模拟技术

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RX23E-A 24bit ΔΣADC基础篇(2)用于传感器测量的Δ∑ADC的特性

世界上有各种各样的传感器，除了ΔΣADC之外，还需要各种电路来测量这些传感器。当处理微小信号时，您可能需要在执行AD转换之前放大信号。...

2024-04-10 标签：传感器缓冲器 adc 数字滤波器偏置电压可编程增益放大器 adc ADC 传感器偏置电压可编程增益放大器数字滤波器缓冲器 823

基于JEDEC栅电荷测试方法测量MOSFET的栅电荷

在栅极电荷方法中，将固定测试电流（Ig）引入MOS晶体管的栅极，并且测量的栅极源电压（Vgs）与流入栅极的电荷相对应。对漏极端子施加一个固定的电压偏置。...

2024-04-10 标签：MOSFET 电源管理晶体管 MOS 栅极电荷 218

深入对比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET

众多终端产品制造商纷纷选择采用SiC技术替代硅基工艺，来开发基于双极结型晶体管（BJT）、结栅场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）的...

2024-04-10 标签：MOSFET 场效应晶体管 SiC 碳化硅 Qorvo 1140

碳化硅器件在车载充电机（OBC）中的性能优势

碳化硅作为第三代半导体具有耐高温、耐高压、高频率、抗辐射等优异性能采用碳化硅功率器件可使电动汽车或混合动力汽车功率转化能耗损失降低20%，在OBC产品上使用碳化硅功率器件对于提升...

2024-04-10 标签：电动汽车功率器件碳化硅 OBC 车载充电器 157

深入探索芯片内部电路结构

SDA和SCL都是双向线路，都通过一个电流源或上拉电阻连接到正的电源电压。当总线空闲时，这两条线路都是高电平，连接到总线的器件输出级必须是漏极开路或集电极开路才能执行线与的功能。...

2024-04-10 标签：芯片振荡器场效应管电源电压 MOS 79

PIN二极管的结构图和工作原理分析

PIN二极管的结构由P型半导体、Intrinsic半导体和N型半导体三层组成。Intrinsic半导体层是一层轻掺杂的半导体，因此可忽略自由载流子。...

2024-04-09 标签：功率二极管 PIN二极管光电二极管 PIN 微波开关 901

雪崩光电二极管击穿原理图

雪崩光电二极管是利用PN结在高反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管。...

2024-04-09 标签：数据传输雪崩二极管光信号光电二极管 393

知识科普：一文看懂有源晶振和无源晶振的区别

有源晶振因其优异的特性，广泛应用于卫星通信、航空航天、精密计测仪器等高科技行业。例如，手机导航模块一般采用有源晶振，因为GPS模块每时每刻与卫星交互产能大量热量，而温补晶振可...

2024-04-09 标签：有源晶振无源晶振晶振晶体振荡器扬兴科技 707

IGBT栅极驱动关键注意事项

为了快速导通和关断 BJT，必须在每个方向上硬驱动栅极电流，以将载流子移入和移出基极区。当 MOSFET 的栅极被驱动为高电平时，会存在一个从双极型晶体管的基极到其发射极的低阻抗路径。...

2024-04-09 标签：MOSFET 晶体管寄生电容栅极电阻栅极驱动 140

碳化硅功率器件的应用优势

碳化硅具有比硅更高的热导率、更宽的能带宽度和更高的电子饱和漂移速度。这些特性使得SiC功率器件在高温、高频以及高电压应用中表现优异。...

2024-04-09 标签：功率器件 SiC 碳化硅 110

IGBT/三极管/MOS管这三种元器件之间有什么区别？

三极管的结构是给一块纯硅进行三层掺杂，其中较窄区域高浓度N型掺杂，含有大量自由电子，中间极窄区域普通浓度P型掺杂，含有少数空穴，上边较宽区域普通浓度N型掺杂，含有正常数量的电...

2024-04-09 标签：三极管 MOS管发射机 IGBT 基极电流 1187

如何利用LTspice轻松模拟工程电源与MEMS信号链设计

一般的共享电源和数据接口经过编码，可减少信号直流成分，从而在发送交流信号成分时简化系统设计。但是，许多数字输出传感器接口（例如，SPI和I2C）尚未经过编码，具有可变的信号直流成...

2024-04-09 标签：传感器以太网 mems 功率器件 LTspice 244

MOS管功能特性与实际应用场景解析

那这两张图是完全等价的，我们可以看到MOS管是有三个端口，也就是有三个引脚，分别是GATE、DRAIN和SOURCE。至于为啥这么叫并不重要，只要记住他们分别简称G、D、S就可以。...

2024-04-09 标签：MOS管 NMOS PWM 场效晶体管 252

如何看懂MOSFET数据表常见的数据

Qrr 甚至可以对测试执行性的二极管正向电流 (If) 具有更强的依赖关系。而进一步使事情复杂化的原因在于，某些厂商未将QOSS 作为一个单独参数包含在内，而是只将这个参数吸收到Qrr 的技术规...

2024-04-09 标签：MOSFET 电感器脉冲电流 153

Σ-Δ模数转换器(ADC)技术一览

摘要 Σ-Δ模数转换器是从脉宽调制器类积分型ADC演变而来的，其模拟部分相对容易实现、数字部分则比较灵活。随着技术的发展，Σ-ΔADC基本原理已结合不同量化器形成了有意义的变种。本应用...

2024-04-09 标签：模数转换器 379

深入解析MOS管的判别与导通条件

使用二级管,导通时会有压降,会损失一些电压。而使用MOS管做隔离，在正向导通时，在控制极加合适的电压，可以让MOS管饱和导通，这样通过电流时几乎不产生压降。...

2024-04-08 标签：二极管 MOS管适配器电压寄生二极管 156

RX23E-A中的24位ΔΣADC转换器和模拟前端介绍

RX23E-A MCU是32位RX MCU，具有内置FPU和高达256KB闪存，配有模拟前端（AFE），有助于测量压力、流量、温度和重量，精度小于0.1%。...

2024-04-08 标签：FFT 模数转换器温度控制器模拟前端 ADC转换器 577

基于FPGA的TLC5620数模转换（DA）设计

本设计采用串行数/模转换芯片TLC5620，TLC5620是一个拥有四路输出的数/模转换器，时钟频率最大可达到1MHz。...

2024-04-08 标签：FPGA 运算放大器数模转换器数模转换基准电源 329

探究50V μF级MLCC电容在24V/28V工况下短路的原因

大容值的MLCC电容，耐电压击穿电压波动能力其实是比较弱的，再加之电容生产过程的陶瓷介质片的厚度一致性难控制问题，电压波动、上电浪涌电压等场合下，MLCC电容被击穿也就在所难免了。...

2024-04-08 标签：电容 MLCC 钽电解电容 125

一文详解IGBT 模块的热设计和热管理

其中模块的铝键合引线与芯片的键合点较小，芯片工作中产生的热量主要通过热传导的方式由芯片向基板单向传递，在此过程中会遇到一定的阻力，称为导热热阻。...

2024-04-07 标签：芯片 IGBT 热管理半导体器件热设计 717

1500V光伏逆变器中的ANPC技术应用

在标准NPC的基础上，把钳位二极管换成主开关管，就形成了ANPC,用于解决NPC损耗分布不均带来的热不均根据不同的发波方式，开关管的电流会有所不同，以下分别讨论...

2024-04-07 标签：逆变器开关管光伏逆变器 ANPC 钳位二极管 147

基于TL431芯片搭建的恒流源电路

而根据上式计算结果输出电流应该是I = 2.495V / 2Ω = 1.2475A。但实际计算结果却小于该值，这是为什么呢？分析一下可知，流过电阻Rref的电流除了三极管的集电极电流Ic还有基极电流Ib。...

2024-04-07 标签：三极管运放电路 TL431 恒流源恒流源电路 858

全面的SiC功率器件行业概览

SiC功率器件市场正处于快速增长阶段，特别是在汽车电动化趋势的推动下，其市场规模预计将持续扩大。根据Yole Group的报告，汽车行业对SiC功率器件的需求主要来自于电动汽车动力系统的升...

2024-04-07 标签：新能源汽车晶圆功率器件 SiC 碳化硅 99

二极管15个关键核心要素

在二极管外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零。当正向电压大到足以克服PN结电场时，二极管正向导通，电流随电压...

2024-04-07 标签：二极管电子元器件电流整流电流负载电阻 146

如何增强SiC功率器件的性能与可靠性？

电动汽车 (EV) 市场的快速增长推动了对下一代功率半导体的需求，尤其是对碳化硅 (SiC) 半导体的需求尤为强劲。...

2024-04-07 标签：电动汽车半导体功率器件 SiC 热管理 330

如何快速设计过压保护电路

TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬态电压抑制器，也被称为雪崩击穿二极管，是一种二极管形式的高效能保护器件。...

2024-04-06 标签：二极管 TVS 过压保护 RS485 瞬态电压抑制器 171

放大器中关于ESD的实现方案

前端放大器的内部ESD二极管有时会用来箝位过压状况，但为了确保这种箝位能够提供充分可靠的保护，需要考虑许多因素。...

2024-04-03 标签：放大器串联电阻电阻 ESD二极管 105

什么是负反馈？运算放大器负反馈电路分析

正反馈提高了电路的放大能力（可以自己根据运放特性想象一下），在正反馈中，输入和输出信号的相位相似，因此两个信号相加，适用于振荡电路中。...

2024-04-06 标签：反馈电路运算放大器振荡电路负反馈电路 330

如何给电路选择最合适的MOS产品？选择MOS管时需考虑的关键要素

MOS作为一种非常常见的分立器件，它具有开关、放大、调压等作用。MOSFET是电压控制的管子，通常，MOS管损耗比三极管小,导通后压降理论上为0。...

2024-04-02 标签：MOS管导通电阻车载逆变器电压控制漏电流 658

驱动电路输出模式的推挽与开漏输出

推挽输出（Push-Pull Output），故名思意能输出两种电平，一种是推（拉电流，输出高电平），一种是挽（灌电流，输出低电平）。推挽输出可以使用一对开关来实现，在芯片中一般使用晶体管 ...

2024-04-06 标签：模拟电路上拉电阻场效应管 MOS管晶体管 341

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