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MAX2360的中频谐振箱设计

星星科技指导员 来源:ADI 作者:ADI 2023-02-24 14:33 次阅读

介绍

本应用笔记介绍了三种压控振荡器(VCO)设计,适用于130MHz、165MHz和380MHz的常用IF频率。这些设计减少了优化结果所需的迭代次数。分析可以通过简单的电子表格程序完成。

VCO设计

图2所示为MAX2360 IF VCO的差分电路。出于分析目的,必须将油箱电路简化为等效的简化模型。图 1 显示了基本的 VCO 模型。振荡频率可以用EQN1来表征:

pYYBAGP4WiKAMJq0AAABoPLVfl4203.gifEQN1

FOSC = 振荡频率

L = 油箱回路中线圈的电感

Cint = MAX2360储罐端口的内部电容

Ct = 谐振电路的总等效电容

poYBAGP4WiOAEUlAAAAQLdIE1M8726.gif

图1.基本VCO模型。

Rn = MAX2360油箱端口的等效负电阻

Cint = MAX2360储罐端口的内部电容

Ct = 谐振电路的总等效电容

L = 油箱回路中线圈的电感

pYYBAGP4WiOAF6vpAAAOyulgt3s835.gif

图2.MAX2360油箱电路。

电感L与谐振器的总等效电容和振荡器的内部电容(Ct+ C国际)(请参阅图 1)。C政变提供直流模块并将变容二极管的可变电容耦合到谐振电路。C分用于将储罐的振荡频率居中到标称值。它不是必需的,但允许您微调电感值之间的谐振,从而增加了一定程度的自由度。电阻 (R) 通过调谐电压线 (V调整)。它们的值应选择足够大,以免影响装载的油箱Q,但又要足够小,以便4kTBR噪声可以忽略不计。电阻的噪声电压由K调制维科,产生相位噪声。电容 CV是坦克中的可变调谐组件。变容二极管的电容(CV) 是反向偏置电压的函数(变容二极管模型参见附录 A)。V调整是锁相环 (PLL) 的调谐电压。

图 3 显示了集总 C流浪VCO 模型。寄生电容和电感困扰着每个RF电路。为了预测振荡频率,必须考虑寄生元件。图3中的电路将寄生元件集中在一个称为C的电容中流浪。振荡频率可以用EQN2来表征:

poYBAGP4WiSAVc0jAAAEjBj9Ou8607.gif

EQN2

L = 油箱回路中线圈的电感

Cint = MAX2360储罐端口的内部电容

Ccent = 用于居中振荡频率的谐振电容器

杂散 = 集总杂散电容

Ccoup = 用于将变容二极管耦合到谐振二极管的谐振电容器

CV = 变容二极管的净可变电容(包括串联电感)

Cvp = 变容二极管焊盘电容

poYBAGP4WiSAYa2VAAASTOZo9W4330.gif

图3.集总 C流浪型。

图 4 描述了详细的 VCO 模型。它考虑了焊盘的电容,但为简单起见,不包括串联电感的影响。C流浪定义为:

pYYBAGP4WiSAFHhLAAABdvjwjPg554.gifEQN3

CL= 电感

C的电容LP= 电感焊盘

C 的电容差异= 由平行走线产生的电容

poYBAGP4WiWAW_a6AAAVRupa-o8353.gif

图4.详细的VCO模型。

Rn = MAX2360油箱端口的等效负电阻

Cint = MAX2360储罐端口的内部电容

LT = 电感器电路串联走线的电感

CDIFF = 由并行走线引起的电容

L = 油箱回路中线圈的电感

CL = 电感的电容

CLP = 电感焊盘的电容

Ccent = 用于居中振荡频率的谐振电容器

Ccoup = 用于将变容二极管耦合到谐振二极管的谐振电容器

Cvar = 变容二极管的可变电容

Cvp = 变容二极管焊盘电容

LS = 变容二极管的串联电感

R = 变容二极管反向偏置电阻的电阻

为了简化分析,电感LT在此设计中被忽略。L的影响T在较高频率下更明显。对L引起的频率偏移进行数学建模T对于下面的电子表格,C 的值差异可以适当增加。电感最小LT以防止不需要的串联共振。这可以通过缩短迹线来实现。

调谐增益

调谐增益(K维科)必须最小化以获得最佳闭环相位噪声。环路滤波器中的电阻以及电阻“R”(图2)会产生宽带噪声。宽带热噪声 (

pYYBAGP4WiWAeQ8qAAAAt6yj0rw287.gif

) 将调制 VCO 的 K维科,以兆赫/伏为单位。有两种方法可以最小化K维科。一种是最小化VCO必须调谐的频率范围。第二种方法是最大化可用的调谐电压。为了最小化VCO必须调谐的频率范围,必须使用严格的容差元件,如图所示。为了最大限度地提高调谐电压,需要具有较大顺从范围的电荷泵。这通常是通过使用更大的V来实现的抄送.MAX2360的顺从范围为0.5V至Vcc-0.5V。在电池供电应用中,顺从范围通常由电池电压或稳压器固定。

无边角设计的基本概念

VCO设计可制造性与实际组件将需要误差预算分析。为了设计一个以固定频率振荡的VCO(fOSC),必须考虑组件的公差。调谐增益(K维科),必须设计到VCO中,以考虑这些元件容差。元件容差越严格,调谐增益越小,闭环相位噪声越低。对于最坏情况下的误差预算设计,我们将研究三种VCO模型:

1. 最大值分量 (EQN5)

2.公称油箱,所有组件完美(EQN2)

3.最小值组件 (EQN4)

所有三种VCO型号都必须覆盖所需的标称频率。图5显示了三种设计必须如何融合以提供可制造的设计解决方案。对EQN1和图5的观察表明,最小值分量将振荡频率移得更高,最大值分量将振荡频率移得更低。

poYBAGP4WiaAVfZeAAAjgrW4QRI321.gif

图5.最坏情况和标称坦克居中。

必须使用最小调谐范围才能设计出具有最佳闭环相位噪声的谐振器。因此,标称谐振电路应设计为覆盖中心频率,并考虑器件公差。最坏情况下的高调谐谐振电路和最坏情况下的低调谐谐电路应仅调谐到所需振荡频率的边缘。EQN2 可以通过组件公差进行修改,以产生最坏情况下的高调谐罐 EQN4 和最坏情况下的低调谐罐 EQN5。

pYYBAGP4WiaAMD-9AAAGBqIXWXY675.gif

EQN4

poYBAGP4WieAYLOHAAAGHGasD5A949.gif

EQN5

TL = 电感的公差 % (L)

TCINT = 电容器容差百分比 (CINT)

TCCENT = 电容器容差百分比 (CCENT)

TCCOUP = 电容容差百分比 (CCOUP)

TCV = 变容二极管电容容差 (CV) %

EQN4 和 EQN5 假设流浪者没有公差。

一般设计程序

步骤 1

估计或测量焊盘电容和其他杂散。MAX2360 Rev A评估板上的杂散电容用Boonton Model 72BD电容计测量。CLP= 0.981pF, C副总裁= 0.78pF, C差异= 0.118pF。

步骤 2

确定电容C的值国际。这可以在第2360页的MAX2362/MAX2364/MAX5数据资料中找到。TANK 1/S11 与频率的典型工作特性显示了几种常用 LO 频率的等效并联 RC 值。请记住,LO频率是IF频率的两倍。

例:

对于130MHz的IF频率,LO的工作频率为260MHz。从 1/s11 图表中,Rn= -1.66kΩ 和 C国际= 0.31pF。

步骤 3

选择电感器。一个好的起点是使用几何平均值。这是一个迭代过程。

pYYBAGP4WieASw_fAAAB1Bhq5EY704.gifEQN6

该等式假设 L in (nH) 和 C in (pF) (1x10-9x 1x10-12= 1x10-21).L = 19.3nH 对于 fOSC= 260.76兆赫。这意味着总谐振电容C = 19.3pF。电感器的适当初始选择是 18nH 线艺 0603CS-18NXGBC 2% 容差。

选择步长有限的电感时,以下公式EQN6.1很有用。对于固定振荡频率f f,总产品LC应为恒定OSC.

poYBAGP4WieAIU6kAAABYzSHLwY066.gifEQN6.1

LC = 372.5 对于 fOSC= 260.76兆赫。表1中电子表格的试错法过程得出的电感值为39nH 5%,总谐振电容为9.48pF。

图6

中储罐的LC产物为369.72,与所需的LC产品372.5足够接近。人们可以看到这是一个有用的关系。为了获得最佳相位噪声,请选择高Q值电感器,如线艺0603CS系列。或者,如果公差和Q可以合理控制,则可以使用微带电感器。

pYYBAGP4WiiAUUkfAAAgLPIpLGs088.gif

图6.130.38MHz 中频谐振电路原理图。

步骤 4

确定PLL一致性范围。这是VCO调谐电压的范围(V调整) 旨在重新工作。对于MAX2360,顺从范围为0.5V至V抄送-0.5V.对于 V抄送= 2.7V,这会将顺从范围设置为 0.5 至 2.2V。电荷泵输出设置此限值。油箱上的电压摆幅为1VP-P中心电压为1.6VDC。即使 C 的值很大政变,变容二极管不是正向偏置的。这是需要避免的情况,因为二极管整流了谐振电路引脚上的交流信号,在闭环PLL中产生不希望的杂散响应和锁定丢失。

步骤 5

选择一个变容二极管。寻找在指定顺应性范围内具有良好的容差的变容二极管。保持较小的串联电阻。为了获得品质因数,请检查变容二极管的自谐振频率是否高于所需的工作点。看CV(2.5V)/CV(0.5V) 比率,在您的电压顺从范围内。如果耦合电容C政变如果选择大,则可以使用 EQN2 计算最大调谐范围。电容器 C 的较小值政变减小此有效频率调谐范围。选择变容二极管时,它应该在您给定的顺应范围内中点和终点指定公差。选择超陡变容二极管,例如 Alpha SMV1763-079 作为线性调谐范围。取总谐振电路电容的值,并将其用于变容二极管的Cjo。请记住,C政变降低耦合到油箱的净电容。

步骤 6

为 C 选择一个值政变.C 的大值政变通过在储罐中耦合更多的变容二极管来增加调谐范围,但代价是降低储罐负载Q。政变以减小调谐范围为代价,增加耦合变容二极管的有效Q值和谐振二极管的负载Q值。通常,选择尽可能小的此值,同时仍获得所需的调谐范围。为 C 选择小值的另一个好处政变是它降低了变容二极管两端的电压摆幅。这有助于阻止变容二极管的前向偏置。

步骤 7

为 C 选择一个值分,通常约为 2pF 或更高,以实现公差目的。使用 C分使VCO的频率居中。

步骤 8

使用电子表格进行迭代。

MAX2360VCO谐振电路设计,用于130.38MHz、165MHz和380MHz的IF频率

下图显示了MAX2360几种常用IF频率的设计。请记住,LO以所需IF频率的两倍振荡。

表 1.130.38MHz 中频谐振谐振电路 设计

MAX2360 针对 130.38MHz IF 频率的谐振电路设计和调谐范围
Total Tank Capacitance vs. V tune
V tune Total C Ct
(Nominal)
Ct
(Low)
Ct
(High)
0.5V Ct high 10.9296pF 10.1242pF 11.6870pF
1.375V Ct mid 9.4815pF 8.4068pF 10.4077pF
2.2V Ct low 8.0426pF 6.9014pF 9.0135pF
Tank Components Tolerance
Ccoup 18pF 0.9pF 5%
Ccent 2.7pF 0.1pF 4%
Cstray 0.69pF
L 39nH 5.00%
Cint 0.31pF 10.00%
Parasitics and Pads (C stray)
Due to Q CL 0.08pF
Ind. pad CLp 0.981pF
Due to || Cdiff 0.118pF
Var. pad Cvp 0.78pF
Varactor Specs
Alpha SMV1255-003
Cjo 82pF Varactor Tolerance
Vj 17V 0.5V 19.00%
M 14 1.5V 29.00%
Cp 0pF 2.5V 35.00%
Rs Reactance
Ls 1.7nH XLs 2.79
Freq 260.76MHz
Nominal Varactor X c NetCap
Cvhigh 54.64697pF -11.16897 72.80216pF
Cvmid 27.60043pF -22.11379 31.57772pF
Cvlow 14.92387pF -40.89758 16.01453pF
Negative Tol Varactor (Low Capacitance)
Cvhigh 44.26404pF -13.78885 55.46841pF
Cvmid 19.59631pF -31.14619 21.52083pF
Cvlow 9.700518pF -62.91935 10.14983pF
Positive Tol Varactor (High Capacitance)
Cvhigh 65.02989pF -9.385688 92.47168pF
Cvmid 35.60456pF -17.14248 42.51182pF
Cvlow 20.14723pF -30.2945 22.18712pF
Nominal LO
(Nom) Range
Low Tol IF
(High) Range
Nominal IF
(Nom) Range
High Tol IF
(Low) Range
Flow 243.77MHz 129.93MHz 121.89MHz 115.03MHz
Fmid 261.73MHz 142.59MHz 130.86MHz 121.90MHz
Fhigh 284.18MHz 157.37MHz 142.09MHz 130.98MHz
BW 40.40MHz 27.44MHz 20.20MHz 15.95MHz
% BW 15.44% 19.24% 15.44% 13.09%
Nominal IF Frequency 130.38MHz
Design Constraints
Conditionfor boldnumber =IF > IF
Delta 0.45 -0.48 0.60
Test pass pass pass
Raise or lower cent freq by -0.48 MHz
Inc or dec BW -1.05 MHz
Cent adj for min BW 130.46 MHz
K vco 23.77兆赫/V

poYBAGP4WiiAPU7YAAAgk6Vawt8267.gif


图7.165MHz 中频谐振电路原理图。

表 2.165兆赫 中频储罐设计

MAX2360 针对 165MHz IF 频率的谐振电路设计和调谐范围
Total Tank Capacitance vs. V tune
V tune Total C Ct
(Nominal)
Ct
(Low)
Ct
(High)
0.5V Ct high 10.0836pF 9.2206pF 10.8998pF
1.375V Ct mid 8.5232pF 7.3878pF 9.5095pF
2.2V Ct low 7.0001pF 5.8130pF 8.0193pF
Tank Components Tolerance
Ccoup 18pF 0.9pF 5%
Ccent 1.6pF 0.1pF 6%
Cstray 0.62pF
L 27nH 5.00%
Cint 0.34pF 10.00%
Parasitics and Pads (C stray)
Due to Q CL 0.011pF
Ind. pad CLp 0.981pF
Due to || C diff 0.118pF
Var. pad Cvp 0.78pF
Varactor Specs
Alpha SMV1255-003
Cjo 82pF Varactor Tolerance
Vj 17V 0.5V 19.00%
M 14 1.5V 29.00%
Cp 0pF 2.5V 35.00%
Rs 1ohm Reactance
Ls 1.7nH XLs 3.52
Freq 330.00MHz
Nominal Varactor Xc NetCap
Cvhigh 54.646968pF -8.8255163 90.986533pF
Cvmid 27.600432pF -17.473919 34.574946pF
Cvlow 14.923873pF -32.316524 16.750953pF
Negative Tol Varactor (Low Capacitance)
Cvhigh 44.264044pF -10.895699 65.431921pF
Cvmid 19.596307pF -24.611153 22.872103pF
Cvlow 9.7005176pF -49.717729 10.440741pF
Positive Tol Varactor (High Capacitance)
Cvhigh 65.029892pF -7.4164003 123.93257pF
Cvmid 35.604558pF -13.545673 48.128632pF
Cvlow 20.147229pF -23.938166 23.626152pF
Nominal LO
(Nom) Range
Low Tol IF
(High) Range
Nominal IF
(Nom) Range
High Tol IF
(Low) Range
Flow 305.02MHz 163.63MHz 152.51MHz 143.15MHz
Fmid 331.77MHz 182.81MHz 165.88MHz 153.26MHz
Fhigh 366.09MHz 206.08MHz 183.04MHz 166.90MHz
BW 61.07MHz 42.45MHz 30.53MHz 23.74MHz
% BW 18.41% 23.22% 18.41% 15.49%
Nominal IF Frequency 165MHz
Design Constraints
Conditionfor boldnumber < IF = IF > IF
Delta 1.37 -0.88 1.90
Test pass pass pass
Raise or lower cent freq by -0.88 MHz
Inc or dec BW -3.26 MHz
Cent adj for min BW 165.26 MHz
K vco 35.92兆赫/V

pYYBAGP4WimABagrAAAgLnczsTc620.gif


图8.380MHz 中频谐振电路原理图。

表 3.380MHz 中频谐振谐波 设计

MAX2360 针对 380MHz IF 频率的谐振电路设计和调谐范围
Total Tank Capacitance vs. V tune
V tune Total C Ct
(Nominal)
Ct
(Low)
Ct
(High)
0.5V Ct high 6.9389pF 6.6119pF 7.2679pF
1.35V Ct mid 6.2439pF 5.9440pF 6.5449pF
2.2V Ct low 5.7813pF 5.5040pF 6.0593pF
Tank Components Tolerance
Ccoup 15pF 0.8pF 5%
Ccent 2.4pF 0.1pF 4%
Cstray 1.42pF
L 6.8nH 2.00%
Cint 0.43pF 10.00%
Parasitics and Pads (C stray)
Due to Q CL 0.08pF
Ind. pad CLp 0.981pF
Due to || Cdiff 0.85pF
Var. pad Cvp 0.78pF
Varactor Specs
Alpha SMV1255-003
Cjo 8.2pF Varactor Tolerance
Vj 15V 0.5V 7.50%
M 9.5 1.5V 9.50%
Cp 0.67pF 2.5V 11.50%
Rs 0.5Ω Reactance
Ls 0.8nH XLs 3.82
Freq 760.00MHz
Nominal Varactor X c Net Cap
CVhigh 6.67523pF -31.37186 7.600784pF
CVmid 4.286281pF -48.8569 4.649858pF
CVlow 2.904398pF -72.10251 3.06689pF
Negative Tol Varactor (Low Capacitance)
CVhigh 6.174588pF -33.91552 6.958364pF
CVmid 3.879084pF -53.98553 4.174483pF
CVlow 2.570392pF -81.47176 2.696846pF
Positive Tol Varactor (High Capacitance)
CVhigh 7.175873pF -29.18313 8.256705pF
CVmid 4.693477pF -44.61818 5.132957pF
CVlow 3.238404pF -64.66593 3.441726pF
Nominal LO
(Nom) Range
Low Tol IF
(High) Range
Nominal IF
(Nom) Range
High Tol IF
(Low) Range
Flow 732.69MHz 379.11MHz 366.35MHz 354.43MHz
Fmid 772.40MHz 399.84MHz 386.20MHz 373.50MHz
Fhigh 802.70MHz 415.51MHz 401.35MHz 388.17MHz
BW 70.00MHz 36.41MHz 35.00MHz 33.74MHz
% BW 9.06% 9.11% 9.06% 9.03%
Nominal IF Frequency 380MHz
Design Constraints
Conditionfor boldnumber < IF = IF > IF
Delta 0.89 -6.20 8.17
Test pass pass pass
Raise or lower cent freq by -6.20 MHz
Inc or dec BW -9.07 MHz
Cent adj for min BW 383.64 MHz
K vco 41.18兆赫/V

附录A

pYYBAGP4WimAGIVbAAAPvnHaiBE694.gif


图9.变容二极管模型。

Alpha应用笔记AN1004提供了有关变容二极管模型的更多信息。变容二极管电容在 EQN7 中定义。

poYBAGP4WimAahNNAAAB_Ab8zPU036.gif EQN7
Alpha SMV1255-003 Alpha SMV1763-079
Cjo = 82 pF Cjo = 8.2 pF
Vj =17 V Vj =15 V
M = 14 M = 9.5
Cp = 0 Cp = 0.67
Rs = 1Ω Rs = 0.5Ω
Ls = 1.7 nH Ls = 0.8 nH

变容二极管的串联电感通过背衬考虑在内 找出感抗并计算新的有效电容 CV.

pYYBAGP4WiqAOK2-AAABnBO3Vjc790.gif EQN8

审核编辑:郭婷

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    发表于 07-11 10:32 1249次阅读
    基于晶闸管关断时间控制的高效<b class='flag-5'>中频</b>电源

    一种多谐振最优伺服控制算法在中频电源设计中应用

    针对标准线性二次型调节器( LQR)不能无静差跟踪参考以及比例谐振(PR)控制器带非线性负载时输出电压总谐波畸变率过高的问题,提出一种多谐振最优伺服控制算法并应用到中频电源设计中。该方法能够实现闭环
    发表于 04-24 17:23 8次下载
    一种多<b class='flag-5'>谐振</b>最优伺服控制算法在<b class='flag-5'>中频</b>电源设计中应用

    FAN2360AMPX 10 A同步降压调节器

    电子发烧友网为你提供()FAN2360AMPX相关产品参数、数据手册,更有FAN2360AMPX的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,FAN2360AMPX真值表,FAN2360
    发表于 04-18 21:09

    中频变压器谐振频率的调整方法

    本文首先阐述了中频变压器谐振频率的调整方法,另外还介绍了中频变压器的调试。
    发表于 01-14 09:07 6085次阅读

    EVAL-ADP2360 EVAL-ADP2360评估板

    电子发烧友网为你提供ADI(ti)EVAL-ADP2360相关产品参数、数据手册,更有EVAL-ADP2360的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,EVAL-ADP2360真值表,EVAL-ADP
    发表于 08-17 19:00

    MAX2360中频槽路设计

    本应用笔记介绍了压控振荡器(VCO)的槽路设计方法,并给出了常用的中频(IF) 130MHz、165MHz、380MHz压控振荡器的设计实例。这些设计减少了为优化设计而进行的重复工作,具体分析可借助一个简单的电子表格实现。
    的头像 发表于 06-08 17:03 852次阅读
    <b class='flag-5'>MAX2360</b><b class='flag-5'>中频</b>槽路设计

    中频谐振电容小是怎么回事?

    中频谐振电容小是指在中频炉系统中使用的一种电容器,它在中频炉的正常运行中扮演着重要的角色。那么,中频
    的头像 发表于 11-10 15:35 1165次阅读
    <b class='flag-5'>中频</b>炉<b class='flag-5'>谐振</b>电容小是怎么回事?

    智能家居中的清凉“智”选,310V无刷吊扇驱动方案--其利天下

    炎炎夏日,如何营造出清凉、舒适且节能的室内环境成为了大众关注的焦点。吊扇作为一种经典的家用电器,以其大风量、长寿命、低能耗等优势,依然是众多家庭的首选。而随着智能控制技术与无刷电机技术的不断进步,吊扇正朝着智能化、高效化、低噪化的方向发展。那么接下来小编将结合目前市面上的指标,详细为大家讲解其利天下有限公司推出的无刷吊扇驱动方案。▲其利天下无刷吊扇驱动方案一

    其利天下技术
    1天前
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    电源入口处防反接电路-汽车电子硬件电路设计

    一、为什么要设计防反接电路电源入口处接线及线束制作一般人为操作,有正极和负极接反的可能性,可能会损坏电源和负载电路;汽车电子产品电性能测试标准ISO16750-2的4.7节包含了电压极性反接测试,汽车电子产品须通过该项测试。二、防反接电路设计1.基础版:二极管串联二极管是最简单的防反接电路,因为电源有电源路径(即正极)和返回路径(即负极,GND),那么用二极

    张飞实战电子官方
    2天前
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    半导体芯片需要做哪些测试

    首先我们需要了解芯片制造环节做⼀款芯片最基本的环节是设计->流片->封装->测试,芯片成本构成⼀般为人力成本20%,流片40%,封装35%,测试5%(对于先进工艺,流片成本可能超过60%)。测试其实是芯片各个环节中最“便宜”的一步,在这个每家公司都喊着“CostDown”的激烈市场中,人力成本逐年攀升,晶圆厂和封装厂都在乙方市场中“叱咤风云”,唯独只有测试显

    汉通达
    2天前
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    解决方案 | 芯佰微赋能示波器:高速ADC、USB控制器和RS232芯片——高性能示波器的秘密武器!

    示波器解决方案总述:示波器是电子技术领域中不可或缺的精密测量仪器,通过直观的波形显示,将电信号随时间的变化转化为可视化图形,使复杂的电子现象变得清晰易懂。无论是在科研探索、工业检测还是通信领域,示波器都发挥着不可替代的作用,帮助工程师和技术人员深入剖析电信号的细节,精准定位问题所在,为创新与发展提供坚实的技术支撑。一、技术瓶颈亟待突破性能指标受限:受模拟前端

    芯佰微电子
    2天前
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    硬件设计基础----运算放大器

    1什么是运算放大器运算放大器(运放)用于调节和放大模拟信号,运放是一个内含多级放大电路的集成器件,如图所示:左图为同相位,Vn端接地或稳定的电平,Vp端电平上升,则输出端Vo电平上升,Vp端电平下降,则输出端Vo电平下降;右图为反相位,Vp端接地或稳定的电平,Vn端电平上升,则输出端Vo电平下降,Vn端电平下降,则输出端Vo电平上升2运算放大器的性质理想运算

    张飞实战电子官方
    05-08 19:34
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    ElfBoard技术贴|如何调整eMMC存储分区

    ELF 2开发板基于瑞芯微RK3588高性能处理器设计,拥有四核ARM Cortex-A76与四核ARM Cortex-A55的CPU架构,主频高达2.4GHz,内置6TOPS算力的NPU,这一设计让它能够轻松驾驭多种深度学习框架,高效处理各类复杂的AI任务。

    ElfBoard
    05-08 15:01
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    米尔基于MYD-YG2LX系统启动时间优化应用笔记

    1.概述MYD-YG2LX采用瑞萨RZ/G2L作为核心处理器,该处理器搭载双核Cortex-A55@1.2GHz+Cortex-M33@200MHz处理器,其内部集成高性能3D加速引擎Mail-G31GPU(500MHz)和视频处理单元(支持H.264硬件编解码),16位的DDR4-1600/DDR3L-1333内存控制器、千兆以太网控制器、USB、CAN、

    米尔电子
    05-08 08:07
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    运放技术——基本电路分析

    虚短和虚断的概念由于运放的电压放大倍数很大,一般通用型运算放大器的开环电压放大倍数都在80dB以上。而运放的输出电压是有限的,一般在10V~14V。因此运放的差模输入电压不足1mV,两输入端近似等电位,相当于“短路”。开环电压放大倍数越大,两输入端的电位越接近相等。“虚短”是指在分析运算放大器处于线性状态时,可把两输入端视为等电位,这一特性称为虚假短路,简称

    张飞实战电子官方
    05-07 19:32
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    飞凌嵌入式携手中移物联,谱写全国产化方案新生态

    4月22日,飞凌嵌入式“2025嵌入式及边缘AI技术论坛”在深圳成功举办。中移物联网有限公司(以下简称“中移物联”)携OneOS操作系统与飞凌嵌入式共同推出的工业级核心板亮相会议展区,操作系统产品部高级专家严镭受邀作《OneOS工业操作系统——助力国产化智能制造》主题演讲。

    飞凌嵌入式
    05-07 11:26
    1.4k

    ATA-2022B高压放大器在螺栓松动检测中的应用

    实验名称:ATA-2022B高压放大器在螺栓松动检测中的应用实验方向:超声检测实验设备:ATA-2022B高压放大器、函数信号发生器,压电陶瓷片,数据采集卡,示波器,PC等实验内容:本研究基于振动声调制的螺栓松动检测方法,其中低频泵浦波采用单频信号,而高频探测波采用扫频信号,利用泵浦波和探测波在接触面的振动声调制响应对螺栓的松动程度进行检测。通过螺栓松动检测

    Aigtek安泰电子
    05-06 18:44
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    MOS管驱动电路——电机干扰与防护处理

    此电路分主电路(完成功能)和保护功能电路。MOS管驱动相关知识:1、跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压(Vbe类似)高于一定的值,就可以了。MOS管和晶体管向比较c,b,e—–>d(漏),g(栅),s(源)。2、NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以

    张飞实战电子官方
    05-06 19:34
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    压敏(MOV)在电机上的应用剖析

    一前言有刷直流电机是一种较为常见的直流电机。它的主要特点包括:1.结构相对简单,由定子、转子、电刷和换向器等组成;2.通过电刷与换向器的接触来实现电流的换向,从而使电枢绕组中的电流方向周期性改变,保证电机持续运转;3.具有调速性能较好等优点,可以通过改变电压等方式较为方便地调节转速。有刷直流电机在许多领域都有应用,比如一些电动工具、玩具、小型机械等。但它也存

    深圳市韬略科技有限公司
    05-06 11:34
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    硬件原理图学习笔记

    这一个星期认真学习了硬件原理图的知识,做了一些笔记,方便以后查找。硬件原理图分为三类1.管脚类(gpio)和门电路类输入输出引脚,上拉电阻,三极管与门,或门,非门上拉电阻:正向标志作用,给悬空的引脚一个确定的状态三极管:反向三极管(gpio输出高电平,NP两端导通,被控制端导通,电压为0)->NPN正向三极管(gpio输出低电平,PN两端导通,被控制端导通,

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    04-30 18:40
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    TurMass™ vs LoRa:无线通讯模块的革命性突破

    TurMass™凭借其高传输速率、强大并发能力、双向传输、超强抗干扰能力、超远传输距离、全国产技术、灵活组网方案以及便捷开发等八大优势,在无线通讯领域展现出强大的竞争力。

    道生物联
    05-06 10:50
    1.2k

    RZT2H CR52双核BOOT流程和例程代码分析

    RZT2H是多核处理器,启动时,需要一个“主核”先启动,然后主核根据规则,加载和启动其他内核。本文以T2H内部的CR52双核为例,说明T2H多核启动流程。

    RA生态工作室
    04-03 17:14
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