FRAM（Ferroelectric Random Access Memory）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器（内存）。FRAM的数据保持，不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相 比，具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。

串行接口存储器的产品阵容有16Kbit至4Mbit的SPI接口产品，以及4Kbit至1Mbit的I²C接口产品。电源电压除主要的3.3V工作产品外，正在扩充1.8V工作产品。封装形式除能够与EEPROM及串行闪存兼容的SOP外，还提供可穿戴设备用SON（Small Outline Non-leadedpackage）及WL-CSP（Wafer Level Chip Size Package）等超小型封装形式的产品。
同时，使用TSOP或SOP封装形式提供256Kbit至4Mbit的并行存储器。在利用SRAM及数据保存用电池供电的应用中，并行存储器被用作进一步降低能耗或减少电池的解决方案。

FRAM产品可分为两个系列。
分别是以SOP/SON等封装产品形式提供的“独立存储器”和FRAM内置的RFID用LSI 以及验证LSI等的“FRAM内置LSI”。 另外，根据客户的要求，开发和供应最大限度发挥应用优势及性能的FRAM内置定 制LSI。

• 独立 FRAM 存储器
• FRAM 内置 LSI

串行接口存储器

串行接口存储器的产品阵容有4Kbit至1Mbit的I²C接口产品，以及16Kbit至4Mbit的SPI接口产品。
电源电压除主要的3.3V工作产品外，正在扩充1.8V工作产品。封装除能够与EEPROM及串行闪存兼容的SOP外，还提供可穿戴设备用SON（Small Outline Non-leaded package）及WL-CSP（Wafer Level Chip Size Package）等超小型封装产品。与其他非易失性存储器相比，串行接口存储器的优势在于写入快、读写耐久性高、功耗低。

●I²C 接口

产品型号P/N	内存容量	输入电压	工作频率 （MAX）	工作温度	读写耐久性 （读写次数）	数据保持时间 （保证值）（*1）	封装类别	文档下载
MB85RC1MT	1Mbit	1.8至3.6V	3.4MHz	-40至+85℃	1013（10万亿次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RC512T	512Kbit	1.8至3.6V	3.4MHz	-40至+85℃	1013（10万亿次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RC256V	256Kbit	2.7至5.5V	1MHz	-40至+85℃	1012（1万亿次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RC128A	128Kbit	2.7至3.6V	1MHz	-40至+85℃	1012（1万亿次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RC64TA	64Kbit	1.8至3.6V	3.4MHz	-40至+85℃	1013（10万亿次）	10年（+85℃）	SOP-8/SON-8
MB85RC64A	64Kbit	2.7至3.6V	1MHz	-40至+85℃	1012（1万亿次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RC64V	64Kbit	3.0至5.5V	1MHz	-40至+85℃	1012（1万亿次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RC16	16Kbit	2.7至3.6V	1MHz	-40至+85℃	1012（1万亿次）	10年（+85℃）	SOP-8/SON-8
MB85RC16V	16Kbit	3.0至5.5V	1MHz	-40至+85℃	1012（1万亿次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RC04V	4Kbit	3.0至5.5V	1MHz	-40至+85℃	1012（1万亿次）	10年（+85℃）	SOP-8
*1：当工作温度低于+85℃时，数据保持时间可以延长，详细请参考数据手册。

●SPI 接口

产品型号P/N	内存容量	输入电压	工作频率 （MAX）	工作温度	读写耐久性 （读写次数）	数据保持时间 （保证值）（*1）	封装类别	文档下载
MB85RQ4ML （*2）	4Mbit	1.7至1.95V	108MHz	-40至+85℃	1013（10万亿次）	10年（+85℃）	SOP-16
MB85RS2MT	2Mbit	1.8至3.6V	25MHz（*3）	-40至+85℃	1013（10万亿次）	10年（+85℃）	SOP-8/DIP-8
MB85RS1MT	1Mbit	1.8至3.6V	30MHz（*3）	-40至+85℃	1013（10万亿次）	10年（+85℃）	SOP-8/WL-CSP-8
MB85RS512T	512Kbit	1.8至3.6V	30MHz（*3）	-40至+85℃	1013（10万亿次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RS256B	256Kbit	2.7至3.6V	33MHz	-40至+85℃	1012（1万亿次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RS128B	128Kbit	2.7至3.6V	33MHz	-40至+85℃	1012（1万亿次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RS64	64Kbit	2.7至3.6V	20MHz	-40至+85℃	1012（1万亿次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RS64V	64Kbit	3.0至5.5V	20MHz	-40至+85℃	1012（1万亿次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RS16	16Kbit	2.7至3.6V	20MHz	-40至+85℃	1012（1万亿次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RS16N	16Kbit	2.7至3.6V	20MHz	-40至+95℃	1万亿次（+85℃） 或1百亿次（+95℃）	10年（+95℃）	SOP-8/SON-8
MB85RDP16LX （*4）	16Kbit	1.65至1.95V	15MHz（*5）	-40至+105℃	1013（10万亿次）	10年（+105℃）	SON-8
*1：当工作温度低于+85℃时，数据保持时间可以延长，详细请参考数据手册。 *2：满足SPI以及Quad *3：高速读取模式时，可实现最大40MHz操作。 *4：有二进制计数器功能 *5：双SPI模式时，可实现最大7.5MHz操作。

并行接口存储器

并行接口存储器为采用TSOP或SOP封装的256Kbit至4Mbit的产品，工作时的电源电压为3.3V，但MB85R4M2T能够在1.8V-3.6V的大 范围内进行工作。
封装方式为能够与SRAM兼容的TSOP或SOP。
在SRAM及使用数据保持电池的应用中，并行接口存储器被作为进一步降低能耗或减少电池的解决方案。

产品型号P/N	内存容量	输入电压	工作频率 （MAX）	工作温度	读写耐久性 （读写次数）	数据保持时间 （保证值）（*1）	封装类别	文档下载
MB85R4M2T	4Mbit（256K×16）	1.8至3.6V	150ns	-40至+85℃	1013（10万亿次）	10年（+85℃）	TSOP-44
MB85R4001A	4Mbit（512K×8）	3.0至3.6V	150ns	-40至+85℃	1010（1百亿次）	10年（+55℃）	TSOP-48
MB85R4002A	4Mbit（256K×16）	3.0至3.6V	150ns	-40至+85℃	1010（1百亿次）	10年（+55℃）	TSOP-48
MB85R1001A	1Mbit（128K×8）	3.0至3.6V	150ns	-40至+85℃	1010（1百亿次）	10年（+55℃）	TSOP-48
MB85R1002A	1Mbit（64K×16）	3.0至3.6V	150ns	-40至+85℃	1010（1百亿次）	10年（+55℃）	TSOP-48
MB85R256F	256Kbit（32K×8）	2.7至3.6V	150ns	-40至+85℃	1012（1万亿次）	10年（+85℃）	TSOP-28/SOP-28
*1：当工作温度低于+55℃或+85℃时，数据保持时间可以延长，详细请参考数据手册。

封装尺寸

串行接口存储器

封装类型	顶视图	宽度×长度 （mm）	高度 （mm）
WL-CSP-8		2.3×3.1	0.33
SON-8		2.0×3.0	0.7
SOP-8		3.9×5.1	1.75
SOP-16		7.5×10.3	2.7

并行接口存储器

封装类型	顶视图	宽度×长度 （mm）	高度 （mm）
SOP-28		7.6×17.8	2.8
TSOP-28		8.0×11.8	1.2
TSOP-44		10.2×18.4	1.2
TSOP-48		12.0×12.4	1.2

FRAM 内置 FRID 用 LSI

本公司提供使用无限接口的FRAM内置RFID用LSI。本公司的产品不是以单纯读出为中心的RFID标签，作为面向数据携带型RFID标签，国内外FA领域、设备维护领域及医疗领域正在导入其产品。今后的传感器网络社会中，利用传感器取得的数据的无线通信不可或缺，而本公司的产品将作为支持这一社会的LSI受到关注。

●特长

• 高速数据写入：可提高数据写入时的效率。

• 稳定的通信距离：低功耗模式写入工作，实现相同的读/写通信距离。

• 大容量内置存储单元：记录信息于电子标签，实现追溯应用所需的大容量内存单元。

• 读写工作的高耐久性：保证最高1万亿次的读/写工作，实现标签的长期使用和重复使用。

• 符合国际标准：富士通半导体RFID LSI产品系列符合ISO15693和ISO18000-3（mod1），6。

●产品型号

型号P/N	工作频率	内存单元容量	通信规格	串行接口	数据保持时间 （保证值）	读写耐久性 （读写次数）	文档下载
MB97Rxxxx（*1） （开发中）	UHF 860-960MHz	8KByte	ISO/IEC18000-63 EPC C1G2 Ver.1.2.0	SPI	10年（+55℃）	1010（1百亿次）	待开发
MB97R803A （终止对象产品）	UHF 860-960MHz	4KByte	ISO/IEC18000-63 EPC C1G2 Ver.1.2.0	—	10年（+55℃）	1010（1百亿次）
MB97R804B （终止对象产品）	UHF 860-960MHz	4KByte	ISO/IEC18000-63 EPC C1G2 Ver.1.2.0	SPI	10年（+55℃）	1010（1百亿次）
MB97R8050	UHF 860-960MHz	36Byte （EPC128bit）	ISO/IEC18000-63 EPC C1G2 Ver.1.2.0	—	10年（+55℃）	1010（1百亿次）
MB89R118C	HF 13.56MHz	2KByte	ISO/IEC15693	—	10年（+85℃）	1012（1万亿次）
MB89R119B	HF 13.56MHz	256KByte	ISO/IEC15693	—	10年（+85℃）	1012（1万亿次）
MB89R112A	HF 13.56MHz	9KByte	ISO/IEC15693	SPI	10年（+85℃）	1012（1万亿次）
*1：开发中的MB97Rxxxx为MB97R803A/804B的后续品种。

●RFID 用 LSI 的应用

工厂 • 工程记录 • 数据读写	医疗 • 使用记录 • 信息确认	物流 • 运行记录 • 产品管理
运输 • 产品修整记录	仓库管理 • 出入库记录 • 保管环境记录	基础设施 • 检查记录 • 劣化跟踪

FRAM 内置嵌入式验证LSI

FRAM还在IC卡等安全领域有业绩，提供FRAM内置式设备验证LSI。通用的验证用LSI为MB94R330。

型号P/N	工作频率	内存单元容量	通信规格	串行接口	读写耐久性 （读写次数）	封装类别	文档下载
MB94R330	3.0至3.6V	I2C	400kHz	-20至+85℃	1012（1万亿次）	SON-8

MB94R330 序列利用电子设备本体与外设之间的激励与响应来进行验证操作，从而识别正品与假冒产品。 适用于检测出在打印机、复合机等电子设备本体上使用的外设的（墨盒、碳粉盒等）假冒产品。 在安全用途方面，由于其性质，为了满足客户特殊技术要求，除通用LSI外，还提 供定制LSI。

富士通公司自1995年开始开发FRAM，具有17年以上的丰富的量产业绩。正是“量产化”的实现以及持续的稳定供给，证明本公司具有非常高的技术能力。

分别是以SOP/SON等封装产品形式提供的“独立存储器”和FRAM内置的RFID用LSI 以及验证LSI等的“FRAM内置LSI”。 另外，根据客户的要求，开发和供应最大限度发挥应用优势及性能的FRAM中使用了铁电，而在此之前的半导体过程中，铁电会出现劣化，所以很难实现量产。本公司确定了劣化的原因，并在制造过程中采取了相应的措施，最终在世界上率先成功实现了量产。公司开发的量产实现技术以及FRAM产品对社会的贡献已得到认可，2011年以后也获得了多个权威奖项。今后，我们也将致力于稳定供应由高技术能力支撑的高质量存储器。

上海市黄浦区蒙自路歌斐中心6楼03-05单元 邮编：200023 电话: 021-6146 3688

深圳：0755-2583 0028 | 北京：010-5969 1600 | 大连：0411-3999 0600 | 武汉：13419692700 | 重庆：18580310515