深圳市浮思特科技有限公司文章

• Nexperia与科世达达成合作 共同推进汽车应用宽带隙器件的生产2024-11-06 11:58

  

  近日，全球领先的半导体公司Nexperia宣布与知名汽车供应商科世达(KOSTAL)建立战略合作伙伴关系。这一合作将专注于开发和生产符合汽车行业严格规范的宽带隙(WBG)电力电子器件，特别是针对电动汽车(EV)车载充电器(OBC)的应用需求。该合作不仅展现了两家公司的技术实力和市场前瞻性，同时也为电动汽车行业的可持续发展提供了强有力的支持。随着全球环境问题日

  Nexperia 宽带隙器件 汽车 科世达 215浏览量

• 浮思特 | 第四代场阻止型IGBT的抗锁定能力和超越硅材极限的性能2024-11-06 11:55

  

  由于其低导通损耗和开关能量损耗，IGBT广泛应用于高功率应用领域，如电源、马达驱动逆变器和电动汽车等。对更先进功率器件的需求促使了新型硅基开发及宽禁带材料开发的努力，以实现超越硅的理想特性。从MOS栅极的高电子注入效率是必需的为了将IGBT硅材料推向极限，需要从MOS栅极实现极高的电子注入效率，同时孔载流子注入应仅限于对导电调制的贡献水平。对于Fairchi

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• 英飞凌推出新款CoolGaN™晶体管，促进高压器件市场发展2024-11-05 11:18

  

  英飞凌科技股份公司近日宣布推出其全新的高压分立器件系列——CoolGaN™晶体管650VG5，进一步丰富了其氮化镓(GaN)产品组合。这一新产品系列的推出，不仅为消费和工业开关模式电源(SMPS)提供了新的技术选择，也为诸如USB-C适配器、充电器、照明系统、电视、数据中心和电信整流器，以及可再生能源和家用电器中的电机驱动等广泛应用提供了支持。CoolGaN

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• 如何设计 IGBT 和 SiC FET 驱动电路以防止误触发？2024-11-05 11:16

  

  在设计IGBT或SiCFET桥接电路时，门驱动电路的正确设计与选择晶体管同样重要，以确保高可靠性。对环境的关注是可再生能源、智能工业和电动出行等趋势背后的主要推动力。这些趋势又进一步推动了对高效电力转换器和电机驱动器的需求。这些系统必须非常可靠，通常要求其工作寿命达到10年或更长时间。为了确保高可靠性，设计师在选择电路中如逆变器或电机驱动的H桥功率晶体管时，

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• 国产MCU芯片切入中高端应用领域，推动汽车产业升级！2024-11-04 11:52

  

  近年来，微控制器(MCU)在汽车行业的重要性日益凸显。作为汽车信息运算处理的核心部件，MCU广泛应用于汽车的各大系统中，对提升汽车的智能化和自动化水平起着至关重要的作用。在一辆汽车所装备的所有半导体器件中，MCU的占比约为30%，而平均每辆车需要70颗以上的MCU芯片。它们主要应用于车身动力总成、车身控制、发动机控制单元及辅助驾驶等关键领域。这一趋势反映出，

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• 浮思特 | MOSFET技术发展掀起汽车电力电子行业的新潮流2024-11-04 11:51

  

  随着汽车系统日益先进，对能够在更小、更高效设计中提供更高性能的组件的需求也在不断增加。电动机和先进驾驶辅助系统(ADAS)等应用需要可靠的电源管理解决方案，以减少热量和功率损失。半导体技术的进步，特别是MOSFET的进展，是满足汽车电力电子行业不断演变需求的核心要素。行业内已经取得了多项突破，使得MOSFET在功率密度、效率和成本上都有所提升。Nexperi

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• 固态电池技术能否为电动汽车带来更安全、更持久的未来？2024-11-01 11:03

  

  随着电动汽车的普及，目前锂离子电池技术的局限性变得越来越明显。续航里程有限、充电时间慢以及对电池安全性，特别是火灾风险的担忧，推动了对替代电池技术的研究。固态电池因其更高的能量密度和改善的安全性，成为解决这些挑战的有前景的方案。用固体电解质替代液体电解质，使这些电池能够在更高的电压下工作，并降低与锂离子电池相关的安全风险。电动汽车用固态电池麦吉尔大学的研究人

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• SiC市场迎来快速增长，新厂商数量大幅增加！2024-11-01 11:01

  

  近年来，碳化硅(SiC)市场经历了显著的增长，主要受到汽车电气化及充电系统普及的推动。作为一种新兴的半导体材料，碳化硅以其优越的性能逐渐取代传统的硅器件，尤其在电源系统设计中展现出巨大的优势。碳化硅器件，如MOSFET(场效应晶体管)，在运行过程中能够有效降低热量损耗，从而提高能效。这一特性使得SiC器件在电动汽车和可再生能源系统中越来越受到青睐。随着全球对

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• 探索高效能电力解决方案——特瑞诺TGH80N65F2DS IGBT单管2024-10-31 11:26

  

  在当今科技迅速发展的时代，电力电子技术正扮演着越来越重要的角色。如何提高电力设备的效率和可靠性，成为了众多工程师和设计师们关注的焦点。而特瑞诺(trinno)全新推出的TGH80N65F2DSIGBT单管，正是为满足这一需求而生。TGH80N65F2DS是一款具有650V和80A额定值的IGBT单管，采用了TO-247封装，结合了先进的细沟槽栅极场截止(FS

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• 德州仪器正式投产氮化镓功率半导体产品，展现自有制造能力新高度2024-10-30 11:59

  

  德州仪器(TexasInstruments,TI)近期在其位于日本会津的工厂正式投产基于氮化镓(GaN)技术的功率半导体产品，此举标志着该公司在GaN半导体自有制造能力上的前所未有的四倍增长。这一进展不仅强化了TI在半导体市场的竞争力，也为新一代电子产品的高效能提供了有力的支持。氮化镓作为硅(Si)的替代材料，因其在能源效率和功率密度方面的显著优势而受到越来

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