广州万智光学技术有限公司

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• 发布了文章 2025-01-02 16:53

  检测碳化硅外延晶片表面痕量金属的方法

  

  碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，因其出色的物理和化学性质，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而，SiC外延晶片在生产过程中可能会引入微量的金属杂质，这些杂质对器件的性能和可靠性有着至关重要的影响。因此，开发高效、准确的检测方法以监控SiC外延晶片表面的痕量金属含量，对于保证产品质量和推进SiC技术的进一步发展具有重要意义。

  SiC 半导体材料 碳化硅

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• 发布了文章 2025-01-02 10:01

  白光干涉中的机械相移，对于反射镜移动的技术难点

  

  一、反射镜移动精度要求高 白光干涉测量对光程差的改变非常敏感，即使是微小的移动也会导致显著的相位变化。因此，反射镜的移动必须非常精确，通常要达到纳米级别。这种高精度的移动要求机械系统具有极高的稳定性和分辨率。 二、机械系统稳定性挑战 反射镜的移动通常依赖于机械系统，如压电陶瓷、精密丝杠等。然而，这些机械系统容易受到温度、振动等外部因素的影响，导致移动不稳定

  3D 测量 白光干涉仪

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• 发布了文章 2024-12-31 15:04

  8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构

  

  随着碳化硅（SiC）材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用，高质量、大面积的SiC外延生长技术变得尤为重要。8英寸SiC晶圆作为当前及未来一段时间内的主流尺寸，其外延生长室的结构设计直接关系到外延层的质量和生产效率。本文将详细介绍一种8英寸单片高温碳化硅外延生长室的结构及其特点。 结构概述 8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构主要由以下几个部分组

  SiC 硅外延片 碳化硅

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• 发布了文章 2024-12-31 10:38

  白光干涉中的光学相移原理

  

  一、基本原理 在白光干涉仪中，光源发出的光经过扩束准直后，通过分光棱镜被分成两束相干光：一束作为参考光，另一束作为待测光。这两束光在空间某点相遇时，会产生干涉现象，形成明暗相间的干涉条纹。干涉条纹的形态和位置取决于两束光的相位差，而相位差则与它们经过的光程差有关。 光学相移原理是通过多次等距改变参考光和待测光之间的光程差，实现干涉信号的相位调制。这种相位调

  3D 测量 白光干涉仪

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• 发布了文章 2024-12-30 15:11

  沟槽结构碳化硅的外延填充方法

  

  一、引言 沟槽结构碳化硅的外延填充方法是指通过在碳化硅衬底上形成的沟槽内填充高质量的外延层，以实现器件的电学和热学性能要求。这一过程中，不仅要保证外延层的填充率，还要避免空洞和缺陷的产生，从而确保器件的稳定性和可靠性。 二、外延填充方法 1. 实验准备 在进行外延填充之前，首先需要通过实验确定外延生长和刻蚀的工艺参数。这通常包括使用与待填充的碳化硅正式片具有

  晶圆 测厚 碳化硅

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• 发布了文章 2024-12-30 09:35

  白光干涉仪中的相位产生机制

  

  一、基于光程差的相位产生 基本原理： 当两束相干光波（如从同一光源发出的光波，经过不同路径后相遇）在空间某点相遇时，它们会产生干涉现象。 干涉条纹的形成是由于两束光波的相位差引起的，而相位差则取决于两束光波经过的光程差。 光程差的计算： 光程是指光在介质中传播的距离与介质折射率的乘积。 在白光干涉仪中，一束白光经过分束器被分成两束光线（参考光线和待测光线），

  3D 白光干涉仪

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• 发布了文章 2024-12-27 14:16

  1um以下的光刻深度,凹槽深度和宽度测量

  

  一、白光干涉仪测量原理 白光干涉仪利用白光干涉原理，通过测量反射光与参考光之间的光程差来精确获取待测表面的高度信息。其测量精度可达到纳米级别，非常适合用于测量1um以下的光刻深度、凹槽深度和宽度。 二、测量步骤与注意事项 样品准备： 确保待测样品表面干净无尘，无油污或其他污染物，因为这些会影响干涉图样的清晰度和测量精度。 对于光刻和凹槽结构，需要特别注意保

  测量 白光干涉仪

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• 发布了文章 2024-12-27 09:54

  优化湿法腐蚀后碳化硅衬底TTV管控

  

  一、湿法腐蚀在碳化硅衬底加工中的作用与挑战 湿法腐蚀是碳化硅衬底加工中不可或缺的一步，主要用于去除表面损伤层、调整表面形貌、提高表面光洁度等。然而，湿法腐蚀过程中，由于腐蚀液的选择、腐蚀时间的控制、腐蚀均匀性等因素，往往会导致衬底表面TTV的增加，进而影响后续加工工序和最终产品的性能。 二、影响湿法腐蚀后TTV的关键因素 腐蚀液成分：腐蚀液的选择直接影响腐

  半导体 硅衬底 碳化硅

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• 发布了文章 2024-12-26 09:51

  用于切割碳化硅衬底TTV控制的硅棒安装机构

  

  一、碳化硅衬底TTV控制的重要性 碳化硅衬底的TTV是指衬底表面各点厚度最高点与最低点之间的差值。TTV的大小直接影响后续研磨、抛光工序的效率和成本，以及最终产品的质量和性能。因此，在碳化硅衬底的加工过程中，TTV控制是至关重要的一环。 二、硅棒安装机构的设计原理 为了有效控制碳化硅衬底的TTV，我们设计了一种新型的硅棒安装机构。该机构通过精确控制硅棒的定

  半导体晶圆 硅衬底 碳化硅

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• 发布了文章 2024-12-25 10:31

  降低碳化硅衬底TTV的磨片加工方法

  

  一、碳化硅衬底的加工流程 碳化硅衬底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗抛和精抛（CMP）等几个关键工序。每一步都对最终产品的TTV有着重要影响。 切割：将SiC晶棒沿特定方向切割成薄片。多线砂浆切割是目前常用的切割方式，关键在于确保切割后的晶片厚度均匀、翘曲度小。 粗磨：去除切割过程中产生的表面损伤和刀纹，修复变形。此过程需使用高硬度磨料，如碳化硼或金刚石

  半导体 晶圆 硅衬底 碳化硅

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