子行业有着广泛的应用，可大大提高工作效率，保证工作质量。下面介绍机器视觉在电子行业应用的一些实例：（1）芯片计数定位系统 1.在?30平面上检测二极管数目达三四万个2.稳定的平行光和大面阵摄像头确保计数精度3.系统整合条码识别，进入数据库高精度计数终端打印4.六百万像素以上相机5.高清晰度镜头 （2）IC/冲压件/检测/载带包装 1.吸嘴自动上料2.相机自动移动检测3.自动排除废料，自动包装4.适用于冲压件不同层次景深的检测 （3）半导体植球检测 1.植球前检测有无破损或灰尘以免虚焊2.植球后检测焊接质量3.植球位置、外观、大小、尺寸4.有无短路 （4）IC表面检测 1.字符对错2.颜色对错3.字符、图案、功能线位置对错4.图案形状有无缺陷5.表面污点划痕、划伤6.有覆膜以后同样可以检测QCROBOT可提供此机器视觉模块及工程解决方案。

关于盟通科技、总线比较、节约时间的动态内存访问、Emotas CANopen、OPC UA SDK五个部分。

本文档的主要内容详细介绍的是半导体芯片的制作和半导体芯片封装的详细资料概述

半导体放电管的选型： VDRM：截止电压必须大于被保护的电路的最大工作电压 VS：转折电压必须小于设备能承受的最大瞬态峰值电压 IH：维持电流必须大于设备的工作电流和短路电流 C：寄生电容根据电路所允许的插入损耗或信号传输的频率选择 * 浪涌电流的选择根据电路或浪涌测试标准要求进行不同等级的选择 半导体放电管运用领域： 1、RS232/RS422/RS485分界面卡 2、XDSL 和ISDN、HDSL 传输设备 3、用户前端设备，如：电话、调制解调器等 4、Central officeline cards 5、T1/E1 6、PBX 和其它交换设备

电源管理半导体的新进展1979年电力电子学会在我国成立，此后，人们开始把用于大功率方向的器件称为电力半导体。由于微电子学把相关的器件称为微电子器件，从而也有了电力电子器件之称。电力半导体和电力电子器件两个名词几乎是同义词，功率MOSFET的出现逐步改变了对功率半导体的传统理解。原有的电力电子器件，基本上是一种服务于电力、大电机传动和工业应用的器件。用电力来称谓功率以后，使从事电力电子技术的人，习惯于将这些大功率器件看作功率半导体的主体。但功率MOSFET却使电力电子应用进入了许多中小功率的范围，近二十年来，形成了以通信、电脑、消费电子、汽车(即所谓4个C)为中心的新的电力电子应用领域。为了驱动MOS型器件，高压集成电路(HVIC)也随之出现，这也就是功率集成电路(Power IC)的开始。[hide][/hide]

101) Ion Implanter 离子植入机102) Ion Source 离子源 离子植入机中产生所要植入杂质离子的部分，主要由Arc Chamber ,Filament组成，杂质气体或固体通入Arc Chamber，由Filament产生的电子进行解离而产生离子。103) IPA 异丙醇Isopropyl Alcohol的简称，在半导体制造中，用来作为清洗溶剂，常用来擦拭机台操作面板等，也作为SOG等化学液体的溶剂。104) Isotropic Etching等向性蚀刻在蚀刻反应中，除了纵向反应发生外﹒横向反应亦同时发生(见左图)，此种蚀刻即称之为等向性蚀刻，一般化学湿蚀刻多发生此种现象。干式蚀刻，其蚀刻后的横截面具有异向性蚀刻特性 (Anisotropic)，即可得到较陡的图形105) Latch up:闭锁效应CMOS组件里的底材、阱及PMOS的漏极与NMOS的源极，在某些条件下，会形成一个如图（1）所示的寄生的pnpn二极管。这种pnpn二极管的电流（I）对电压（V）的操作曲线则如图。其中图中的IH，为使pnpn二极管处于运作（Acting）状态时所需的最低电流称之为“引发电流（triggering current）”。当I≥IH发生之后，CMOS电路的功能将暂时或永久性的丧失，我们称这个现象为“闭锁（Latch up）”。即，如果CMOS组件的设计或制作不当，这种寄生于CMOS组件里的“pnpn二极管”，有可能处于运作的状态，而影响到CMOS的正常运作。所以在使用CMOS的设计时，务必注意使这个pnpn二极管随时处于“闭”的状态，即I

一、什么是芯片芯片，又称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、集成电路（integrated circuit， IC），是指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分。芯片（chip）就是半导体元件产品的统称，是 集成电路（IC， integrated circuit）的载体，由晶圆分割而成。硅片是一块很小的硅，内含集成电路，它是计算机或者其他电子设备的一部分。二、什么是半导体半导体（ semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等。我们通常把导电性差的材料，如煤、人工晶体、琥珀、陶瓷等称为绝缘体。而把导电性比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体三、什么是集成电路集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于硅（Si）的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。集成电路是20世纪50年代后期一60年代发展起来的一种新型半导体器件。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。其封装外壳有圆壳式、扁平式或双列直插式等多种形式。集成电路技术包括芯片制造技术与设计技术，主要体现在加工设备，加工工艺，封装测试，批量生产及设计创新的能力上。四、芯片和集成电路有什么区别？要表达的侧重点不同。芯片就是芯片，一般是指你肉眼能够看到的长满了很多小脚的或者脚看不到，但是很明显的方形的那块东西。但是，芯片也包括各种各样的芯片，比如基带的、电压转换的等等。处理器更强调功能，指的就是那块执行处理的单元，可以说是MCU、CPU等。集成电路范围要广多了，把一些电阻电容二极管集成到一起就算是集成电路了，可能是一块模拟信号转换的芯片，也可能是一块逻辑控制的芯片，但是总得来说，这个概念更加偏向于底层的东西。集成电路是指组成电路的有源器件、无源元件及其互连一起制作在半导体衬底上或绝缘基片上，形成结构上紧密联系的、内部相关的事例电子电路。它可分为半导体集成电路、膜集成电路、混合集成电路三个主要分支。芯片（chip）就是半导体元件产品的统称，是集成电路（IC， integrated circuit）的载体，由晶圆分割而成。六、半导体集成电路和半导体芯片有什么关系和不同？芯片是集成电路一种简称，其实芯片一词的真正含义是指集成电路封装内部的一点点大的半导体芯片，也就是管芯。严格讲芯片和集成电路不能互换。集成电路就是通过半导体技术，薄膜技术和厚膜技术制造的，凡是把一定功能的电路小型化后做在一定封装的电路形式下的，都可以叫做集成电路。半导体是一种介于良好导体和非良好导体（或说绝缘体）之间的物质。半导体集成电路包括半导体芯片及外围相关电路。半导体集成电路半导体集成电路是将晶体管，二极管等等有源元件和电阻器，电容器等无源元件，按照一定的电路互联，“集成”在一块半导体单晶片上，从而完成特定的电路或者系统功能。半导体芯片在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓（砷化镓有毒，所以一些劣质电路板不要好奇分解它），锗等半导体材料。半导体也像汽车有潮流。二十世纪七十年代，英特尔等美国企业在动态随机存取内存（D-RAM）市场占上风。但由于大型计算机的出现，需要高性能D-RAM的二十世纪八十年代，日本企业名列前茅。

半导体切换开关-Semiconductor Toggle S

苏州华林科纳半导体设备技术有限公司成立于2008年3月，投资4500万元。主要从事半导体、太阳能、FPD领域湿制程设备的设计、研发、生产及销售；同时代理半导体、太阳能、FPD领域其它国外设备，负责其中国市场的开发、推广。公司自有产品包括半导体前段、后段、太阳能、平板显示FPD、LED、MEMS应用中的各种湿制程设备，例如硅片湿法清洗、蚀刻，硅芯硅棒湿法化学处理，液晶基板清洗，LED基片显影脱膜等。现公司代理产品包括半导体、太阳能硅片的检测装置，包含美国FSM公司的薄膜应力检测、硅片翘曲度检测、薄膜厚度检测、硅片平整度检测设备等；以及美国PET公司的太阳能模拟器、I-V曲线数据采集系统、硅片表面质量检测装置等。联系电话：***地址:苏州工业园区启月街288号

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:11 编辑 半导体产业将掀起新一波裁员潮吗？近日 AMD 与 Spansion 两家大厂陆续公布裁员消息，让该领域从业人员陷入恐惧阴霾。AMD是宣布将裁员10%，约1,400人； NOR快闪记忆体供应商Spansion (很巧?它曾是AMD的一部分)则表示将裁员750人，幅度约20%。这些举动让许多人产生疑问──夹杂某种程度的不安──我们是否又进入了一个弥漫恐惧与从众心理(herd mentality)的半导体产业萧条期，导致许多公司开始裁员？回想2008年底至2009年初那段黑暗的日子，那时候往往一次听到不只一家晶片公司宣布裁员计划，让许多人丢掉饭碗；有些公司甚至因为景气下滑坡度陡峭，实行过好几轮的裁员。而这一次，似乎有些合理的原因让人可期望状况会跟上次不一样。其一，舆论意见几乎一致认为，目前半导体产业所面临的小小颠簸，与2008/2009年时的金融风暴/全球性大萧条比起来，只是小巫见大巫；有些分析师，包括JP Morgan的Christopher Danely认为，这一次的景气萧条期已经触底，半导体产业已经开始在走上坡。「我不认为还会有像AMD那样的大规模裁员；」市场研究机构IC Insights总裁Bill McClean表示：「我们最近已经从台积电(TSMC)、意法(ST)、Microchip与联电(UMC)等公司的报价看见，销售业绩的底线已经形成，库存调整已经接近尾声。如果情况没有更加恶化，我认为各家公司会积极掌握机会，看明年度会如何进展。」台积电的欧洲市场高层主管不久前表示，该公司已经看到业绩的回温；意法执行长Carlo Bozotti在接受媒体采访时也表示，晶片订单状况看来已经触底。以乐观的角度来解读AMD与Spansion的裁员，这些应该只是个别企业的策略考量，并不意味着其他公司也会跟进。其中AMD因为新执行长上任、正在实施大幅度的转型，因此无疑地会宣示该公司会如何地进行成本控制以达到目标。In-Stat分析师Jim McGregor将之形容为，这是一家过去一年还在招募新员工的公司延迟太久的「大扫除」，也是AMD新任执行长Rory Read恰到好处的一着棋。但从愤世嫉俗角度来看AMD的裁员，该公司所做的是许多公司也曾经做过的鲁莽举动，往往因此「解决掉」许多美国工程师，让来自新兴国家的工程师有机会浮上台面。AMD表示其裁员有50%是在北美；有匿名消息来源则指出，该公司在某些区域实施裁员，为的是在一些较具备较大成长机会的市场聘雇新工程师与团队成员。这就像是企业直接残忍地说：「我们需要比较少的美国工程师，但在印度与中国需要比较多的工程师。至于Spansion 的裁员理由则非常简单易懂，该公司大部分的裁员(在750人中有610人)是为了整并旗下的封装测试单位，集中到曼谷郊外的单一据点，以节省现金。但是，Spansion宣布裁员的时机点是有些讽刺的，虽然最近的泰国水患并没有影响到该公司当地据点，此策略显然低估了维持多地点生产活动的「分散风险」价值。 如果你的生产据点因天灾而停工，却没有其他生产据点可以支援该怎么办？将封测生产线集中到单一据点，一年可以节省约3,000万美元成本，看来是很合理的；但如果它因为天灾或人为因素而停摆，就不是那么回事了。这时候你该如何出货？ 针对这些问题，Spansion发言人的回答是，该公司的生产策略是会同时运用内部与外部(代工厂与第三方合作夥伴)的资源；表示在将内部封测产能整并到曼谷的同时，也持续利用外部资源例如Amkor、ChipMos与UTL等合作夥伴，取得产能调度的弹性。

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 编辑 今年刚考上研究生 本科是学通信的 无奈被调剂到专硕 导师是研究半导体器件的 对这方面不是很了解 想问下它的就业前景怎么样 以后想往集成电路设计方面发展容易吗？

1. 本征半导体及其特点 纯净的半导体称为本征半导体。在热“激发”条件下,本征半导体中的电子和空穴是成对产生的;当电子和空穴相遇“复合”时,也成对消失；电子和空穴都是载流子温度越高,“电子—空穴”对越多;在室温下,“电子—空穴”对少,故电阻率大。2. 掺杂半导体及其特点 (1) N 型半导体:在本征硅或锗中掺入适量五价元素形成 N 型半导体, N 型半导体中电子为多子,空穴为少子;电子的数目(掺杂+热激发) = 空穴的数目(热激发)+正粒子数;半导体对外仍呈电中性。 (2) P 型半导体:在本征硅或锗中掺入适量三价元素,形成 P 型半导体,其空穴为多子,电子为少子;空穴的数目(掺杂+热激发) = 电子的数目(热激发)+负粒子数;对外呈电中性。 在本征半导体中,掺入适量杂质元素,就可以形成大量的多子,所以掺杂半导体的电阻率小,导电能力强。 当 N 型半导体中再掺入更高密度的三价杂质元素,可转型为 P 型半导体;反之, P 型半导体也可通过掺入足够的五价元素而转型为N型半导体。 3. 半导体中的两种电流 (1)漂移电流:在电场作用下,载流子定向运动所形成的电流则称为漂移电流。 (2)扩散电流:同一种载流子从浓度高处向浓度低处扩散所形成的电流为扩散电流。 4. PN结的形成 通过一定的工艺,在同一块半导体基片的一边掺杂成P型,另一边掺杂成N型, P型和N型的交界面处会形成PN结。 P 区和 N 区中的载流子存在一定的浓度差,浓度差使多子向另一边扩散,从而产生了空间电荷和内电场;内电场将阻多子止扩散而促进少子漂移;当扩散与漂移达到动态平衡时,交界面上就会形成稳定的空间电荷层(或势垒区、耗尽层),即PN结形成。 5. PN结的单向导电性 PN 结正向偏置时,空间电荷层变窄,内电场变弱,扩散大于漂移,正向电流很大(多子扩散形成), PN 结呈现为低电阻,称为正向导通。正向压降很小,且随温度上升而减小。 PN 结反向偏置时,空间电荷层变宽,内电场增强,漂移大于扩散,反向电流很小(少子漂移形成), PN 结呈现为高电阻,称为反向截止。反偏电压在一定范围内,反向电流基本不变(也称为反向饱和电流),且随温度上升而增大。 6. PN结的电容特性 (1)势垒电容CB:当外加在 PN 结两端的电压发生变化时,空间电荷层中的电荷量会发生变化,这一现象是一种电容效应,称为势垒电容。CB是非线性电容。 (2)扩散电容CD:当 PN 结正向偏置时,多子扩散到对方区域后,在PN 结边界附近有积累,并会有一定的浓度梯度。积累的电荷量也会随外加电压变化,引起电容效应,称为扩散电容。CD也是非线性电容。 (520101)

CT---势垒电容 Cc---集电极电容 Ccb---集电极与基极间电容 Cce---发射极接地输出电容 Ci---输入电容 Cib---共基极输入电容 Cie---共发射极输入电容 Cies---共发射极短路输入电容 Cieo---共发射极开路输入电容 Cn---中和电容（外电路参数） Co---输出电容 Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容 Coe---共发射极输出电容 Coeo---共发射极开路输出电容 Cre---共发射极反馈电容 Cic---集电结势垒电容 CL---负载电容（外电路参数） Cp---并联电容（外电路参数） BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压 BVceo---基极开路，CE结击穿电压 BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压 BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压 BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压 D---占空比 fT---特征频率 fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率 hFE---共发射极静态电流放大系数 hIE---共发射极静态输入阻抗 hOE---共发射极静态输出电导 h RE---共发射极静态电压反馈系数 hie---共发射极小信号短路输入阻抗hre---共发射极小信号开路电压反馈系数 hfe---共发射极小信号短路电压放大系数 hoe---共发射极小信号开路输出导纳 IB---基极直流电流或交流电流的平均值 Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值 IE---发射极直流电流或交流电流的平均值 Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流 Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流 Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流 Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流 Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流 Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流 ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。 IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值 ICMP---集电极最大允许脉冲电流 ISB---二次击穿电流 IAGC---正向自动控制电流 Pc---集电极耗散功率 PCM---集电极最大允许耗散功率 Pi---输入功率 Po---输出功率 Posc---振荡功率 Pn---噪声功率 Ptot---总耗散功率 ESB---二次击穿能量 rbb’---基区扩展电阻（基区本征电阻） rbb’Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积 rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻 roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻 RE---外接发射极电阻（外电路参数） RB---外接基极电阻（外电路参数） Rc ---外接集电极电阻（外电路参数） RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数） RL---负载电阻（外电路参数） RG---信号源内阻 Rth---热阻 Ta---环境温度 Tc---管壳温度 Ts---结温 Tjm---最大允许结温 Tstg---贮存温度 td----延迟时间 tr---上升时间 ts---存贮时间 tf---下降时间 ton---开通时间 toff---关断时间 VCB---集电极-基极（直流）电压 VCE---集电极-发射极（直流）电压 VBE---基极发射极（直流）电压 VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压 VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压 Vp---穿通电压。 VSB---二次击穿电压 VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数） Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数） VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数） VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降 VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降） VAGC---正向自动增益控制电压 Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值 V n---噪声电压 Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF（AV）---正向平均电流 IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH---恒定电流、维持电流。 Ii--- 发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流 IR（AV）---反向平均电流 IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 IRM---反向峰值电流 IRR---晶闸管反向重复平均电流 IDR---晶闸管断态平均重复电流 IRRM---反向重复峰值电流 IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） Irp---反向恢复电流 Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 Izk---稳压管膝点电流 IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流 IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 iF---正向总瞬时电流 iR---反向总瞬时电流 ir---反向恢复电流 Iop---工作电流 Is---稳流二极管稳定电流 f---频率 n---电容变化指数；电容比 Q---优值（品质因素） δvz---稳压管电压漂移 di/dt---通态电流临界上升率 dv/dt---通态电压临界上升率 PB---承受脉冲烧毁功率 PFT（AV）---正向导通平均耗散功率 PFTM---正向峰值耗散功率 PFT---正向导通总瞬时耗散功率 Pd---耗散功率 PG---门极平均功率 PGM---门极峰值功率 PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 Pi---输入功率 PK---最大开关功率 PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率 PMP---最大漏过脉冲功率 PMS---最大承受脉冲功率 Po---输出功率 PR---反向浪涌功率 Ptot---总耗散功率 Pomax---最大输出功率 Psc---连续输出功率 PSM---不重复浪涌功率 PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率 RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻 RBB---双基极晶体管的基极间电阻 RE---射频电阻 RL---负载电阻 Rs(rs)----串联电阻 Rth----热阻 R(th)ja----结到环境的热阻 Rz(ru)---动态电阻 R(th)jc---结到壳的热阻 r δ---衰减电阻 r(th)---瞬态电阻 Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间 tf---下降时间 tfr---正向恢复时间 tg---电路换向关断时间 tgt---门极控制极开通时间 Tj---结温 Tjm---最高结温 ton---开通时间 toff---关断时间 tr---上升时间 trr---反向恢复时间 ts---存储时间 tstg---温度补偿二极管的贮成温度 a---温度系数 λp---发光峰值波长 △ λ---光谱半宽度 η---单结晶体管分压比或效率 VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压 VBE10---发射极与第一基极反向电压 VEB---饱和压降 VFM---最大正向压降（正向峰值电压） VF---正向压降（正向直流电压） △VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压 VGT---门极触发电压 VGD---门极不触发电压 VGFM---门极正向峰值电压 VGRM---门极反向峰值电压 VF（AV）---正向平均电压 Vo---交流输入电压 VOM---最大输出平均电压 Vop---工作电压 Vn---中心电压 Vp---峰点电压 VR---反向工作电压（反向直流电压） VRM---反向峰值电压（最高测试电压） V（BR）---击穿电压 Vth---阀电压（门限电压） VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压） VRWM---反向工作峰值电压 V v---谷点电压 Vz---稳定电压 △Vz---稳压范围电压增量 Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压 av---电压温度系数 Vk---膝点电压（稳流二极管） VL ---极限电压(520101)

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本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:00 编辑 本人做过几年探针台和分选机的开发有兴趣的请联系我，我的qq：1469734728

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 编辑 一、氧化（炉）（Oxidation）对硅半导体而言，只要在高于或等于1050℃的炉管中，通入氧气或水汽，自然可以将硅晶的表面予以氧化，生长所谓干氧层(dryz/gate oxide)或湿氧层(wet /field oxide)，当作电子组件电性绝缘或制程掩膜之用。氧化是半导体制程中，最干净、单纯的一种；这也是硅晶材料能够取得优势的特性之一（他种半导体，如砷化镓 GaAs，便无法用此法成长绝缘层，因为在550℃左右，砷化镓已解离释放出砷）硅氧化层耐得住850℃ ~ 1050℃的后续制程环境，系因为该氧化层是在前述更高的温度成长；不过每生长出1 微米厚的氧化层，硅晶表面也要消耗掉0.44微米的厚度。以下是氧化制程的一些要点： （1）氧化层的成长速率不是一直维持恒定的趋势，制程时间与成长厚度之重复性是较为重要之考量。 （2）后长的氧化层会穿透先前长的氧化层而堆积于上；换言之，氧化所需之氧或水汽，势必也要穿透先前成长的氧化层到硅质层。故要生长更厚的氧化层，遇到的阻碍也越大。一般而言，很少成长2微米以上之氧化层。 （3）干氧层主要用于制作金氧半（MOS）晶体管的载子信道（channel）；而湿氧层则用于其它较不严格讲究的电性阻绝或制程罩幕（masking）。前者厚度远小于后者，1000~ 1500埃已然足够。 （4）对不同晶面走向的晶圆而言，氧化速率有异：通常在相同成长温度、条件、及时间下，{111}厚度≥{110}厚度＞{100}厚度。 （5）导电性佳的硅晶氧化速率较快。 （6）适度加入氯化氢（HCl）氧化层质地较佳；但因容易腐蚀管路，已渐少用。 （7）氧化层厚度的量测，可分破坏性与非破坏性两类。破坏性量测是在光阻定义阻绝下，泡入缓冲过的氢氟酸（BOE，Buffered Oxide Etch，系 HF与NH4F以1：6的比例混合而成的腐蚀剂）将显露出来的氧化层去除，露出不沾水的硅晶表面，然后去掉光阻，利用表面深浅量测仪，得到有无氧化层之高度差，即其厚度。 （8）非破坏性的测厚法，以椭偏仪 (ellipsometer) 或是毫微仪（nano-spec）最为普遍及准确，前者能同时输出折射率(refractive index；用以评估薄膜品质之好坏)及起始厚度b与 跳阶厚度a (总厚度 t = ma + b)，实际厚度 (需确定m之整数值)，仍需与制程经验配合以判读之。后者则还必须事先知道折射率来反推厚度值。 （9）不同厚度的氧化层会显现不同的颜色，且有2000埃左右厚度即循环一次的特性。有经验者也可单凭颜色而判断出大约的氧化层厚度。不过若超过1.5微米以上的厚度时，氧化层颜色便渐不明显。二、扩散（炉）（diffusion）1、扩散搀杂 半导体材料可搀杂n型或p型导电杂质来调变阻值，却不影响其机械物理性质的特点，是进一步创造出p-n接合面（p-n junction）、二极管（diode）、晶体管（transistor）、以至于集成电路（IC）世界之基础。而扩散是完成导电杂质搀染的初期重要制程。 众所周知，扩散即大自然之输送现象 (transport phenomena)；质量传输(mass transfer)、热传递(heat transfer)、与动量传输 (momentum transfer；即摩擦拖曳) 皆是自然的三种已知现象。杂质扩散即属于质量传输之一种，唯需要在850摄氏度以上的高温环境下，效应才够明显。 2、前扩散 (pre-deposition)第一种定浓度边界条件的浓度解析解是所谓的互补误差函数，其对应之扩散步骤称为「前扩散」，即我们一般了解的扩散制程；当高温炉管升至工作温度后，把待扩散晶圆推入炉中，然后开始释放扩散源 (p型扩散源通常是固体呈晶圆状的氮化硼芯片，n型则为液态POCl3之加热蒸气) 进行扩散。其浓度剖面外形之特征是杂质集中在表面，表面浓度最高，并随深度迅速减低，或是说表面浓度梯度 (gradient) 值极高。3、后驱入 (post drive-in)第二种定搀杂量的边界条件，具有高斯分布 (Gaussian distribution) 的浓度解析解。对应之扩散处理程序叫做「后驱入」，即一般的高温退火程序；基本上只维持炉管的驱入工作温度，扩散源却不再释放。或问曰：定搀杂量的起始边界条件自何而来？答案是「前扩散」制程结果；盖先前「前扩散」制作出之杂质浓度集中于表面，可近似一定搀杂量的边界条件也！至于为什么扩散要分成此二类步骤，当然不是为了投数学解析之所好，而是因应阻值调变之需求。原来「前扩散」的杂质植入剂量很快达到饱和，即使拉长「前扩散」的时间，也无法大幅增加杂质植入剂量，换言之，电性上之电阻率特性很快趋稳定；但「后驱入」使表面浓度及梯度减低(因杂质由表面往深处扩散)，却又营造出再一次「前扩散」来增加杂质植入剂量的机会。所以，借着多次反复的「前扩散」与「后驱入」，既能调变电性上之电阻率特性，又可改变杂质电阻之有效截面积，故依大家熟知之电阻公式 ；其中 是电阻长度，可设计出所需导电区域之扩散程序。4、扩散之其它要点，简述如下：(1)扩散制程有批次制作、成本低廉的好处，但在扩散区域边缘，有侧向扩散的误差，故限制其在次微米 (sub-micron) 制程上之应用。(2)扩散之后的阻值量测，通常以四探针法（four-point probe method）行之，示意参见图2-5。目前市面已有多种商用机台可供选购。(3)扩散所需之图形定义（pattern）及遮掩（masking），通常以氧化层（oxide）充之，以抵挡高温之环境。一微米厚之氧化层，已足敷一般扩散制程之所需。三、化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition；CVD)到目前为止，只谈到以高温炉管来进行二氧化硅层之成长。至于其它如多晶硅 (poly-silicon)、氮化硅 (silicon-nitride)、钨或铜金属等薄膜材料，要如何成长堆栈至硅晶圆上？基本上仍是采用高温炉管，只是沿着不同的化学沉积过程，有着不同的工作温度、压力与反应气体，统称为「化学气相沉积」。即是化学反应，故免不了「质量传输」与「化学反应」两部份机制。由于化学反应随温度呈指数函数之变化，故当高温时，迅速完成化学反应。换言之，整体沉积速率卡在质量传输 (diffusion-limited)；而此部份事实上随温度之变化，不像化学反应般敏感。所以对于化学气相沉积来说，如图2-11所示，提高制程温度，容易掌握沉积的速率或制程之重复性。然而高制程温度有几项缺点：1.高温制程环境所需电力成本较高。2.安排顺序较后面的制程温度若高于前者，可能破坏已沉积之材料。3.高温成长之薄膜，冷却至常温后，会产生因各基板与薄膜间热胀缩程度不同之残留应力 (residual stress)。所以，低制程温度仍是化学气相沉积追求的目标之一，惟如此一来，在制程技术上面临之问题及难度也跟着提高。以下，按着化学气相沉积的研发历程，分别简介「常压化学气相沉积」、「低压化学气相沉积」、及「电浆辅助化学气相沉积」：1、常压化学气相沉积 (Atmospheric Pressure CVD；APCVD)最早研发的CVD系统，顾名思义是在一大气压环境下操作，设备外貌也与氧化炉管相类似。准备成长的材料化学蒸汽自炉管上游均匀流向硅晶，至于何以会沉积在硅晶表面，可简单地以边界层 (boundary layer) 理论作定性说明：当具黏性的化学蒸汽水平吹拂过硅芯片时，硅芯片与炉管壁一样，都是固体边界，沿着靠近芯片表面约1mm的边界层内速度的大量变化(由边界层外缘之蒸汽速度减低到芯片表面之0速度)，会施予一拖曳外力，拖住化学蒸汽分子；同时，因为硅芯片表面温度高于边界层外缘之蒸汽温度，芯片将释出热量，来供给被拖住之化学蒸汽分子在芯片表面完成薄膜材质解离析出所需能量。所以基本上，化学气相沉积就是大自然「输送现象」(transport phenomena) 的应用。常压化学气相沉积速度颇快，但成长薄膜的质地较为松散。另外，如果晶圆不采用水平摆放的方式 (太浪费空间)，薄膜之厚度均匀性 (thickness uniformity)不佳。2、低压化学气相沉积 (Low Pressure CVD；LPCVD)为进行50片或更多晶圆之批次量产，炉管内之晶圆势必要垂直密集地竖放于晶舟上，这明显产生沉积薄膜之厚度均匀性问题；因为平板边界层问题的假设已不合适，化学蒸汽在经过第一片晶圆后，黏性流场立即进入分离 (separation) 的状态，逆压力梯度 (reversed pressure gradient) 会将下游的化学蒸汽带回上游，而一团混乱。在晶圆竖放于晶舟已不可免之情况下，降低化学蒸汽之环境压力，是一个解决厚度均匀性的可行之道。原来依定义黏性流特性之雷诺数观察，动力粘滞系数ν随降压而变小，如此一来雷诺数激增，而使化学蒸汽流动由层流 (laminar flow) 进入紊流 (turbulent flow)。有趣的是紊流不易分离，换言之，它是一种乱中有序之流动，故尽管化学蒸汽变得稀薄，使沉积速度变慢，但其经过数十片重重的晶圆后，仍无分离逆流的现象，而保有厚度均匀，甚至质地致密的优点。以800℃、1 torr（托；真空度单位）成长之LPCVD氮化硅薄膜而言，其质地极为坚硬耐磨，也极适合蚀刻掩膜之用 (沉积速度约20分钟0.1微米厚。)3、电浆辅助化学气相沉积 (Plasma Enhanced CVD；PECVD)尽管LPCVD已解决厚度均匀的问题，但温度仍太高，沉积速度也不够快。为了先降低沉积温度，必须寻找另一能量来源，供化学沉积之用。由于低压对于厚度均匀性的必要性，开发低压环境的电浆能量辅助(电浆只能存在于10~0.001托下)，恰好补足低温环境下供能不足的毛病，甚至于辅助的电浆能量效应还高于温度之所施予，而使沉积速率高过LPCVD。以350℃、1 Torr成长之PECVD氮化硅薄膜而言，其耐磨之质地适合IC最后切割包装 (packaging) 前之保护层 (passivation layer) 使用 (沉积速度约5分钟0.1微米厚。)PECVD 与 RIE 两机台之运作原理极为相似，前者用电浆来辅助沉积，后者用电浆去执行蚀刻。不同之处在于使用不同的电浆气源，工作压力与温度也不相同。四、洁净室 （clean room）一般的机械加工是不需要洁净室(clean room)的，因为加工分辨率在数十微米以上，远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位都是以微米计算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可能影响到其上精密导线布局的样式，造成电性短路或断路的严重后果。为此，所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，这就是洁净室的来由。洁净室的洁净等级，有一公认的标准，以class 10为例，意谓在单位立方英寸的洁净室空间内，平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。所以class后头数字越小，洁净度越佳，当然其造价也越昂贵。为营造洁净室的环境，有专业的建造厂家，及其相关的技术与使用管理办法如下：1、内部要保持大于一大气压的环境，以确保粉尘只出不进。所以需要大型鼓风机，将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。2、为保持温度与湿度的恒定，大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。换言之，鼓风机加压多久，冷气空调也开多久。3、所有气流方向均由上往下为主，尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配，使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。5、所有人事物进出，都必须经过空气吹浴 (air shower) 的程序，将表面粉尘先行去除。6、人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源，为此务必严格要求进出使用人员穿戴无尘衣，除了眼睛部位外，均需与外界隔绝接触 (在次微米制程技术的工厂内，工作人员几乎穿戴得像航天员一样。) 当然，化妆是在禁绝之内，铅笔等也禁止使用。7、除了空气外，水的使用也只能限用去离子水 (DI water, de-ionized water)。一则防止水中粉粒污染晶圆，二则防止水中重金属离子，如钾、钠离子污染金氧半 (MOS) 晶体管结构之带电载子信道 (carrier channel)，影响半导体组件的工作特性。去离子水以电阻率 (resistively) 来定义好坏，一般要求至17.5MΩ-cm以上才算合格；为此需动用多重离子交换树脂、RO逆渗透、与UV紫外线杀菌等重重关卡，才能放行使用。由于去离子水是最佳的溶剂与清洁剂，其在半导体工业之使用量极为惊人！8、洁净室所有用得到的气源，包括吹干晶圆及机台空压所需要的，都得使用氮气 (98%)，吹干晶圆的氮气甚至要求99.8%以上的高纯氮！ 以上八点说明是最基本的要求，另还有污水处理、废气排放的环保问题，再需要大笔的建造与维护费用!

半导体二极管及应用

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184) Short Channel Effect短通道效应当MOS组件愈小，信道的长度将随之缩短，电晶体的操作速度将加快，但是，MOS电晶体的通道长度并不能无限制缩减，当长度缩短到一定的程度之后，各种因通道长度变小所衍生的问题便会发生，这个现象称为“短通道效应”。185)Selectivity选择性两种材抖，分别以相同的酸液或电浆作蚀刻其两蚀刻率的比值，谓之:例如，复晶电浆蚀：对复晶的蚀刻率为2OO0Å /min (分)对氧化层的蚀刻率为20OÅ /min (分)则复晶对氧化层的选择性:S20OO Å/minS= ＝10 2OO Å/min 选择性愈高表示蚀刻特性愈好，一般干式蚀刻选择性较化学湿蚀刻为差，吾人取较高的选择性的目的即在于电浆蚀刻专心蚀刻该蚀刻的氧化层，而不会伤害到上层光阻或下层氧化层，以确保蚀刻的完整性。 186) Silicide硅化物 一般称为硅化物 (Silicide)，指耐火金属 (Refratory Metal)的硅化物，如钛(Ti)、钨(W)、钼 (Mo)等元素硅(Si)结合而成的化合物 (TiSi2、WSi2、MoSi2)。硅化物应用在组件的目的，主要为降低金属与硅界面、闸极或晶体管串连的阻抗，以增加组件的性能。以钛的硅化物为例，其制造流程如下所示：[/td][td][/td]187) Silicide金属硅化物"Silicide"通常指金属硅化物，为金属舆硅的化合物。在微电子工业硅晶集成电路中主要用为： (1) 导体接触(Ohmic Contact)(2) 单向能阻接触(Schottky Barrier Contact) (3) 低阻闸极(Gate Electrode)(4) 组件间通路(Interconnect) 在VLSI(超大型积逞电路)时代中，接面深度及界面接触面积分别降至次微米及1-2平方毫米。以往广泛应用为金属接触的Al，由于严重的穿入半导靠问题，在VLSI中不再适用。再加上其它技术及应用上的需求，金属硅化物在集成电路工业上日益受重视。 用于集成电路中的金属硅化物限于近贵重(Pt，Pd，Co， Ni，…)及高温金属(Ti，W，Mo，Ta)硅化物。188) Silicon硅硅--SI (全各SILICON)为自然界元素的一种，亦即我们使用的硅芯片组成元素，在元素周期表中排行14，原子量28.09，以结晶状态存在(重复性单位细胞组成)，每一单位细胞为田一个硅原子在中心，与其它4个等位硅原子所组成的四面体(称为钻石结构)如图标中心原子以其4个外围共价电子与邻近的原子其原形或其价键的结合。硅元素的电子传导特性介于金属导体与绝缘体材料的间(故称半导体材料)，人类可经由温度的变化，能量的激发及杂质渗入后改变其传导特性，再配合了适当的制程步骤，便产生许多重要的电子组件，运用在人类的日常生活中。189) Silicon Nitride氮化硅氮化硅是SixNy的学名。这种材料跟二氧化硅有甚多相似处。氮化硅通常用低压化学气相沈积法或电浆化学气相沉积法所生成。前者所得的薄膜品质较佳，通常作IC隔离氧化技术中的阻隔层，而后者品质稍差，但因其沉积时温度甚低，可以作IC完成主结构后的保护层。190) Silicon Dioxide二氧化硅即SiO2，热氧化生成的二氧化硅其特性是a) 无定型结构b) 很容易与硅反应得到c) 不容于水d) 好的绝缘性e) SiO2/Si界面态电荷低通过不同方式制得的二氧化硅在IC制程中的应用：l缓冲层（buffer layer）l隔离层（isolation)l幕罩层（masking layer）l介电材料（dielectric）l保护层（passivation）191) SOI(Silicon On Insulator)绝缘层上有硅 SOI“绝缘层上有硅”是指将一薄层硅置于一绝缘衬底上。晶体管将在称之为"SOI" 的薄层硅上制备。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流，提高开关速度，降低功耗，实现高速、低功耗运行。作为下一代硅基集成电路技术，SOI广泛应用于微电子的大多数领域，同时还在光电子、MEMS等其它领域得到应用。 192) Siloxane硅氧烷硅氧烷是用来与含有Si-O网络相溶的有机溶剂，本身含有有机类的官能基，如CH3和C6H5，是属于有机性的SOG来源，这些官能基，可以帮助改善这种SOG层的抗裂能力。193) S.O.G.Spin on Glass旋涂式玻璃旋制氧化硅 (Spin on Glass)是利用旋制芯片，将含有硅化物的溶液均匀地平涂于芯片上，再利用加热方式与溶剂驱离，并将固体硅化物硬化成稳定的非晶相氧化硅。其简单流程如下:旋转平涂→加热烧烤→高温硬化 (~450℃)旋制氧化硅是应用在组件制造中，金属层间的平坦化(Planization)，以增加层与层之间的接合特性，避免空洞的形成及膜的剥裂。其结构如图表示: 194) Solvent溶剂1两种物质相互溶解混合成一种均匀的物质时，较少的物质被称为溶质，较多的物质，被称为溶剂。例如:糖溶解于水中．变成糖水，则糖为溶质，水为溶剂，混合的结果，称为溶液。2 溶剂分有机溶剂与无机溶剂两种:2-1有机溶剂:分子内含有碳(C)原子的，称为有机溶剂，例如:丙酮(CH3COCH3),IPA(CH3CHOHCH3)2-2无机溶剂:分子内不含有碳(C)原子的称为无机溶剂 例如:硫酸(H2SO4)，轻氟酸(HF)3 在FAB内所通称的溶剂，一般是指有机溶剂而言212) Source源极位于MOS电容器旁，电性与硅底材相反的半导体区，且在上加压。213) Spacer间隙壁隔离闸极与其它两个MOS电极，利用它与闸极所形成的结构，来进行S/D的重掺杂。214) SPC （Statistical Process Control）统计，过程，控制英文的缩写，是一种质量管理方法。自制程中搜集资料，加以统计分析，并从分析中发觉异常原因，采取改正行动，使制程恢复正常，保持稳定，并持续不断提升制程能力的方法。ü 因制程具有变异，故数据会有变异，而有不同的值出现稳定时，其具有某种分配型态ü 制程为一无限母体，只能以抽样方式，抽取少数的样本，以推测制程母体的情况ü 故运用 “统计手法” 作为制程分析、管制及改善 的工具。SPC的目的Ø 维持正常的制程 (Under Statistical Control) 事先做好应该做的 (标准，系统) – ex：monitor，机台操作程序 制程异常发生能侦测出，并除去之，防止其再发Ø 能力要足 (Capable Process) 能力指标提升能力 – 持续改善 (广义) 215) Specification(SPEC)规范是公司标准化最重要的项目之一，它规定了与生产有关事项的一切细节，包括机台操作，洁净室，设备及保养，材料，工具及配件，品管，可靠性，测试‥‥等等。 IC制造流程复杂，唯有把所有事项巨细靡遗的规范清楚，并确实执行，才可能做好质量管理。所有相关人员尤其是现场操作人员底随时确实遵照规范执行，检讨规范是否合理可行，相关规范是否有冲突，以达自主管理及全员参与标准化的目标。216) Spike尖峰硅在400°C左右对铝有一定的固态溶解度，因此沉积在硅表面上的铝，当制程有经历温度约400°C以上的步骤时，Si因扩散效应而进入铝，且铝也会回填Si因扩散所遗留下来的空隙，而在铝与硅底材进行接触的部分。217) Spike TC针型热电偶218) Spin Dry旋干通过高速旋转产生的离心力把硅片表面水滴驱除219) SPM （Sulfuric acid , hydrogen-Peroxide Mixing）用于中CR clean，化学组成是H2SO4+H2O2(120℃)能去除严重有机污染H2SO4 + H2O2 → H2SO5 + H2OH2SO5 + PR → CO2 + H2O + H2SO4必须不断补充H2O2220) Sputtering溅镀，溅击利用电浆所产生的离子，借着离子对被溅镀物体电极的轰击，使电浆的气相（VaporPhase）内具有被镀物的原子或离子，到达芯片表面并进行沉积。221) Standard Clean:标准清洗又叫RCA清洗。由SPM/APM/HPM组成，SPM为H2SO4和H2O2以4：1混合，APM为NH4OH和H2O2及D.I. WATER以1：1：5或0.5：1：5的比例混合，HPM为HCL和H2O2及D.I. Water以1：1：6的比例混合。标准清洗可以除去有机物、Particle和金属粒子，使芯片表面达到比较洁净的状态。222) Step coverage阶梯覆盖能力表征薄膜沉积时对晶片表面上不同几何结构的覆盖能力，简单地说，即膜层均匀性。如下图，当对表面有阶梯的晶片进行膜层沉积时，因为沉积角度不同等因素，导致洞口膜厚增加速率高于洞壁及洞底，这样的话沉积的膜层将无法完全填入洞中，极有可能造成孔洞（void）.223) Stress应力对固体物体所施与的外力或其本身所承受的内力，称为“应力（stress）”.224) Substrate底材一般而言半导体中提及的Substrate就是指Wafer225) Target靶译意为靶，一般用在金属溅镀(Sputtering) 也就是以某种材料，制造成各种形状，用此靶，当做金属薄膜溅镀的来源。226) TECN Temporary Engineering Change Notice临时性制程变更通知临时工程变更通知 (ECN)为工程师为了广泛收集资料，或暂时解决制程问题，而做的制程变更，此一临时性的变更将注明有效期限，以利生产作业。227) Teflon 铁氟隆聚四氟乙烯，一种耐酸耐腐蚀耐高温的材料，我们使用的某些cassette、特殊管路等均是用此种材料制得。228) Tensile Stress拉伸应力（参照192）因为热膨胀系数的不同，薄膜与底材产生了应力。当沉积薄膜的热膨胀系数高于底材，冷却后是薄膜承受了一个拉伸应力。229) TEOS（Tetraethylorthosilicate）四乙基正硅酸盐，含有硅与碳、氢与氧的有机硅源，化学分子式是Si(OC2H5)4，其沸点较高，常压下约（169℃）。在CVD制程的应用上， TEOS在足够的温度下TEOS进行反应而产生二氧化硅Si（OC2H5）4SiO2+4C2H4+2H2O目前制程此法用来做Spacer230) TCS三氯硅烷SiHCl3231) Thermal Expansion Coefficient 热膨胀系数反映物质受热膨胀程度的特性。因温度变化而引起物质量度元素的变化。膨胀系数是膨胀－温度曲线的斜率，瞬时膨胀系数是特定温度下的斜率，两个指定的温度之间的平均斜率是平均热膨胀系数。膨胀系数可以用体积或者是长度表示，通常是用长度表示。232) Thermocouple热电偶测量温度之用。有两根不同材质的探头放入被测环境中，得到电压值，再将电压值转变为温度值。233) Thin Film薄膜234) Thin Film Deposition 薄膜沉积薄膜沉积形成的过程中，不消耗芯片或底材的材质。薄膜沉积两个主要的方向：①物理气象沉积，及②化学气象沉积。前者主要借着物理的现象，而后者主要是以化学反应的方式，来进行薄膜沉积。235) Thin Film Growth 薄膜成长底材的表面材质也是薄膜的形成部分元素之一，如：硅的氧化反应（以形成二氧化硅，以做MOS组件的介电材料）便是。236) Threshold Voltage启始电压VT 当我们在MOS晶体管的源极（Source）及汲极（Drain）加一个固定偏压后，再开始调整闸极（Gate）对基质（Substrate）的电压，当闸极电压超过某一个值之后，源极和汲极间就会产生电流而导通（Turn on），则我们就称此时的闸极电压称为临界电压（Threshold Voltage）。*NMOS晶体管的临界电压相对于基质为正。*PMOS晶体管的临界电压相对于基质为负。一般在制程上我们会影响临界电压的因素主要有二： 闸极氧化层厚度：Gate Oxide越厚，则Vγ（绝对质）越高。 基质渗杂的浓度：Vγ植入Dose越高，则Vγ越高。237) Throttle Valve 节流阀节流阀主要是由一个旋转式阀门及一个用来调整阀门位置的伺服马达所构成，因此只要输入适合的电流，伺服马达便会自动调节阀门的位置来改变节流阀的传导度，以控制真空系统的整体有效抽气速率。238) Throughput产能生产能力，如日产能、月产能、年产能。Through Put为单位工时的产出量，例如某机器每小时生产100片，则称其Through put = l00片/小时。如果每天运作21小时，则每天的Through put为2100片/天。 IC工业系许多昂贵且精密的设备投资，故必须充分利用，维持生产的顺畅，发挥其最大的效能。故高的Through put为我们评估机器设备的一项很重要的因素之一。除了设备上发挥其最大产能外，必须要配合人为的力量，如流程安排、故障排除、‥‥等，亦即必须"人机一体"才能发挥生产的整体效益，达到最高的生产力(Productivity)。239) Trichloroethane 三氯乙烷240) Trouble Shooting问题解答在生产过程，因为4M，即设备、材料、人为、方法等，造成的一切问题而阻碍生产。例如，机器Down机、制程异常…等。工程人员解决以上所发生的问题，使这些"故障"消弭于无形谓之Trouble Shooting。241) Tungsten 钨一种金属。用以连接上下两层金属线的中间层，称为“钨插拔”。因为钨的熔点高，热膨胀系数又与硅相当，再加上以CVD法所沉积的钨的内应力并不高，且具备极佳的阶梯覆盖能力，以CVD法来沉积做为插拔用途的金属钨，以成为各VLSI量产厂商的标准制程之一。242) Ultra High Vacuum超高真空在超高真空条件下，单分子层容易形成，并能持续较长时间，这就可以在一个表面尚未被气体污染前，利用这段充分长的时间来研究其表面特性，如摩擦、黏附和发射等；另外，外层空间的能量传输和超高真空的能量传输相似，故超高真空可做空间模拟。真空度大于10-7Torr ，10-7~10-10 Torr的状态。[td=311]真空度压力低真空（Low Vacuum)760-1 torr中真空（Medium Vacuum)1- 10-3高真空（High Vacuum)10-3-10-7极高真空（Ultea High Vacuum)10-7~10-10 243) Ultrasonic Cleaning超音波清洗通过超音波原理进行的清洗。超音波振荡会产生气泡和紊流，气泡通过轰击爆破将Paticle带走，紊流直接将Paticle冲走。244) Uniformity均匀性（最大值－最小值）/（2*平均值），有两种均匀性：一种是一片Wafer的均匀性（within wafer），测得五个点，然后得到最大值最小值和平均值，再安公式计算。另一种是Wafe之间的均匀性(wafer to wafer)，同样测得最大值和最小值和平均值再计算均匀性。245) USG (Undoped SiO2)即没有搀杂的二氧化硅，LPCVD制得，一般沉积在BPSG下面，以防止BPSG中的P元素渗透到Si表面，影响组件的特性。246) Up Time使用率表示机台可以run货的时间，包含run货的时间及机台lost时间，即除down机时间247) Vacuum真空 真空系针对大气而言，一特定空间内的部份气体被排出，其压力小于1大气压。表示真空的单位相当多，在大气的情况下，通称为l大气压，也可表示为760torr或760mmHg或14.7psi。真空技术中，将真空依压力大小分为4个区域：1.粗略真空(Rough Vacuum) : 760~1 torr 2.中度真空(Medium Vacuum):1~10-3 torr3.高真空 (High Vacuum) : l0-3~10-7torr 4.超高真空(Ultra-High Vacuum): 10-7torr以下在不同真空，气体流动的型式与热导性等均有所差异，简略而言，在粗略真空，气体的流动称为黏滞流(Viscous Flow)。其气体分子间碰撞频繁，且运动具有方向性;在高真空或超高真空范围，气体流动称为分子流(Molecular Flow)，其气体分子间碰撞较少，且少于气体与管壁碰撞的次数，气体分子运动为随意方向，不受抽气方向影响。在热导性方面，中度真空的压力范围其与压力成正比关系﹒粗略真空与高真空区域，则无此关系。248) Vacuum Pump真空泵凡能将特定空间内的气体去除，以减低气体分子数目，造成某种程度的真空状态的机件，统称为真空邦浦。目前生产机台所使用的真空泵，可分为抽气式的有：旋片泵(ROTARY PUMP)，洛兹泵(ROOTS PUMP)，活塞泵(PISTON PUMP)，扩散泵(DIFFUSION PUMP)。及储气式的有：冷冻泵(CRYO PUMP)，离子泵 (ION PUMP)。 249) Viscosity黏度"黏度"一词专用于液体，意指当液体接受切应力时(指作用力方向与液体表面不垂直)，液体就会产生形变，所以便定义"黏度"来表示示体产生形变程度的大小。黏度是可以调整的，因为液体受切应力而形变是巨观形为的表现，所以在液体完全相溶前提下，可以加入不同黏度的溶剂来调整黏度。250) Vacuum System真空系统压力小于1标准大气压的系统。真空系统由以下部分组成：Pump、Valve、Pipe、Gauge、Chamber251) Valve阀控制气流开关和气体流量的组件。Valve主要有以下种类：气动阀（常开或常闭）、手动阀、电磁阀252) Vapor Phase气相相是一种单一均匀的成分的状态。气相是一种单一均匀的成分的气体状态253) Vapor Phase Deposition气相沉积一种薄膜沉积的方法，在气态下气体反应产物或蒸发物淀积在基体表面的薄膜技术。气相沉积可分为物理气相沉积和化学气相沉积。物理气相沉积又分为蒸镀和溅渡。化学气相沉积又分为APCVD、LPCVD和PECVD。254) Very Large Scale Integration超大规模集成电路255) Via金属与金属之间的通道256) VLF Vertical Laminar Flow垂直层流在流体的流动状态中，可分为层流 (Laminar Flow)及紊流(Turbulent Flow) 两种。界定值。一般流体流速较快者其流线 (streamiline)分子易受干扰，且雷诺数大易形成紊流，(雷诺数，惯性力/粘滞力)。在无尘室芯片制造场所内，其气流为稳定的层流，如此可将人员、机台等所产生的微尘带离。若为紊流，则微尘将滞流不去。因此在无尘室内机台的布置及人员的动作都以 257) Void 孔洞是一种材料缺陷，会影响材料的致密性，从而影响强度。 258) Wafer硅片硅晶圆材料（Wafer）是半导体晶圆厂（Fab）内用来生产硅芯片的材料，依面积大小而有三寸、四寸、五寸、六寸、八寸、十二寸（直径）等规格之分。一根八寸硅晶棒重量约一百二十公斤，切割成一片片的八寸晶圆后，送至八寸晶圆厂内制造芯片电路（Die），这些芯片电路再经封装测试等程序，便成为市面上一颗颗的ＩＣ。但因硅晶棒所切割出的晶圆片中，品质较好 者，称为生产晶圆（Prime Wafer），更高级者称为磊晶圆（Epi-Wafer），上述晶圆几乎都集中在硅晶圆棒的「中间」一段，头、尾两端所切割出的晶圆，出现瑕疵的比例较高，大多用做非生产用途，称为测试晶圆（共有Test Wafer或Dummy Wafer或Monitor Wafer等不等名称）， 一片测试晶圆的售价大约是生产晶圆的五成至六成。 259) Wafer Transfer System硅片传送系统 用以实现硅片传送的系统。如硅片的进出炉系统、硅片在cassette与boat、cassette与chamber间的传送系统等等。260) WELL/Tank井区 WELL即井区。在IC中的组件MOSFET(即金氧半场效晶体管)，常作两型(N及P)相接的方式，即CMOS技术。此时为区分这两种不同型的MOSFET，就须先扩散两个不同型的区域于IC中。此种区域即称为WELL区。261) Wet Oxidation湿式氧化一种热氧化的方式，其反应机理为：2H2+O2=2H2O 2H2O+Si=SiO2+2H2温度：875---1100℃ 特点: 生长速率快，但所生成SiO2的质量不好适用于Field oxide 262) Work Function功函数功函数：让电子脱离金属原子的临界能量如果一个能量为EF的金属价电子要脱离金属原子而成为自由电子，它至少获得W-EF的能量，这个能量就是我们所说的功函数。263) Yield良率即合格率，合格的产品占总产品的比例。

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GaNFast功率半导体建模(氮化镓)

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：III-V族半导体纳米线结构的光子学特性编号：JFSJ-21-075作者：炬丰科技 摘要：III-V 族半导体纳米线 (NW) 由于其沿纳米线轴对电子和光子的特殊横向限制，已显示出成为光学、光电和电子器件的巨大潜力。具有亚波长结构的半导体纳米线表现出强大的光学米氏共振，使其成为实现新型光学器件（如极端太阳能吸收器和宽带光捕获器件）的理想平台。这种特殊的一维光学 Mie 共振可以通过使用半导体核电介质壳 (CS) 和金属核半导体壳电介质外壳 (CSS) 纳米线异质结构来增强。 文章中，一种新颖的自上而下蚀刻方法来制造非常薄、高纵横比和垂直 III-V 族纳米线阵列，而无需光刻定义的掩模。在这项工作中，通过扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）提出并验证了纳米线阵列的形成机制。还对这些纳米线阵列进行了光学表征，例如光学反射率和拉曼光谱。通过使用这些纳米线阵列，可以实现宽带光捕获。接触电极，如氧化铟锡 (ITO)、银和铜，对具有不同带隙的半导体纳米线太阳能电池器件的影响，重点是光吸收。虽然传统的导电氧化物材料，如氧化铟锡 (ITO) 和氧化铝锌 (AZO)，已成功用于太阳能电池薄膜器件，但由于这些导电氧化物接触电极应用于一维纳米线器件，将具有不同的光学行为。纳米线中的一维光学 Mie 共振。金属接触电极，如银和铜，将具有与传统 ITO 接触电极相当的光学性能，而半导体纳米线器件接近一维极限。 如有侵权，请联系作者删除

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：用于半导体封装基板的化学镀 Ni-P/Pd/Au编号：JFSJ-21-077作者：炬丰科技 随着便携式电子设备的普及，BGA（球栅阵列）越来越多地用于安装在高密度印刷电路板上的半导体封装。在大多数 BGA 中，半导体芯片和封装基板是通过金线键合连接的。这些封装基板和主板通过焊球连接。为了满足这些连接所需的可靠性，封装基板两侧的端子均镀金。化学镀金在更高密度的封装基板中具有优势。然而，由于传统化学镀 Ni-P/Au 的可靠性不够，我们开发了一种新的化学镀 Ni-P/Pd/Au 涂层，以确保足够的可靠性。 如图 1 所示，在大多数 CSP 和 BGA 中，半导体芯片和封装基板是通过金线键合连接的。印刷电路板和封装基板通过焊球连接。为了满足这些连接所需的可靠性，封装基板两侧的端子表面均镀金。传统上，成熟的电解镀金技术早已用于封装基板的表面处理。半导体封装过程中会通过使电镀表面变形而降低引线键合的强度。另一个问题与焊球接头的可靠性有关。当 CSP 和 BGA 安装在印刷电路板上时，焊球将它们连接起来。与传统方法相比，焊球连接具有更少的连接面积，其中薄型小外形封装 (TSOP) 和四方扁平封装 (QFP) 的金属引线通过焊接连接。此外，引线没有缓解压力。最近，CSP 和 BGA 的焊点可靠性已在多项研究中得到检验。在这项工作中，我们研究了热处理后引线键合强度低的原因以及提高强度的可能性。我们还研究了焊球连接强度低的原因和可能的改进工艺。我们的研究结果表明，低引线键合强度是由镀金表面的镀镍扩散造成的。此外，我们发现焊球连接强度低的原因是金和镍之间形成了腐蚀层。本文讨论了一种新开发的由化学镀镍、钯和金组成的多层涂层系统，作为一种改进工艺。实验研究如下：用于引线键合研究的样品制备（内容略）焊点试件生产加工可靠性研究（内容略）引线键合可靠性评估（内容略）焊球接头可靠性评估（内容略） 结果与讨论：镀金引线键合可靠性（内容略）焊球接头可靠性（内容略） 总结：我们在对 CSP 或 BGA 等封装基板的化学镀金研究过程中进行了对热处理后引线键合可靠性和焊球接头可靠性的研究，公开了以下内容。化学镀金的引线键合可靠性（内容略）化学镀金的焊球接头可靠性（内容略） 如有侵权，请联系作者删除

原理半导体温差发电片是利用塞贝克效应（Seebeckeffect）又称作第一热电效应，通过温差发电，或者通过电流产生温差（即制冷片，是一种东西）的器件，多用在饮水机制冷、电子器件冷却，现在也开始用在余热回收方面。分类发电片内部是串联的小节点，节点数决定了发电片的功率，常见的有127个、199个、241个等等，越多则单位温差的电压越高、电流越大，当然价格也更贵。淘宝上比较普遍的是40mm*40mm 127的发电片，55mm*55mm 241的发电片。另外一个重要参数是...