模拟技术

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碳化硅器件的类型及应用

碳化硅是一种广泛用于制造半导体器件的材料，具有比传统硅更高的电子漂移率和热导率。这意味着碳化硅器件能够在更高的温度和电压下工作，同时保持稳定性和效率。...

2024-04-16 标签：功率器件半导体器件碳化硅 169

碳化硅在新型电力体系中的应用

目前STATCOM多采用GTO、IGBT及IGCT等全控型器件作为开关。如IGCT其耐压可达6.5kV，通断电流可达4000A。但在输电系统中，其电压电流等级仍然偏小，需要依靠多电平拓扑或器件串联，来提高耐压能力...

2024-04-16 标签：电力系统 IGBT 配电系统碳化硅稳压控制器 124

射频功率放大器功能介绍

PA应用极为广泛，在无线通信系统中，如手机、卫星通信、Wi-Fi、蜂窝网络等都需要射频功率放大器来提供足够的信号强度和覆盖范围。...

2024-04-16 标签：射频功率放大器无线通信低噪声放大器雷达系统 168

深度解析TVS关键参数及选型技巧

TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬态电压抑制器，又称雪崩击穿二极管。它是采用半导体工艺制成的单个 PN 结或多个 PN 结集成的器件。...

2024-04-16 标签：二极管 TVS 电压电压抑制器 193

有源晶振和无源晶振的区别

有源晶振和无源晶振的区别，有什么方法能快速辨别两者之间的不同;下面扬兴科技简单地介绍有源晶振和无源晶振定义，从定义中找到您想要的答案。...

2024-04-15 标签：有源晶振无源晶振扬兴科技 824

晶振工作原理及匹配电容选取方法

我们知道可以通过调节负载电容CL来微调振荡器的频率，这就是为什么晶振制造商在其产品说明书中会指定外部负载电容CL值的原因。通过指定外部负载电容CL值，可以使晶振晶体振荡时达到其...

2024-04-15 标签：电容振荡器晶振等效电路反馈电阻器 225

电感如何选型？常见的电感参数

电感是一种电路元件，它可以在自身磁场中储存能量。电感通过储存将电能转换为磁能，然后向电路提供能量以调节电流。当电流增加，磁场就会增强。...

2024-04-15 标签：DCDC变换器电感 DCDC 绝缘线电路元件 377

碳化硅（SiC）功率器件探讨：未来的能源解决方案

随着全球对更高效、更可持续能源解决方案的需求不断增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和电气特性而成为电力电子领域的一个重要进展。...

2024-04-15 标签：导通电阻功率器件 SiC 碳化硅太阳能逆变器 371

ADCs和DACs的性能指标、拓扑结构

讨论了不同的ADC和DAC架构，包括Flash型、逐次逼近寄存器（SAR）型、Pipelining型和时间交错型等。...

2024-04-15 标签：dac 模数转换器 ADCs DACs 逐次逼近寄存器 109

MOS管为什么会冒烟烧毁？MOS烧管的案例2分享

当VGS小于一定的电压值，DS极就会导通，适合用于S极接正电源的情况（高端驱动）。虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于其导通电阻大、价格贵、替换种类少等原因，在大部分应用中通...

2024-04-12 标签：示波器 MOS管 NMOS PMOS 电池保护板 716

IGBT无损缓冲吸收电路设计原理

电磁干扰严重。随着频率提高，电路中的di/dt和du/dt增大，从而使电磁干扰增大，影响变换器和周围电子设备的工作。...

2024-04-12 标签：二极管 IGBT 电磁干扰吸收电路开关器件 345

合科泰生产的高压MOS产品有哪些？

MOS管根据其耐压值可分为中低压MOS和高压MOS管，高压MOS也是基于场效应管的原理工作，通过控制栅极电压来调节源极和漏极之间的电流。与普通MOS管相比，高压MOS管能承受更高的电压和电流。...

2024-04-12 标签：开关电源电机控制 MOS管电压电流伺服驱动器 346

探讨氮化镓在汽车动力系统和激光雷达的应用

氮化镓（GaN）作为一种新兴的半导体材料，因其优异的电子特性和潜在的系统成本优势，在汽车和移动手机市场中展现出巨大的商业潜力。...

2024-04-12 标签：氮化镓 GaN 激光雷达汽车动力系统 246

合科泰半导体推出一款N沟道MOS管HKTQ80N03

MOS管有N沟道MOS和 P沟道MOS等，N沟道MOS是在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。...

2024-04-12 标签：锂电池电机驱动 DFN封装阈值电压 NMOS管 343

ADI二极管钳位电路设计应用

在此电路中，TVS管PTVS30VP1UP可以快速钳位一些瞬态的电压到30V，同时它的漏电流也非常非常小（25℃的时候典型漏电流为1nA），这个管子也很推荐大家使用，漏电流很小。...

2024-04-12 标签：二极管 BUCK 稳压管齐纳二极管钳位电路 258

缓冲放大器的几种类型介绍

电压缓冲放大器的作用是将电压从具有高输出阻抗的电路传输到具有低输入阻抗的另一个电路。通过在这两个电路之间插入缓冲器，可以防止第二个电路过度加载第一个电路，这可能会干扰其预...

2024-04-12 标签：放大器运算放大器缓冲放大器电阻抗 241

运算放大器采样保持电路的工作原理

采样和保持电路是一种电子电路，它创建作为输入的电压样本，然后将这些样本保持一定的时间。采样保持电路对输入信号产生采样的时间称为采样时间。...

2024-04-12 标签：电容器运算放大器输出波形模拟信号采样保持电路 613

深入探讨碳化硅功率器件优势、应用

碳化硅是一种宽带隙半导体材料，具有比硅（Si）更优越的物理和化学特性，包括更高的临界击穿场强、更大的热导率、更高的工作温度和更快的开关速度。...

2024-04-12 标签：变压器电感器功率器件 SiC 碳化硅 97

RECOM凭借新推出的RxxC1TF 1 W DC/DC转换器再次引领市场

这款完全稳压型转换器采用超紧凑 12 焊盘 LGA 封装，尺寸仅为 5 x 4 x 1.18 mm，提供 2.5 kVAC/1 min 的隔离电压，以及 3.3 V 或 5 V 可选输出电压。...

2024-04-11 标签：隔离电压物联网数据通信 RECOM dcdc转换器 292

MOS管栅极前加100Ω电阻原理分析

在MOSFET的栅极前增加一个电阻？ MOS管是电压型控制器件，一般情况下MOS管的导通，只需要控制栅极的电压超过其开启阈值电压即可，并不需要栅极电流。...

2024-04-11 标签：电阻 MOSFET MOS管电感谐振电路 210

瑞能半导体推出一种带隙大于传统硅基肖特基二极管的半导体器件

碳化硅（SiC）肖特基二极管是一种带隙大于传统硅基肖特基二极管的半导体器件。...

2024-04-11 标签：电动汽车肖特基二极管光伏逆变器碳化硅瑞能半导体 322

三安光电碳化硅业务迎来高成长契机

碳化硅功率器件及模块正加速从高端产品向下渗透。“现在售价为20万元以上的800V电动汽车，碳化硅功率器件渗透率约为一半，可以全驱配置，或只配置主驱。...

2024-04-11 标签：电动汽车逆变器光伏发电系统碳化硅宽禁带半导体 176

小米SU7碳化硅应用情况如何？

小米SU7单电机版，400V电压平台的电驱供应商为联合汽车电子，其中搭载了来自博世的碳化硅芯片，根据调研：其中搭载了博世第二代750V，6毫欧的芯片产品。...

2024-04-11 标签：永磁电机碳化硅 SiC MOSFET 小米SU7 739

全国最大8英寸碳化硅衬底生产基地落地山东？

作为技术应用最成熟的衬底材料，碳化硅衬底在市场上“一片难求”。碳化硅功率器件在新能源汽车中的渗透率正在快速扩大，能显著提升续航能力与充电效率，并降低整车成本。...

2024-04-11 标签：新能源汽车功率器件碳化硅 165

基本半导体推出一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块

BMF240R12E2G3是基本半导体为更好满足工业客户对高效和高功率密度需求而开发的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块，...

2024-04-11 标签：MOSFET 晶圆 DCDC变换器充电桩碳化硅 448

如何使用两个单向电流检测放大器？怎样使用最高效？

越来越多的应用需要快速准确地进行电流监控，包括自动驾驶汽车、工厂自动化和机器人技术、通信、服务器电源管理、D 类音频放大器和医疗系统。...

2024-04-11 标签：运算放大器电流检测占空比脉宽调制电流检测放大器负载电阻 817

镓未来TOLL&TOLT封装氮化镓功率器件助力超高效率钛金能效技术平台

珠海镓未来科技有限公司是行业领先的高压氮化镓功率器件高新技术企业，致力于第三代半导体硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 研发与产业化。...

2024-04-10 标签：半导体功率器件氮化镓 LED驱动电源 555

光电三极管的特性及结构示意图

光电三极管是一种半导体器件，能够感应光水平并根据其接收的光水平来改变在发射极和集电极之间流动的电流。顾名思义，光电三极管是一种晶体管，可以感应光并改变晶体管端子之间的电流...

2024-04-10 标签：场效应管 MOS管晶体管半导体器件光电三极管 454

关于光电三极管的简单介绍

光电三极管有塑封、金属封装、陶瓷、树脂等多种封装结构，引脚分为两脚型和三脚型。一般两个管脚的光电三极管，管脚分别为集电极和发射极，光窗口则为基极。...

2024-04-10 标签：三极管光敏三极管集电极光电三极管 538

碳化硅(SiC)功率器件特性及应用

碳化硅是一种宽带隙半导体材料，相比于传统的硅材料，具有更高的热导率、更大的电场击穿强度和更高的载流子迁移率等特点。...

2024-04-10 标签：电动汽车功率器件 SiC 碳化硅牵引逆变器 195

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