广州万智光学技术有限公司

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• 发布了文章 2025-02-24 14:23

  去除碳化硅外延片揭膜后脏污的清洗方法

  

  引言 碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，因其出色的物理和化学特性，在功率电子、高频通信、高温及辐射环境等领域展现出巨大的应用潜力。然而，在SiC外延片的制备过程中，揭膜后的脏污问题一直是影响外延片质量和后续器件性能的关键因素。脏污主要包括颗粒物、有机物、无机化合物以及重金属离子等，它们可能来源于外延生长过程中的反应副产物、空气中的污染物或处理过程中的残留

  半导体材料 外延片 碳化硅

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• 发布了文章 2025-02-11 14:39

  SiC外延片的化学机械清洗方法

  

  引言 碳化硅（SiC）作为一种高性能的半导体材料，因其卓越的物理和化学性质，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而，在SiC外延片的制造过程中，表面污染物的存在会严重影响外延片的质量和性能。因此，采用高效的化学机械清洗方法，以彻底去除SiC外延片表面的污染物，成为保证外延片质量的关键步骤。本文将详细介绍SiC外延片的化学机械清洗方法

  SiC 半导体 碳化硅

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• 发布了文章 2025-02-11 09:43

  继经典迈克尔逊干涉后的零差式激光干涉技术的出现

  

  零差式激光干涉技术是在经典迈克尔逊干涉原理的基础上发展起来的一种高精度测量技术。以下是对这一技术的详细介绍： 一、经典迈克尔逊干涉原理 迈克尔逊干涉仪是一种利用分振幅法产生双光束以实现干涉的光学仪器，它是最著名的干涉仪之一，为光学干涉测量中各类干涉仪的原型。其原理主要是利用两束相干光波在空间某点相遇时相互叠加，形成稳定的明暗相间的干涉条纹，当被测物体发生移动

  测量 激光干涉仪 白光干涉仪

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• 发布了文章 2025-02-10 11:28

  外差式激光干涉和零差式激光干涉的区别

  

  外差式激光干涉和零差式激光干涉是两种不同的激光干涉测量技术，它们在工作原理、特点和应用方面存在显著的差异。以下是对这两种技术的详细比较： 一、工作原理 外差式激光干涉 外差式激光干涉仪又称双频干涉仪或交流干涉仪，其工作原理是利用两种不同频率的单色光作为测量光束和参考光束。 通过光电探测器的混频，输出差频信号，从而实现对被测物体的精确测量。 零差式激光干涉 零

  3D 测量 白光干涉仪

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• 发布了文章 2025-02-10 09:35

  有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法

  

  引言 碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其出色的物理和化学特性，在功率电子、高频通信及高温环境等领域展现出巨大的应用潜力。然而，在SiC外延生长过程中，掉落物缺陷（如颗粒脱落、乳凸等）一直是影响外延片质量和器件性能的关键因素。这些缺陷不仅会降低外延片的良品率，还可能对后续器件的可靠性产生严重影响。因此，有效抑制SiC外延片掉落物缺陷的生成，对于提升Si

  SiC 半导体 晶圆

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• 发布了文章 2025-02-08 14:24

  白光干涉仪的膜厚测量模式原理

  

  白光干涉仪的膜厚测量模式原理主要基于光的干涉原理，通过测量反射光波的相位差或干涉条纹的变化来精确计算薄膜的厚度。以下是该原理的详细解释： 一、基本原理 当光线照射到薄膜表面时，部分光线会在薄膜表面反射，形成表面反射光；另一部分光线会穿透薄膜，在薄膜与基底的界面上反射，然后再次穿过薄膜返回，形成内部反射光。这两束反射光在空间中相遇时，如果它们的相位差是2π的整

  测量 白光干涉仪

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• 发布了文章 2025-02-08 09:45

  应力消除外延生长装置及外延生长方法

  

  引言 在半导体材料领域，碳化硅（SiC）因其出色的物理和化学特性，如高硬度、高热导率、高击穿电场强度等，成为制造高功率、高频电子器件的理想材料。然而，在大尺寸SiC外延生长过程中，衬底应力问题一直是影响外延片质量和性能的关键因素。为了克服这一问题，应力消除外延生长装置及外延生长方法应运而生。本文将详细介绍这种装置和方法的工作原理、技术特点以及应用前景。 应力

  SiC 半导体 碳化硅

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• 发布了文章 2025-02-07 15:11

  白光干涉仪的光谱干涉模式原理

  

  白光干涉仪的光谱干涉模式原理主要基于光的干涉和光谱分析。以下是对该原理的详细解释： 一、基本原理 白光干涉仪利用干涉原理测量光程之差，从而测定有关物理量。在光谱干涉模式中，白光作为光源，其发出的光经过扩束准直后，通过分光棱镜等光学元件被分成两束相干光。一束光经被测表面反射回来，另一束光经参考镜反射。两束反射光最终汇聚并发生干涉，形成干涉条纹。 二、光谱干涉的

  测量 白光干涉仪

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• 发布了文章 2025-02-07 09:55

  碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法

  

  引言 碳化硅（SiC）外延晶片因其卓越的物理和化学特性，在功率电子、高频通信、高温传感等领域具有广泛应用。在SiC外延晶片的制备过程中，硅面贴膜是一道关键步骤，用于保护外延层免受机械损伤和污染。然而，贴膜后的清洗过程同样至关重要，它直接影响到外延晶片的最终质量和性能。本文将详细介绍碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法，包括其重要性、常用清洗步骤、所用化学试剂及

  半导体 晶片 碳化硅

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• 发布了文章 2025-02-06 14:14

  碳化硅晶片表面金属残留的清洗方法

  

  引言 碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，因其出色的物理和化学性质，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域具有广泛的应用前景。然而，在SiC晶片的制备和加工过程中，表面金属残留成为了一个亟待解决的问题。金属残留不仅会影响SiC晶片的电学性能和可靠性，还可能对后续的器件制造和封装过程造成不利影响。因此，开发高效的碳化硅晶片表面金属残留的清洗方法，对于提高

  SiC 半导体 半导体材料 碳化硅

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