一颗功率IC:BCD工艺集成高压元件,面积还节省40倍!Power-SOI卡位48V、FuSa等汽车/工业新需求
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)Power-SOI主要构造为单晶顶层硅片(mono-crystal top material),中间氧化埋层(buried oxide)及底层的硅基底(silicon base)。由于Power-SOI晶圆加厚Buried Oxide结构,能够有效克服高电压可能穿透元件的问题,实现功率元件使用上的稳定性。因此,Power-SOI主要应用于BCD(BIPOLAR-CMOS-DMOS)功率集成电路制造技术中的高压元件集成。据法国半导体材料供应商Soitec的内部估算,在Power-SOI汽车领域,2021年大概每台车里面有200mm2面积的用量。预
发表于 08-25 08:29 • 8960次 阅读