引人注目的新存储器包括：相变存储器（PCM）、铁电存储器（FeRAM）、磁阻RAM（MRAM）、电阻RAM（RRAM或 ReRAM）、自旋转移力矩RAM（STT-RAM）、导电桥RAM（CBRAM
2017-02-21 11:05:47
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的存储器技术，以替代闪存技术，更有效地缩小存储器，提高存储性能。这篇文章将分析新的主要的基于无机材料的非易失性存储器技术，如铁电存储器 (FeRAM)、磁阻存储器(MRAM)和相变存储器(PCM)，以及主要的基于铁电或导电开关聚合物等有
2017-12-18 10:02:214925 
8月5日，在美国举行的MRAM开发者日活动上，Yole Development分析师Simone Bertolazzi分享了MRAM技术和市场的最新趋势。他指出，MRAM作为下一代非易失性存储器的替代者市场正在迅速扩大。到2024年，MRAM的市场规模将增加40倍。
2019-08-08 12:02:219526 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 是一种非易失性存储器技术，它依靠两个铁磁层的（相对）磁化状态来存储二进制信息。多年来，出现了不同风格的 MRAM 存储器，这使得 MRAM 对缓存应用程序和内存计算越来越感兴趣。
2022-07-26 11:08:341864 
作为当今存储技术领域的热点之一，非易失性存储器（FeRAM）正逐渐成为市场上的主流存储解决方案。
2024-01-11 17:13:27796 
MRAM在读写方面可以实现高速化，这一点与静态随机存储器(SRAM)类似。由于磁体本质上是抗辐射的﹐MRAM芯片本身还具有极高的可靠性，即MRAM本身可以免受软错误之害。MRAM可以做到与动态随机
2020-11-26 16:23:24
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点，同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器，因此有可能会赢得巨大的市场(见表1)。具体在功能方面，自旋注入MRAM与闪存一样
2022-02-11 07:23:03
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点，同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器，因此有可能会赢得巨大的市场(见表1)。具体在功能方面，自旋注入MRAM与闪存一样
2023-04-07 16:41:05
MRAM的存储原理
2020-12-31 07:41:19
磁阻式随机存储器(MRAM)是一种新型存储器,其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM存储器运用于计算机存储系统中。MRAM因具有许多优点,有取代SRAM
2020-11-06 14:17:54
这几种存储器的共同特点其实是掉电后，所存储的数据不会消失，所以可以归类为非易失性存储器(即Non-Volatile Memory)。SRAM、DRAM的共同特点是掉电后数据会丢失，所以也可称为易失性
2012-01-06 22:58:43
1. 存储器理解存储器是计算机结构的重要组成部分，存储器是用来存储程序代码和数据的部件，有了存储器计算机才具有记忆功能。按照存储介质的特性，可以分“易失性存储器”和“非易失性存储器”两类，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
所谓的寄存器、内存等用于存储信息的复杂结构。存储器的分类存储器分为易失性存储器和非易失性存储器；所谓易失性存储器是指设备掉电，存储的信息自动清除，而非易失性存储器具有存储时间长的功能。易失性存储器主要指
2021-12-10 06:54:11
本篇文章介绍的是非易失性存储器EEPROM与内存Flash消耗能量计算。
2020-12-31 06:11:04
存储设备，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之间的差异Flash和EEPROM均被视为非易失性存储器。非易失性存储器意味着该设备能够保存数据且无需持续供电，即使关闭电源也能保存
2023-04-07 16:42:42
非易失性存储器平衡方法
2021-01-07 07:26:13
非易失性存储器的特点及应用介绍
2012-08-20 12:54:28
EVERSPIN非易失性存储器嵌入式技术
2020-12-21 07:04:49
Flash存储器是一种基于浮栅技术的非挥发性半导体存储器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等几种类型。作为一类非易失性存储器 ,Flash存储器具有自己独特的优点:不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
SST26VF064B存储器IoT设备设计需要考虑哪些问题？非易失性存储器怎么选择？
2021-06-15 07:57:36
STT-MRAM万能存储器芯片
2021-01-06 06:31:10
MRAM，即磁阻式随机访问存储器的简称，兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM，属于MRAM的二代产品，解决了MRAM写入信息
2021-12-10 07:06:51
你好，作为NVSRAM的一部分，非易失性存储器的耐力E/P周期是多少？最好的问候，井上 以上来自于百度翻译 以下为原文Hi, How much are endurance E/P cycles
2018-10-19 15:57:30
的测试系统应运而生。本文提出了一种多功能存储器芯片的测试系统硬件设计与实现，对各种数据位宽的多种存储器芯片（SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等）进行了详细的结口
2019-07-26 06:53:39
，并且它还表示在BTXXTALYSTRAP0SP0和BTXXTALYSTRAPHL1上的1的值使得CYW20706／07能够读取来自非易失性存储器。问题：你能帮助我理解如何将XTAL频率信息存储到
2018-11-15 15:55:17
我需要把一个数组保存到非易失性存储器中，这样我就可以通过电源周期来维护数据。我已经看到EEPROM模块，并考虑使用这一点，但我不确定这个模块的操作。我试图做到以下几点：我想保存到非易失性存储器阵列
2019-07-24 13:39:00
常用存储器存储器的种类RAM存储器非易失性存储器存储器的种类易失性存储器： 掉电数据会丢失读写速度较快内存非易失性存储器：掉电数据不会丢失读写速度较慢机械硬盘RAM存储器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
您好，我在MCU上使用程序内存的一部分作为NVM（非易失性存储器）。我已经设法写和读，但是现在我面临的问题是，我想避免编译器覆盖我用于NVM的程序内存空间。MCU是PIC32 MX230F064 D。程序存储器的最后一页是NVM的一页。谢谢，问候，
2019-09-18 10:31:51
新兴存储器MRAM与ReRAM嵌入式市场
2020-12-17 06:13:02
汽车系统的设计变得越来越复杂，因为要不断的加入新的功能，如高级驾驶辅助，图形仪表，车身控制和车辆信息娱乐系统。为了确保可靠、安全的操作，每个子系统均需要使用特定的非易失性存储器，以便在复位操作和电源
2019-07-23 06:15:10
磁阻式随机存储器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
具有记忆功能。按照存储介质的特性，可以分“易失性存储器”和“非易失性存储器”两类。易失性存储器断电后，里面存储
2022-02-11 07:51:30
MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。MRAM技术仍远未
2020-04-15 14:26:57
和碰撞期间记录以上数据。显然，微控制器不能等到事故发生才开始记录数据。因此，微控制器需要连续存储数据。所以，EDR 需要一个具有几乎无限写次数的非易失性存储器。 MRAM 存储器比 ADAS 的传统
2018-05-21 15:53:37
随机存取存储器）和OUM(Ovshinsky电统一随机存取存储器)，三者科技内涵各有所长,市场预测尚难预料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯电子要介绍的是关于非易失性MRAM的单元结构
2020-10-20 14:34:03
S25FS128SDSNFI100，MirrorBit®闪存非易失性存储器 1.8 V带CMOS I/O的单电源 具有多I/O的串行外围接口
2023-02-07 14:23:17
面向纳电子时代的非易失性存储器
摘要
目前主流的基于浮栅闪存技术的非易失性存储器（NVM）技术有望成为未来几年的参考技术。但是，闪存本身固有的
2009-12-25 09:37:28636 非易失性存储器的可配置性
随着消费者要求新产品定期增加功能或提高应用灵活性，开发人员对修改系统应用功能的快捷性和简便性要求越来越高
2010-05-12 09:56:06843 
Synopsys, Inc.宣布：即日起推出面向多种180纳米工艺技术的DesignWare® AEON®非易失性存储器(NVM)知识产权(IP)。
2011-06-29 09:04:28983 汽车系统的设计变得越来越复杂，因为要不断的加入新的功能，如高级驾驶辅助，图形仪表，车身控制和车辆信息娱乐系统。为了确保可靠、安全的操作，每个子系统均需要使用特定的非易失性存储器，以便在复位操作和电源切换期间存储信息。
2018-04-29 11:02:007701 
半导体存储器可以简单分成易失性存储器和非易失性存储器，易失存储器在过去的几十年里没有特别大的变化，依然是以静态随机存取存储器（SRAM）、动态随机存取存储器（DRAM）为主，非易失存储器反而不断
2019-01-01 08:55:0011607 
MRAM是一种非易失性存储器，可与其他的NVM技术相媲美，如闪存，英特尔的Optane，以及FRAM和RRAM （图1）。每种NVM都有自己的优缺点。虽然MRAM的扩展性好，但其容量仍远低于NAND闪存， SSD中的高密度存储介质大都是NAND闪存。
2018-12-22 14:37:344678 非易失性存储器是指当电流关掉后，所存储的数据不会消失者的电脑存储器。非易失性存储器中，依存储器内的数据是否能在使用电脑时随时改写为标准，可分为二大类产品，即ROM和Flash memory。
2018-12-23 13:31:0010224 非易失性存储器技术是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候数据不会丢失的技术。非易失性存储器技术得到了快速发展，非易失性存储器主要分为块寻址和字节寻址两类。
2019-01-23 11:33:4117003 非易失性存储器技术是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候数据不会丢失的技术。非易失性存储器技术得到了快速发展，非易失性存储器主要分为块寻址和字节寻址两类。
2019-04-07 14:33:008357 MRAM)在新兴非挥发存储器中发展较为成熟，2018年主要供应商Everspin营收可望年增36%，2019~2020年以后，随GlobalFoundries、台积电、三星、联电等晶圆代工厂商逐步
2019-09-11 17:33:293274 目前新型存储器上受到广泛关注的新型存储器主要有相变存储器(PCM)，其中有以英特尔与美光联合研发的3D Xpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表;阻变存储器
2020-04-25 11:05:572584 
新兴的非易失性存储器技术主要有五种类型：闪存（Flash），铁电随机存取存储器（FeRAM），磁性随机存取存储器（MRAM），相变存储器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840 的网络开发和商业化，但首先让我们看一下当前存储器和新兴的非易失性存储器技术的特点，并了解为什么MRAM能够立足出来。 非易失性存储器技术的比较下表1比较了各种新兴的非存储器技术与已建立的存储器（SRAM，DRAM，NOR和NAND闪
2020-06-09 13:46:16847 
新式存储器技术队伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM，受惠技术、材料、设备等环节的关键突破，正迈向大规模量产的路上，眼前我们正处于见证存储器历史的转折点。新式存储器可分为独立型产品，以及嵌入于逻辑
2020-06-30 16:21:58910 高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车，工业，军事和太空应用。Everspin总代理英尚微电子提供技术支持产品解决方案。 下面介绍Everspin AEC认证的汽车应用MRAM MRAM非易失性存储器几乎可以在任何汽车系统中提高性能并降低成本， 以全总
2020-07-17 15:36:19681 
随着有希望的非易失性存储器架构的可用性不断增加，以增加并潜在地替代传统的易失性存储器，新的SoC级存储器测试和修复挑战正在出现。通过将自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）作为嵌入式MRAM技术
2020-08-04 17:24:263389 Everspin主要是设计制造和商业销售MRAM和STT-MRAM的领先者，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin MRAM产品应用在数据中心，云存储，能源
2020-08-17 14:42:142309 Everspin MRAM存储芯片如何用MRAM这类非易失性存储和NVMe SSD构建未来的云存储的解决方案。 首先STT-MRAM作为异常掉电数据缓存的介质有以下几大优势： 1. 非易失性存储器
2020-09-19 11:38:322609 经常有人将MRAM称作是非易失性存储器（NVRAM）未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术，MRAM存储芯片是可以在掉电时保留数据并且不需要定期刷新。MRAM存储芯片利用磁性材料和传统的硅电路
2020-09-24 16:19:431266 MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有SRAM的高速读取写入能力，以及DRAM的高集成度，基本上可以无限次地重复写入。专注于代理销售MRAM芯片等存储芯片供应商英尚微电子详细介绍关于MRAM
2020-10-21 14:32:591451 
SRAM为数据访问和存储提供了一个快速且可靠的手段。由系统电源或其他备用电源（如电池）供电时，他们就具有非易失性。表1给出了几种给定的非易失性存储器存储技术的优缺点。 表1非易失性存储器比较
2020-10-23 14:36:121516 
的非易失性，这的确是很诱人的，毕竟它让使用MRAM内存的电脑可以像电视或者收音机那样能够马上启动。除了MRAM，目前也有不少非易失性存储器，其中包括大家最为熟悉的磁盘〔硬盘、软盘）、Flash Memory（闪存）和EPROM。 作为内存储器，
2020-10-30 14:27:281188 磁阻式随机存储器MRAM是一种新型存储器，其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM运用于计算机存储系统中。同时非易失性MRAM存储器也应用于各级高速缓存
2020-11-09 16:46:48628 随机存取存储器（MRAM）最早于1980年代开发，并被推广为通用存储器。与其他存储技术不同，MRAM将数据存储为磁性元素，而不是电荷或电流。在性能方面由于使用足够的写入电流，因此MRAM与SRAM类似。但是这种依赖性也妨碍了它以更高的密度与
2020-11-20 15:45:59772 MRAM是磁阻式随机存取存储器（Magneto-resistiveRandom Access Memory ）的缩写。MRAM是一种非挥发性电脑存储器（ NVRAM ）技术，从20世纪90年代以来
2020-11-24 14:45:22483 MKW Ventures的Mark Webb表示，在接下来的十年中，两种新兴的非易失性存储器类型（相变存储器和磁RAM）将在独立存储器中处于领先地位。
2020-11-24 15:29:162516 “永久性存储器”通常是指驻留在存储器总线上的高性能，可字节寻址的非易失性存储设备。MRAM（磁性只读存储器）和 FRAM（铁电 RAM）都具有相似的性能优势：低电压运行，长寿命和极高的速度。它们
2020-12-14 11:30:00
38 MRAM在读写方面可以实现高速化，这一点与静态随机存储器（SRAM）类似。由于磁体本质上是抗辐射的﹐MRAM芯片本身还具有极高的可靠性，即MRAM本身可以免受软错误之害。 MRAM可以做到与动态随机
2020-11-25 14:32:19746 
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力;以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。 MRAM的存储原理 MRAM
2020-12-09 15:54:192403 
温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车，工业，军事和太空应用，这些对于MRAM开发人员来说是重要的部分。 那么MRAM的优势究竟有哪些呢？下面我们分几点一起来看看： 首先，MRAM是非易失性存储器，也就是断电后MRAM依旧可以保存数据。这一
2021-03-03 16:40:05955 非易失性存储器X24C44中文数据手册分享。
2021-04-14 10:20:486 非易失性存储器X24C45中文数据手册分享。
2021-04-14 10:30:0915 产品描述 MR3A16A是一款MRAM非易失性存储器，位宽为512K x 16。MR3A16A提供SRAM兼容的35ns读/写时序，具有无限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路
2021-04-30 16:33:21647 
，该系统将被搭载在日本的一颗研究卫星发射进入太空。 在数据存储的可靠性和持久性方面，同类产品无法与Everspin的MRAM产品相比， Everspin的4mbit MRAM器件取代了SpriteSat
2021-04-30 17:17:53325 领先地位。 MR1A16A概述 MR1A16A是一款具有2097152位的非易失性存储器并口mram，组织为131072个16位字。MR1A16A提供SRAM兼容
2021-06-08 16:37:17575 非易失性存储器S25FL512S手册免费下载。
2021-06-10 09:46:242 MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力，能够将存储存储器的密度与SRAM的速度相结合，同时具有非易失性和节能性。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车、工业、军事和太空应用。
2021-06-16 16:55:18795 Everspin MRAM是面向数据持久性和完整性、低延迟和安全性至关重要的市场和应用的翘楚。MR20H40CDF是位宽512Kx8的非易失性存储器MRAM，对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索
2021-08-18 16:24:00999 Everspin公司生产的MRAM用于数据持久性和应用的市场和应用。Everspin MRAM应用在数据中心和云存储、汽车和运输市场。MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力——能够将存储存储器的密度与 SRAM 的速度相结合，同时具有非易失性和节能性。
2021-08-17 16:26:191926 Everspin非易失性存储器MR25H40VDF是具有SPI接口的MRAM，MR25H40VDF是组织为512Kx8的4Mb非易失性RAM，采用标称3.3V电源供电，并且与FRAM兼容。它提供标准
2021-10-11 16:12:21621 自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点，同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器，因此有可能会赢得巨大的市场(见表1)。具体在功能方面，自旋注入MRAM与闪存一样
2021-12-07 15:21:108 MRAM即磁阻式随机访问存储器的简称。经过10多年不间断的研发，全球第一款正式量产并供货的MRAM芯片型号为MR2A16A，它采用44脚的TSOP封装...
2022-01-25 19:39:475 一些自旋电子存储器已经面世。MRAM（磁性随机存储器）已经商业化，在某些情况下可以取代电子存储器，但它是基于铁磁开关的。
2022-07-22 17:05:141596 电子发烧友网站提供《MCU片内非易失性存储器操作应用笔记.zip》资料免费下载
2022-09-22 10:00:540 DRAM属于易失性存储器，也就是大家常说的内存。今天，我们再来看看半导体存储的另一个重要领域，也就是非易失性存储器（也就是大家熟悉的闪存卡、U盘、SSD硬盘等）。
2022-10-13 09:24:131348 磁性随机存取存储器（MRAM）作为一种新兴的非易失性存储器，具有高读写速度、高续航能力、长存储时间和低功耗等特点。
2022-10-18 16:30:23663 MRAM是电池储备电源SRAM(BBSRAM)理想的替代产品。Everspin MRAM高速非易失性存储器，使用寿命几乎无限。所具有的综合性能是任何其他半导体存储器件都不能全部拥有的。
2022-11-21 17:08:44389 STT-MRAM非易失性随机存取存储器是一款像SRAM一样 高速、高耐久性、单字节访问的工作，也可以像ROM/Flash一样非挥发性，保留时间长的存储。MRAM供应商英尚微支持提供相关技术支持。
2022-11-29 15:57:581325 英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要快速存储和搜索数据和程序的应用程序来说，这是最理想的内存。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代NOR Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:55163 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器
2023-04-19 17:45:462548 MRAM是一种新型的非易失性存储器技术，与传统的存储器技术相比，MRAM具有更快的读写速度、更低的功耗、更高的可靠性和更长的寿命。
2023-05-23 17:34:15395 富士通半导体存储器解决方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存储器串行接口系列中密度最高的产品。目前已实现量产产品。 在不断变化的环境中，随着传感器信息数据量的增加和边缘计算的扩展，客
2023-08-04 11:55:04339 
如何充分利用单片机（MCU）的非易失性存储器 单片机（MCU）的非易失性存储器（NVM）是存储数据和程序的重要组成部分。它可以保留数据，即使在断电或复位后也不会丢失。为了充分利用MCU的NVM，我们
2023-12-15 10:10:49507
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