佰维存储蝉联“2023年度南山区专精特新企业增加值十强”,展现高质量发展活
近日,被誉为一年一度南山企业界“奥斯卡奖”——2023年度南山区经济突出贡献企业TOP峰会圆满落幕,南山区政府领导与来自各行各业的领军企业齐聚一堂,共同见证过去一年引领行业进步,...
2024-05-06 1999
美光232层QLC NAND芯片已量产并出货,推出SSD新品
美光科技近期宣布,其创新的232层QLC NAND芯片已成功实现量产并已开始出货。这一里程碑式的成就标志着美光在NAND技术领域再次取得了显著进步,巩固了其在全球存储解决方案市场的领导地位。...
2024-04-29 728
三星宣布量产第九代V-NAND芯片,位密度提升50%
在技术层面,第九代V-NAND无疑展现出了三星的卓越技术实力。它采用了双重堆叠技术,在原有的旗舰V8闪存236层的基础上,再次实现了技术上的重大突破,堆叠层数飙升至惊人的290层。...
2024-04-28 1088
10.7Gbps,LPDDR5X还能继续卷性能
电子发烧友报道(文/周凯扬)随着DRAM标准的持续推进以及AI对内存带宽要求更高,这几年来新发布的DRAM产品都在强调其在AI应用上的优势,尤其是在端侧AI应用上。三星于最近发布了首个10.7G...
2024-04-28 3819
江波龙:收购Lexar(雷克沙)后美国长达7年的合规义务要求已全面终止
江波龙:收购Lexar(雷克沙)后美国长达7年的合规义务要求已全面终止 近日,我国著名存储厂商江波龙欣然宣布,于4月24日顺利接收到来自美国司法部门的正式通知文件(即“终止函”)。这...
2024-04-26 1316
JesFS Flash文件系统:高效管理小型控制器大数据存储新方案
CC13xx/26xx系列处理器的Launchpad开发平台物美价廉,配备TI的CCSTUDIO[3]IDE,可以进行源代码调试。CC13xx/26xx开发平台配备了一片1MB的串行Flash存储器,大小只有2mmx3mm!...
2024-04-26 762
国内首颗,精准纠错!德明利TWSC2985系列:支持4K LDPC技术的存储芯片
TWSC 2985 系列SD6.0存储芯片 国内首颗支持4K LDPC纠错技术 增强纠错、耐久可靠、性能升级 随着移动计算和AI技术对数据存储需求的增加,德明利凭借在闪存技术及模组自主研发领域的深厚积淀,...
2024-04-26 1013
兆易创新今年Q1净利超2023全年,NOR Flash出货量已超212亿颗
电子发烧友网报道(文/刘静)近日,知名存储芯片厂商兆易创新发布《2023年年度报告》以及《2024年第一季度报告》。存储芯片行业在经历一段时间的市场波动后,目前正处于一个关键时期。多...
2024-04-25 3205
余震恰逢原厂缺货期,固态硬盘或迎新一轮涨价
今日凌晨,中国台湾东部的花莲县连续发生地震,最高强度为6.3级,震源深度10公里,据中国地震台网分析,本次地震均为4月3日台湾花莲县海域发生的7.3级地震的余震。中国台湾地区在全球半...
2024-04-23 1355
RDMA在高速网络中的应用及其实现策略
在大型模型应用领域,要获得最佳性能,关键在于精密配置,特别是当GPU与InfiniBand网卡协同工作时。这里参考了合作伙伴NVIDIA推出的DGX系统,它倡导了一种GPU与InfiniBand网卡一对一配对的设计理...
2024-04-22 609
AI时代的存储墙,哪种存算方案才能打破?
回顾计算行业几十年的历史,芯片算力提升在几年前,还在遵循摩尔定律。可随着如今摩尔定律显著放缓,算力发展已经陷入瓶颈。而且祸不单行,陷入同样困境的还有存储。从新标准推进的角...
2024-04-21 3508
什么是相变存储器?如何表征相变材料及器件电学性能?
相变存储器(Phase-Change Random Access Memory,简称 PCRAM 或者PCM),是一种非易失性存储器,利用电能(热量)使相变材料在晶态(低阻)与非晶态(高阻)之间的相互转换来实现信息的存储和擦除,通过测...
2024-04-27 947
DDR SDRAM 和SDRAM的主要差异
DDR内存通过在时钟周期的上升沿和下降沿都传输数据,从而实现双倍数据率。这意味着在每个时钟周期内,DDR内存能够传输两次数据,提高了数据传输效率。...
2024-04-27 1689
企业存储设备资源划分之存储基础实验探究
1.web访问存储管理页面 2.创建硬盘域 根据业务需求调整硬盘域 3.在硬盘域之上创建存储池,分别创建一个文件及存储StoragePool002和块级存储StoragePool001...
2024-04-19 248
基于FPGA的内存128M flash芯片控制器设计方案
这款flash芯片的的存储是一个扇区4KB,一个扇区可以存256个字,一个字是8位,一个块是64KB,一共有256个块组成一个存储flash内存。...
2024-04-19 1134
康盈半导体:嵌入式存储进阶,加速AI落地智能穿戴
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)近日,TechInsights可穿戴设备研究服务指出,预计2024年,全球智能手表的销量将达到9100万台,同比增长5%;2025年增长率将进一步上升至近8%,到2026年将保持在7%以...
2024-04-18 2097
3D DRAM进入量产倒计时,3D DRAM开发路线图
目前,各大内存芯片厂商,以及全球知名半导体科研机构都在进行3D DRAM的研发工作,并且取得了不错的进展,距离成熟产品量产不远了。...
2024-04-17 742
存储技术革新之战 闪存与内存巨头竞相突破
三星在DRAM芯片工艺方面也取得了令人瞩目的突破。他们的DRAM芯片工艺已达到1b nm级别,并计划在今年内启动1c nm DRAM的量产工作。...
2024-04-16 670
消息称三星Q2供应超微HBM3E 下半年启动大规模量产
HBM,即高带宽内存,以其独特的“楼房设计”概念,打破了传统DDR内存的设计局限,凭借出色的性能在市场中赢得了广泛认可。...
2024-04-15 907
三星电子即将开启290层V9 NAND芯片量产
市场研究机构Omdia的最新预测显示,尽管NAND闪存市场在2023年经历了下滑,但预计今年将迎来强劲反弹,增长率高达38.1%。...
2024-04-12 958
三星/SK海力士DRAM大幅扩产,恢复至削减前水平,存储新周期开启
电子发烧友网报道(文/吴子鹏)根据市场调研机构Omdia的研究报告,随着全球需求复苏,韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圆投入,有效结束减产。 Omdia在报告中...
2024-04-12 5269
西部数据硬盘全线提价,AI需求激增与供应链紧张成涨价双引擎
西部数据高级副总裁Scott Davis在函件中明确指出,由于市场对HDD机械硬盘和SSD固态硬盘的需求远超预期,导致产品供应出现严重短缺。...
2024-04-11 826
三星与SK海力士加速移动内存堆叠技术量产
随着人工智能在智能手机、笔记本等移动设备上的广泛应用,端侧AI已经成为行业热议的焦点。为了支持端侧运行模型的高效运行,移动DRAM的性能要求也在不断提升。...
2024-04-10 798
存储市场再遇供应短缺困境,SSD价格强势上涨引关注
在消费级SSD市场,价格也呈现上涨趋势,批发价较前一季度上涨了约10%至12%。尽管面对涨价要求,大多数买家表示接受,但也有人对此提出了警告。...
2024-04-09 858
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