- 偏置时序控制要求，如何让电源不“跑偏”！

一般而言，大多数外部偏置放大器的建议偏置序列是相似的。不同器件会有不同的IDQ、VDDx和VGGx值。为了关闭器件，GaAs器件的VGG一般设置为−2 V或−3 V，而对于氮化镓(GaN)放大器，该电压可能是−5 V至−8 V。类似地，GaN器件的VDDx可能达到28 V，甚至50 V，而GaAs放大器通常小于13 V。

多级放大器的VGG引脚一般连在一起并一同偏置。遵循相同的程序，用户便可获得数据手册上提供的典型性能结果。在不同偏置条件下使用放大器可能会提供不同的性能。例如，将不同的VGGx电平用于HMC1131栅极偏置引脚以获得不同的IDQ值，会改变放大器的射频和直流性能。

图5显示了HMC1131在不同电源电流下P1dB与频率的关系，图6显示了不同电源电流下输出三阶交调截点(IP3)性能与频率的关系。

图5.不同电源电流下P1dB与频率的关系

图6.不同电源电流下输出IP3与频率的关系，POUT/信号音 = 10 dBm

利用多个VGGx引脚偏置放大器的另一种方案是独立控制栅极偏置引脚。该工作模式通过优化特定参数（如P1dB、IP3、NF、增益和功耗等）来帮助用户定制器件。

这种灵活性对某些应用很有利。如果放大器数据手册上提供的性能数据能够轻松满足应用的某些要求，但与其他要求略有差距，那么在不超过数据手册给定的绝对最大额定值的情况下，测试不同偏置条件下的性能可能会有益。

偏置外部偏置放大器的另一种方案是设置VGGx以获得所需的225 mA IDQ，并在正常工作期间使用恒定栅极电压。这种情况下，放大器的IDD会在射频驱动下提高（此行为可参见HMC1131数据手册中的30.5 GHz功率压缩图）。栅极电压恒定的放大器和IDD恒定的放大器可能提高不同的性能。