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耐600℃高温存储器问世，有助于开发极端环境下的应用

电子发烧友网（文/吴子鹏）近日，美国宾夕法尼亚大学科学家研制出一款可在600℃高温下持续工作60小时的存储器。据悉，目前市场上主流的存储器耐温极限是200℃，一旦超过了200℃便开始失效...

2024-05-07 标签：存储器 AI 1013

三星/SK海力士DRAM大幅扩产，恢复至削减前水平，存储新周期开启

电子发烧友网报道（文/吴子鹏）根据市场调研机构Omdia的研究报告，随着全球需求复苏，韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圆投入，有效结束减产。 Omdia在报告中...

2024-04-12 标签：DRAM 存储 SK海力士三星 3998

慧荣科技：闪存主控芯片主动式创新，迎生成式AI高增长

电子发烧友网报道（文/黄晶晶）2023年底慧荣科技进行组织架构调整，以适应不断增长的全球业务。该公司决定成立两大新的事业群：Client Display Interface Solution（ESDI）事业群。CAS事业群将负责消...

2024-03-29 标签：闪存 AI 慧荣科技生成式AI AI 慧荣科技生成式AI 闪存 4603

铠侠：PCIe Gen5 SSD袭卷2024年，闪存技术创新，加速生成式AI落地

电子发烧友网报道（文/黄晶晶）生成式AI是最近行业最火的话题，作为存储芯片国际大厂的铠侠，对于闪存在生成式AI时代的技术和应用有着前瞻的理解和举措。与此同时，铠侠也一直引领着...

2024-04-02 标签：闪存 SSD AI PCIe 铠侠生成式AI 7260

10.7Gbps，LPDDR5X还能继续卷性能

电子发烧友报道（文/周凯扬）随着DRAM标准的持续推进以及AI对内存带宽要求更高，这几年来新发布的DRAM产品都在强调其在AI应用上的优势，尤其是在端侧AI应用上。三星于最近发布了首个10.7G...

2024-04-28 标签：存储 DDR5 DDR5 存储 2224

国内首颗，精准纠错！德明利TWSC2985系列：支持4K LDPC技术的存储芯片

TWSC 2985 系列SD6.0存储芯片国内首颗支持4K LDPC纠错技术增强纠错、耐久可靠、性能升级随着移动计算和AI技术对数据存储需求的增加，德明利凭借在闪存技术及模组自主研发领域的深厚积淀，...

2024-04-26 标签：LDPC SD存储德明利 648

兆易创新今年Q1净利超2023全年，NOR Flash出货量已超212亿颗

电子发烧友网报道（文/刘静）近日，知名存储芯片厂商兆易创新发布《2023年年度报告》以及《2024年第一季度报告》。存储芯片行业在经历一段时间的市场波动后，目前正处于一个关键时期。多...

2024-04-25 标签：存储芯片 NOR flash 兆易创新 2258

北京大学-知存科技存算一体联合实验室揭牌，开启知存科技产学研融合战略新

5月5日，“北京大学-知存科技存算一体技术联合实验室”在北京大学微纳电子大厦正式揭牌，北京大学集成电路学院院长蔡一茂、北京大学集成电路学院副院长鲁文高及学院相关负责人、知存科...

2024-05-07 标签：算力知存科技存算一体 271

罗彻斯特电子推出一种可持续支持成熟微处理器的低密度解决方案

DDR双倍数据速率技术是在每个时钟信号周期内传输两次数据，可以实现以往同步DRAM设备传输速率的两倍。...

2024-05-07 标签：处理器 DDR3 141

佰维存储蝉联“2023年度南山区专精特新企业增加值十强”，展现高质量发展活

近日，被誉为一年一度南山企业界“奥斯卡奖”——2023年度南山区经济突出贡献企业TOP峰会圆满落幕，南山区政府领导与来自各行各业的领军企业齐聚一堂，共同见证过去一年引领行业进步，...

2024-05-06 标签：存储芯片佰维存储 1518

美光232层QLC NAND芯片已量产并出货，推出SSD新品

美光科技近期宣布，其创新的232层QLC NAND芯片已成功实现量产并已开始出货。这一里程碑式的成就标志着美光在NAND技术领域再次取得了显著进步，巩固了其在全球存储解决方案市场的领导地位。...

2024-04-29 标签：SSD 美光科技固态硬盘 NAND芯片 321

存储芯片行业曙光初现，上下游涨价拉锯战持续

进入4月，固态硬盘的现货价格保持稳定，甚至出现部分产品价格高于官方售价的倒挂现象，进而引发了跌价。...

2024-04-28 标签：DRAM 固态硬盘存储芯片 Nand flash 356

三星宣布量产第九代V-NAND芯片，位密度提升50%

在技术层面，第九代V-NAND无疑展现出了三星的卓越技术实力。它采用了双重堆叠技术，在原有的旗舰V8闪存236层的基础上，再次实现了技术上的重大突破，堆叠层数飙升至惊人的290层。...

2024-04-28 标签：NAND TLC V-NAND 三星 376

江波龙：收购Lexar（雷克沙）后美国长达7年的合规义务要求已全面终止

江波龙：收购Lexar（雷克沙）后美国长达7年的合规义务要求已全面终止近日，我国著名存储厂商江波龙欣然宣布，于4月24日顺利接收到来自美国司法部门的正式通知文件（即“终止函”）。这...

2024-04-26 标签：存储江波龙雷克沙 243

JesFS Flash文件系统：高效管理小型控制器大数据存储新方案

CC13xx/26xx系列处理器的Launchpad开发平台物美价廉，配备TI的CCSTUDIO[3]IDE，可以进行源代码调试。CC13xx/26xx开发平台配备了一片1MB的串行Flash存储器，大小只有2mmx3mm!...

2024-04-26 标签：控制器 FlaSh 数据存储文件系统 99

余震恰逢原厂缺货期，固态硬盘或迎新一轮涨价

今日凌晨，中国台湾东部的花莲县连续发生地震，最高强度为6.3级，震源深度10公里，据中国地震台网分析，本次地震均为4月3日台湾花莲县海域发生的7.3级地震的余震。中国台湾地区在全球半...

2024-04-23 标签：存储固态硬盘 1008

RDMA在高速网络中的应用及其实现策略

在大型模型应用领域，要获得最佳性能，关键在于精密配置，特别是当GPU与InfiniBand网卡协同工作时。这里参考了合作伙伴NVIDIA推出的DGX系统，它倡导了一种GPU与InfiniBand网卡一对一配对的设计理...

2024-04-22 标签：cpu gpu 适配器计算机网络 RDMA 97

AI时代的存储墙，哪种存算方案才能打破？

回顾计算行业几十年的历史，芯片算力提升在几年前，还在遵循摩尔定律。可随着如今摩尔定律显著放缓，算力发展已经陷入瓶颈。而且祸不单行，陷入同样困境的还有存储。从新标准推进的角...

2024-04-21 标签：存储 sram AI HBM 存算一体存内计算 2886

什么是相变存储器？如何表征相变材料及器件电学性能？

相变存储器（Phase-Change Random Access Memory，简称 PCRAM 或者PCM），是一种非易失性存储器，利用电能(热量)使相变材料在晶态(低阻)与非晶态(高阻)之间的相互转换来实现信息的存储和擦除，通过测...

2024-04-27 标签：存储器非易失性存储器 51

DDR SDRAM 和SDRAM的主要差异

DDR内存通过在时钟周期的上升沿和下降沿都传输数据，从而实现双倍数据率。这意味着在每个时钟周期内，DDR内存能够传输两次数据，提高了数据传输效率。...

2024-04-27 标签：DRAM SDRAM 存储器 DDR 内存 68

企业存储设备资源划分之存储基础实验探究

1.web访问存储管理页面 2.创建硬盘域根据业务需求调整硬盘域 3.在硬盘域之上创建存储池，分别创建一个文件及存储StoragePool002和块级存储StoragePool001...

2024-04-19 标签：Web 文件系统块存储 76

基于FPGA的内存128M flash芯片控制器设计方案

这款flash芯片的的存储是一个扇区4KB，一个扇区可以存256个字，一个字是8位，一个块是64KB，一共有256个块组成一个存储flash内存。...

2024-04-19 标签：FPGA FlaSh 内存状态寄存器芯片控制器 322

东芝日本裁员情况：计划裁员约5000人

据日本媒体报道，东芝计划在日本本土裁员约5000人，这一数字占其日本员工总数的近十分之一。...

2024-04-18 标签：东芝半导体器件机械硬盘 424

康盈半导体：嵌入式存储进阶，加速AI落地智能穿戴

电子发烧友网报道（文/黄晶晶）近日，TechInsights可穿戴设备研究服务指出，预计2024年，全球智能手表的销量将达到9100万台，同比增长5%；2025年增长率将进一步上升至近8%，到2026年将保持在7%以...

2024-04-18 标签：可穿戴设备嵌入式存储 892

铠侠公司重启上市计划

作为半导体存储器行业的佼佼者，铠侠始终站在市场和技术的前沿。在人工智能技术的持续渗透下，半导体存储器的需求呈现出稳健的增长态势。...

2024-04-17 标签：半导体存储器人工智能 Nand flash 铠侠 Nand flash 东芝存储器人工智能半导体存储器铠侠 384

3D DRAM进入量产倒计时，3D DRAM开发路线图

目前，各大内存芯片厂商，以及全球知名半导体科研机构都在进行3D DRAM的研发工作，并且取得了不错的进展，距离成熟产品量产不远了。...

2024-04-17 标签：处理器 DRAM 三星电子晶体管 3D DRAM 154

存储技术革新之战闪存与内存巨头竞相突破

三星在DRAM芯片工艺方面也取得了令人瞩目的突破。他们的DRAM芯片工艺已达到1b nm级别，并计划在今年内启动1c nm DRAM的量产工作。...

2024-04-16 标签：闪存 DRAM NAND闪存 SK海力士三星 440

美光发布新一代LPDDR5X内存，功耗降低4%

美光强调，这款新型内存不仅延续了为AI密集型应用提供稳定高带宽的传统优势，更在能效方面实现了显著突破。...

2024-04-15 标签：内存 AI 美光科技 SK海力士 LPDDR5 452

消息称三星Q2供应超微HBM3E 下半年启动大规模量产

HBM，即高带宽内存，以其独特的“楼房设计”概念，打破了传统DDR内存的设计局限，凭借出色的性能在市场中赢得了广泛认可。...

2024-04-15 标签：DDR内存 HBM 三星 HBM3E 653

四种不同类型的存储器介绍

ROM、RAM、DRAM和SRAM都是计算机存储技术的术语，它们代表了不同类型的存储器，各自有不同的特性和用途...

2024-04-15 标签：DRAM ROM sram RAM 随机存取存储器 148

三星电子即将开启290层V9 NAND芯片量产

市场研究机构Omdia的最新预测显示，尽管NAND闪存市场在2023年经历了下滑，但预计今年将迎来强劲反弹，增长率高达38.1%。...

2024-04-12 标签：NAND 三星电子存储芯片闪存技术 SK海力士 581

西部数据硬盘全线提价，AI需求激增与供应链紧张成涨价双引擎

西部数据高级副总裁Scott Davis在函件中明确指出，由于市场对HDD机械硬盘和SSD固态硬盘的需求远超预期，导致产品供应出现严重短缺。...

2024-04-11 标签：SSD AI 固态硬盘西部数据 HDD 470

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