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• 发布了产品 2022-05-21 11:41

  C3M0015065K碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0015065K 漏源电压：650V 栅极 - 源极电压：-8/+19V 脉冲漏极电流，脉冲宽：418A

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• 发布了产品 2022-05-21 11:12

  C3M0015065D碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0015065D 漏源电压：650V 栅极 - 源极电压：-8/+19V 脉冲漏极电流，脉冲宽：418A

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• 发布了产品 2022-05-20 11:44

  CG2H40025F-AMP高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

  

  产品型号：CG2H40025F-AMP 频率：高达 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 17 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 15 dB 小信号增益

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• 发布了产品 2022-05-20 11:42

  CG2H40025P高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CG2H40025P 频率：高达 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 17 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 15 dB 小信号增益

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• 发布了产品 2022-05-20 11:40

  CG2H40025F高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CG2H40025F 频率：高达 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 17 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 15 dB 小信号增益

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• 发布了产品 2022-05-20 11:16

  CG2H30070F-AMP2高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

  

  产品型号：CG2H30070F-AMP2 应用电路：0.5 – 3.0 GHz 应用电路 功率：28 V 时 POUT 典型值为 85 W 增益：10分贝功率增益

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• 发布了产品 2022-05-20 11:13

  CG2H30070F高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CG2H30070F 应用电路：0.5 – 3.0 GHz 应用电路 功率：28 V 时 POUT 典型值为 85 W 增益：10分贝功率增益

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• 发布了产品 2022-05-20 10:14

  RADI-5.15-5.25-SMT-2WR-20W 隔离器RADITEK品牌现货

  

  产品型号：RADI-5.15-5.25-SMT-2WR-20W 微带：高度抛光,焊粘到毫米波 微带插入式载波：兼容 fuji (fdk) 的 rdkf 2-30 ghz 微带基板：直接安装到机箱或电路板上

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• 发布了产品 2022-05-20 09:35

  CGH27015F-AMP高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

  

  产品型号：CGH27015F-AMP 频率：VHF – 3.0 GHz 操作 功率：15 W 峰值功率能力 增益：14.5 dB 小信号增益

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• 发布了产品 2022-05-20 09:31

  CGH27015P高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CGH27015P 频率：VHF – 3.0 GHz 操作 功率：15 W 峰值功率能力 增益：14.5 dB 小信号增益

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