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• 发布了产品 2022-05-24 21:43

  C3M0075120K-A碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0075120K-A 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V 栅极 -源极电压静态：4/+15V

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• 发布了产品 2022-05-24 21:35

  C3M0075120D-A碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0075120D-A 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V 栅极 -源极电压静态：4/+15V

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• 发布了产品 2022-05-24 21:27

  C2M0040120D碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C2M0040120D 漏源电压：1200V 栅极 - 源极电压：-10/+25V 栅极 - 源极电压：-5/+20V

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• 发布了产品 2022-05-24 21:19

  C3M0040120K碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0040120K 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V

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• 发布了产品 2022-05-24 21:09

  C3M0040120D碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0040120D 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V

  308浏览量

• 发布了产品 2022-05-24 21:03

  C3M0040120J1碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0040120J1 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V

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• 发布了产品 2022-05-24 20:56

  C3M0032120K碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0032120K 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V

  558浏览量

• 发布了产品 2022-05-24 11:21

  CG2H80045D-GP4高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CG2H80045D-GP4 PSAT功率：45 W 典型 PSAT 电压：28 伏操作 击穿电压：高击穿电压

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• 发布了产品 2022-05-24 10:52

  CG2H80030D-GP4高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CG2H80030D-GP4 PSAT功率：30 W 典型 PSAT 电压：28 伏操作 耐压：高击穿电压

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• 发布了产品 2022-05-24 10:40

  CG2H80015D-GP4高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CG2H80015D-GP4 PSAT功率：15 W 典型 PSAT 电压：28 伏操作 耐压：高击穿电压

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