64－Kbit FRAM是什么？为什么要开发一种64－Kbit FRAM？64－Kbit FRAM到底有什么用途？
2021-06-17 08:27:24
FRAM RFID与传统EEPROM相比，有哪些亮点？FRAM RFID有哪些创新应用案例？
2021-05-21 06:53:14
FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题；但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。
2019-09-11 11:30:59
FRAM器件消耗的工作电流大约是EEPROM的1/3，而FRAM的待机/睡眠电流规格与EEPROM的待机/睡眠电流规格差不多。有功电流中的差异对功耗产生巨大影响，特别是当应用程（如:智能电子式电表
2020-10-09 14:27:35
FRAM存储器提供即时写入功能，无限的耐用性和接近零的软错误率，以支持对功能安全标准的遵守。引起人们对用于汽车EDR的FRAM非易失性存储技术的兴趣，因为其使用解决了这些缺点。这些吸引人的特性是锆钛
2020-08-12 17:41:09
FRAM器件提供非易失性存储，用10年的数据保存时间，在与熟悉的闪存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用现有的基于FRAM存储器和MCU器件，工程师们可以放心地在他们尽管间歇性的断电操作
2021-12-09 08:28:44
以及改进整个系统。而这正是我们采用 FRAM 的微控制器超越业界其他解决方案的优势所在。 FRAM 是一种非易失性 RAM，相较于其他非易失性存储器技术，可实现更快速的数据存储和几乎无限的寿命。 这
2018-09-10 11:57:26
DEMO演示FRAM 特性——“多、快、省”宽泛的FRAM产品线——涵盖SPI、IIC、并行接口，容量向16Mb迈进技术优势解决系列应用瓶颈创新的FRAM 认证芯片促进应用创新
2021-03-04 07:54:14
操作是通过在MTJ两端施加非常低的电压来完成的，从而在部件使用寿命内支持无限的操作。图3：MRAM读写周期FRAM技术FRAM或铁电随机存取存储器使用1个晶体管–1个铁电电容器（1T-1FC）架构，该
2022-11-17 15:05:44
MRAM与FRAM技术比较
2021-01-25 07:33:07
我们可以预见到未来有望出现新型的、功能大大提升的单芯片系统这一美好前景。MRAM技术目前还存在一些困难，至少还没有一种实用化的、可靠的方式来实现大容量的MRAM。困难之一是对自由层进行写入（使磁矩平行或
2020-11-26 16:23:24
非易失性MRAM芯片组件通常在半导体晶圆厂的后端工艺生产，下面英尚微电子介绍关于MRAM关键工艺步骤包括哪几个方面.
2021-01-01 07:13:12
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点，同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器，因此有可能会赢得巨大的市场(见表1)。具体在功能方面，自旋注入MRAM与闪存一样
2022-02-11 07:23:03
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点，同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器，因此有可能会赢得巨大的市场(见表1)。具体在功能方面，自旋注入MRAM与闪存一样
2023-04-07 16:41:05
Everspin串口串行mram演示软件分析
2021-01-29 06:49:31
在所有常年兴起的记忆中，MRAM似乎最有可能濒临大规模，广泛采用。这是否会很快发生取决于制造的进步和支持分立和嵌入式MRAM器件技术的生态系统。MRAM以及PCRAM和ReRAM已经达到了一个临界点
2020-08-12 17:42:01
MRAM的存储原理
2020-12-31 07:41:19
磁阻式随机存储器(MRAM)是一种新型存储器,其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM存储器运用于计算机存储系统中。MRAM因具有许多优点,有取代SRAM
2020-11-06 14:17:54
MRAM技术进入汽车应用
2021-01-11 07:26:02
我现在打算用赛灵思的7K325T在BPI加载模式下用everspin的MRAM——MR4A08B代替FLASH,问一下有大神这么做过么，有没有可行性？
2015-09-22 10:12:36
DVB-H和韩国T-DMB地面数字广播电视技术有何差异？开展手机电视业务面临哪些问题？
2021-05-26 07:07:06
。 Everspin MRAM技术可靠 与大多数其他半导体存储技术不同，数据存储为磁性状态而不是电荷，并通过测量电阻来感测而不干扰磁性状态。使用磁性状态进行存储有两个主要好处。首先，磁极化不会像电荷一样随时
2020-08-31 13:59:46
IEEE1905.1a标准架构论述、IEEE1905.1与IEEE1905.1a有何差异？
2021-05-21 06:27:58
什么是LoRa协议？LoRa网络是由哪几部分组成的？LoRa技术和其他无线技术有何差别？
2021-10-18 06:45:29
Beacon的工作原理是什么？NFC技术和iBeacon技术的差异是什么？
2021-05-21 06:19:22
舰载综合处理系统由哪些模块组成？RapidlO逻辑层中直接IO/DMA和消息传递这两种传输方式有何差异？
2021-12-23 08:27:02
均支持即时读取或写入操作。其他技术在读取和/或写入时可能会经历很长的延迟。此外，可以使用SRAM和FRAM访问完全随机的地址，而没有块大小的限制。 没有实现特定边界的SPI地址 SRAM
2020-12-17 16:18:54
什么是过采样技术？STM32 ADC过采样技术有何作用？
2021-10-21 06:36:13
STM32的三种Boot模式有何差异呢？如何去验证这种差异呢？
2021-11-26 07:15:38
STT-MRAM技术的优点
2020-12-16 06:17:44
求大神详细介绍一下STT-MRAM的存储技术
2021-04-20 06:49:29
MRAM，即磁阻式随机访问存储器的简称，兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM，属于MRAM的二代产品，解决了MRAM写入信息
2021-12-10 07:06:51
什么是WiMAX技术？WiMAX技术与3G、Wi-Fi、DSL、Cable有什么差异？
2021-05-25 06:21:37
XDSL技术的调制方式有哪几种？有何应用技术？
2021-05-25 06:50:50
everspin自旋转矩MRAM技术
2020-12-25 07:53:15
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在较慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上运行，但还允许系统设计人员利用MRAM的四倍随机存取周期时间。Everspin
2023-04-07 16:26:28
能量收集应用提供了许多低功耗设计，例如无线传感器节点，智能电表明显的优势，和其他数据记录的设计。凭借其扩展的写周期耐力和数据保留时间，FRAM技术可帮助设计人员满足使用的FRAM芯片和基于FRAM
2016-02-25 16:25:49
使用较广泛的无线通信技术有哪几种？它们有什么差异？
2021-05-27 06:59:44
单端信号和差分信号会有差异吗？ 他们有何差异，还有在数据传输中 为什么使用LVDS或M-LVDS?
2021-03-09 08:40:24
如何去实现基于寄存器的stm32 LED流水灯程序呢？基于寄存器与基于固件库的stm32 LED流水灯编程方式有何差异？
2021-12-06 07:24:42
Arduino IDE开发的优点是什么？安装Arduino IDE及程序目的是什么？基于标准库函数与基于HAL库函数的stm32编程方式有何差异？
2021-12-06 07:17:54
写入FRAM的零时钟周期延迟 一个典型的EEPROM需要5毫秒的写周期时间，以将其页面数据转移到非易失性EEPROM内。当需要写入几千字节的数据时，会导致写入时间较长。相比之下的FRAM不会使这种写
2020-09-28 14:42:50
如今，有多种存储技术均具备改变嵌入式处理领域格局的潜力。然而，迄今为止还没有哪一种技术脱颖而出成为取代微控制器（MCU）中闪存技术的强劲竞争者，直到FRAM的出现这种情况才得以改变。铁电
2019-08-22 06:16:14
作者 MahendraPakala半导体产业正在迎来下一代存储器技术的新纪元，几大主要变化趋势正在成形。这其中包括磁性随机存储器(MRAM) 的出现。我将在几篇相关文章中介绍推动MRAM 得以采用的背景，重点说明初始阶段面临的一些挑战，并探讨实现 STT MRAM 商业可行性的进展。
2019-07-16 08:46:10
FRAM 具有无穷的写入次数（100 兆次写入/读取周期），因此我们并不需要对这一点有太多顾虑。 6. 全新的嵌入式 FRAM 存储技术是否带来了新的安全顾虑？ FRAM 已用于不断进化的财务智能卡
2018-08-20 09:11:18
位/单元技术的 128Gb 的 NAND 闪存设备。Flash的替换技术尽管短中期内闪存继续缩小，但长期来看在独立和嵌入式应用中，仍然有可能替换的持续需求。竞争者包括半导体公司、研究机构和大学目前
2014-04-22 16:29:09
`最近学习RFID搜集了不少资料，发出来供有兴趣了解物联网RFID相关应用的朋友们学习，也希望抛砖引玉啊，大家都上传手上的宝贝吧，一起打造个RFID技术学习的分享站。资料中有几个是与富士通FRAM
2013-10-24 15:16:41
问题：放大器中，大信号和小信号电压增益有何差异？
2023-11-15 07:43:53
数码调变技术是什么？什么是多工技术？数码调变技术与多工技术有何差异？
2021-05-18 06:14:06
无刷直流电机（BLDC）与永磁同步电机（PMSM）结构及其物理特性有何差异？无刷直流电机（BLDC）与永磁同步电机（PMSM）数学模型的区别在哪？无刷直流电机（BLDC）与永磁同步电机（PMSM）的调制模式有何区别？
2021-07-28 07:11:18
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-5-24 14:45 编辑
你好，请问2538和2530的性能差异有哪些？特别的，在收发数据的带宽上有何差别！多谢！
2018-05-22 06:14:04
请问AD8601WARTZ和AD8601WDRTZ有何分别，价格不同，性能方面有何差异吗
2018-08-06 07:00:04
实现其潜力，但截至2020年初，市场上有从很小的MRAM到1Gb芯片的MRAM芯片，并且公司正在将该技术用于许多应用。 虽然有了这么多的论文和研究成果，但是目前并没有MRAM实际产品制造出来。 另一个
2020-04-15 14:26:57
基于magnum II测试系统的测试技术研究，提出了采用magnum II测试系统的APG及其他模块实现对MRAM VDMR8M32进行电性测试及功能测试。其中功能测试包括全空间读写数据0测试，全空间读写
2019-07-23 07:25:23
MRAM的优异性能使它能较快取代目前广泛采用的DRAM内存及EEPROM闪存，作为新一代计算机的内存。MRAM目前是新一代计算机内存的最佳候选者，但不是唯一的，与它同期并存的还有FRAM(铁电
2020-10-20 14:34:03
近几年，FRAM（铁电存储器）比较火，特别是在三表的应用中。网上也有不少对FRAM技术的讨论。这不，小编看到了一篇分享，是某网友总结的FRAM应用的心得，发布在这里供正在使用和将来要使用FRAM的筒子们参考~
2017-03-24 18:27:17
1915 MRAM是一种非易失性存储器，可与其他的NVM技术相媲美，如闪存，英特尔的Optane，以及FRAM和RRAM （图1）。每种NVM都有自己的优缺点。虽然MRAM的扩展性好，但其容量仍远低于NAND闪存， SSD中的高密度存储介质大都是NAND闪存。
2018-12-22 14:37:344678 台工业技术研究院10日于美国举办的国际电子元件会议（IEDM）中发表铁电存储器（FRAM）、磁阻随机存取存储器（MRAM）等6篇技术论文。其中，从研究成果显示，工研院相较台积电、三星的MRAM技术更具稳定、快速存取优势。
2019-12-10 14:15:492685 MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。MRAM技术仍远未
2020-04-08 15:01:55861 MRAM内存的Everspin开始向STT-MRAM发运最高1Gb的芯片容量，这种内存密度使这些设备在许多应用中更受关注。Everspin代理商英尚微电子提供产品技术支持及解决方案。 主要的嵌入式半导体制造商为工业和消费应用中使用的嵌入式产品提供MRAM非易失性存储器选项。这些铸造厂包括全球
2020-06-23 15:31:031004 最近出现的许多内存问题都以3D Xpoint的形式出现在ReRAM，MRAM和PCRAM上。但是铁电RAM（FRAM）在小型利基设备中得到了成功。 去年对新兴内存年报，吹捧的ReRAM，MRAM
2020-07-24 15:17:57459 的领先趋势来增强动力。 什么是STT-MRAM？ 嵌入式存储器IP选项包括STT-MRAM，相变存储器（PCM），电阻RAM（ReRAM）和铁电RAM（FRAM）。每种新兴的内存技术都不同，适合特定的应用，但STT-MRAM似乎已成为主流。 STT-MRAM是一种电阻存储技术，其中材料中电子的磁性自旋变
2020-08-04 17:24:263389 MRAM技术使用磁态进行数据存储。在两种状态之间切换磁极化不需要原子的运动，因此MRAM器件没有磨损机制。FRAM中的位存储需要响应电场，使其固有的电偶极子（在Pb（Zr，Ti）O3的情况下，氧八面
2020-08-24 15:14:331276 
Everspin器件是一个40MHz/50MHz MRAM，工作于2.7V-3.6V，标称Vdd=3.3V，而SPI FRAM具有更宽的工作电压范围（1.8V至3.6V）。在使用SPI-MRAM替换
2020-08-27 10:17:36297 MRAM是一种非易失性存储技术，可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。它适用于在系统崩溃期间需要保存数据的商业应用。基于MRAM的设备可以为黑匣子应用提供解决方案，因为它以SRAM的速度
2020-09-18 14:25:181049 
Everspin MRAM内存技术是如何工作的？ Everspin MRAM与标准CMOS处理集成 Everspin MRAM基于与CMOS处理集成的磁存储元件。每个存储元件都将一个磁性隧道
2020-09-19 09:52:051749 Everspin器件是一个40MHz/50MHz MRAM，工作于2.7V-3.6V，标称Vdd=3.3V，而SPI FRAM具有更宽的工作电压范围（1.8V至3.6V）。在使用SPI-MRAM替换
2020-09-19 10:07:311628 以不同的方式实现这些目标，尽管在每种情况下，创新的材料技术都是性能突破的背后。由摩托罗拉和 IBM 率先开发的 MRAM，通过将某些奇异材料暴露在磁场中而产生的数据位，随着存储单元中电阻变化而存储。FRAM 由总部位于美国科罗拉多州科罗拉多斯普林
2020-12-14 11:30:00
38 独特性能成就技术“硬核”，FRAM 是存储界的实力派。除非易失性以外， FRAM 还具备三大主要优势：高读写入耐久性、高速写入以及低功耗，这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。
2021-03-11 09:23:313503 （Chandler）设有制造工厂。everspin代理宇芯电子可提供产品相关技术支持服务。 Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在较慢的富士通8Mb FRAM
2021-04-26 14:25:21479 
以不同的方式实现这些目标，尽管在每种情况下，性能突破背后都有创新的材料技术。首创的MRAM将数据位存储为存储单元中电阻的变化，这是通过将某些特殊材料暴露在磁场中而产生的。FRAM与MRAM有很大
2021-06-17 15:35:451040
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