SOT-227

SOT-227 FJ封装采用较大余量的芯片，以MD50HV16FJ产品为例，单颗芯片的尺寸为5.81mm*5.81mm,理论上的通流能力在33A，超出我们标称电流25A的30%，所以产品拥有更强的浪涌能力和更强的抗冲击能力。

日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，拓宽其SOT-227封装电源模块产品线，将有七款新器件采用ThunderFET® 功率MOSFET和标准、FRED Pt® 和沟槽式MOS势垒肖特基（TMBS®）二极管。

扬杰科技 YANGJIETECHNOLOGY SOT-227   车载模块FJ新封装   01     产品介绍 ◈ FJ封装体积小，可集成于车载功能部件。 ◈ FJ产品采用环保物料，符合RoHS

为了扩大QSiC SiC模块的选择范围，SemiQ推出了一系列采用SOT-227封装的1,200V MOSFET，可与或不与1,200V SiC肖特基二极管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC

40 A至240 A双二极管和单相桥式器件正向压降低至1.36 V，QC仅为56 nC 威世科技宣布，推出16款采用工业标准SOT-227封装的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基

Vishay 推出 15 款采用 SOT-227 小型封装的新型 FRED Pt 第五代 600V 和 1200V Hyperfast 和 Ultrafast 恢复整流器。

MODULE IGBT SOT-227

MODULE IGBT SOT-227

8月27日，在Elexcon2024深圳国际电子展上，威兆半导体正式发布了全新一代高性能碳化硅（SiC）MOSFET HCF2030MR70KH0，这款产品采用了紧凑高效的SOT-227封装，专为追求能效与高可靠性的功率转换系统而设计。

Vishay  MCB ISOA 器件通过 AEC-Q200 认证 采用 SOT-227 小型封装 可直接安装在散热器上 具有高脉冲处理能力 功率耗散达 120 W Vishay  推出一款通过

器件通过 AEC-Q200 认证，采用 SOT-227 小型封装，可直接安装在散热器上，具有高脉冲处理能力，功率耗散达 120 W   美国 宾夕法尼亚 MALVER N 、中国 上海 — 2023

MOD DIODE 45V SOT-227

MOD DIODE 400V SOT-227

MOD DIODE 600V SOT-227

MOD DIODE 600V SOT-227

MOD DIODE 100V SOT-227

SOT-227 - SINGLE SWITCH IGBT + A

MOD DIODE 1200V SOT-227

MODULES IGBT - SOT-227 IGBT

MOD DIODE 1000V SOT-227

MOD DIODE 1200V SOT-227

MOD DIODE 200V SOT-227

MOD DIODE 100V SOT-227

IGBT 1200V 100A SOT-227

MOSFET N-CH 300V 76A SOT-227

MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227

IGBT 600V 100A 250W SOT-227

IGBT 1200V 84A 431W SOT-227

MOSFET N-CH 500V 36A SOT-227

MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227