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• 发布了文章 2023-09-25 17:56

  SiC MOSFET逆变器的创新应用

  

  碳化硅逆变器将有助于驾驶员更快地为电动汽车充电，减轻消费者对续航里程的焦虑。由于SiC具有更高的工作温度和更快的开关速度，因此它是用于快速充电解决方案的理想半导体材料，尤其适用于涉及大电流和快速切换的交流到直流充电系统，因此需要良好的热管理。至于硅基氮化镓器件（GaN），虽然其高达200千赫兹的开关速度使其适用于电动汽车充电器和转换器，但目前其可制造性仍然存

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• 发布了文章 2023-09-25 15:34

  了解电动汽车电机控制及MCU在其中的关键作用

  

  电动汽车电机控制的主要目标包括： 1. 提高效率和续航里程：通过有效地管理电机的功率输出，电机控制单元可以帮助电动汽车最大程度地利用电池储存的电能，从而提高续航里程。 2. 优化动力输出：电机控制单元可以根据驾驶需求动态调整电机的输出，以提供所需的动力和性能。这意味着在加速时提供更多的扭矩，而在巡航时降低功率以减少能耗。

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• 发布了文章 2023-09-25 15:31

  如何测试光耦合器（查找不良光耦合器）

  

  光耦合器： 光耦合器、光电耦合器或光隔离器是一种利用光在两个隔离电路之间传输电信号的元件。光隔离器可防止高电压影响接收信号的系统。光耦合器有四种常见类型，每种类型都具有红外 LED 光源，但具有不同的光敏器件。这四种光耦合器分别称为：光电晶体管、光电达林顿、光电SCR 和光电双向可控硅，如下所示。

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• 发布了文章 2023-09-25 11:40

  使用晶体管的逻辑门条件

  

  介绍： 逻辑门是任何数字系统的基本构建块。它是一种具有一个或多个输入且只有一个输出的电子电路。输入和输出之间的关系是基于一定的逻辑的。 基于此，逻辑门被命名为与门、或门、非门、与非门、或非门、异或门、异或非门。在大多数逻辑门中，低状态大约为零伏 (0 V)，而高状态大约为正五伏 (+5 V)。 现在，我将展示使用 NPN 和 PNP 晶体管的逻辑门输出。

  数字系统 晶体管 逻辑门

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• 发布了文章 2023-09-25 11:29

  梅赛德斯-奔驰将部署首个高功率电动汽车充电站

  

  梅赛德斯-奔驰宣布将于10月在佐治亚州亚特兰大、中国成都和德国曼海姆开设首个高功率电动汽车（EV）充电站。这一举措是梅赛德斯-奔驰全球充电基础设施计划的一部分，旨在扩大电动汽车充电网络的覆盖范围。根据计划，到2024年底，梅赛德斯-奔驰将在全球范围内增加2000多个大功率充电点，并计划在未来的十年内创建2000多个充电中心，提供超过10,000个充电点。

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• 发布了文章 2023-09-25 11:03

  如何识别变压器的输入侧和输出侧

  

  介绍： 变压器是电气系统中最常见的设备之一，用于连接在不同电压下运行的电路。 这些通常用于需要将交流电压从一种电压电平转换为另一种电压电平的应用。 根据电气设备或装置或负载的要求，可以通过在交流电路中使用变压器来降低或提高电压和电流。 各种应用使用各种各样的变压器，包括电源、仪器仪表和脉冲变压器。

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• 发布了文章 2023-09-21 14:08

  IGBT的驱动电路及短路保护

  

  绝缘栅双极晶体管（以下简称IGBT）是一种复合半导体器件，融合了MOSFET的快速开关能力、高频操作、高输入阻抗、简单的驱动电路和有利的热特性等优点，同时还具备了GTR的大电流承载能力和高阻挡电压等优势。因此，IGBT是一种理想的开关器件，可以替代GTR，广泛应用于各种需要具备关闭能力的应用领域，如各种固态电源供应系统。

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• 发布了文章 2023-09-21 13:48

  如何测试 NPN 和 PNP 晶体管

  

  介绍： 晶体管是一种用于放大或切换电子信号和电力的半导体器件。它是一种三端口半导体器件，这些引脚分别标记为集电极（C）、基极（B）和发射极（E）。现在，我将展示如何使用万用表检查晶体管。

  NPN型 pnp型 晶体管 检测

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• 发布了文章 2023-09-20 15:09

  如何用万用表测试MOSFET

  

  MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）晶体管是一种广泛用于电子设备中开关和放大电子信号的半导体器件。 MOSFET 是一种四端子器件，具有源极 (S)、栅极 (G)、漏极 (D) 和体 (B) 端子。MOSFET 的主体经常连接到源极端子，因此使其成为类似于场效应晶体管的三端器件。

  IGBT MOSFET 功率器件 测试

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• 发布了文章 2023-09-20 15:02

  IGBT在电磁炉中的应用及解决方案

  

  分立式 IGBT 是现代基于逆变器的电磁烹饪产品的首选电源开关。随着能源成本持续上升以及消费者对更小型烹饪解决方案的需求增加，IGBT 技术必须不断发展以满足这些需求。感应加热的基本原理由迈克尔·法拉第 (Michael Faraday) 于 1831 年发现，并由海因里希·伦茨 (Heinrich Lenz) 进一步发展。

  IGBT MOSFET 电磁炉

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