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发布了文章 2024-12-10 09:55

控制12寸再生晶圆双面抛光平坦度的方法有哪些？

控制12寸再生晶圆双面抛光平坦度的方法主要包括以下几种：一、采用先进的抛光设备和技术双面抛光设备：使用双面抛光设备对晶圆进行加工，这种设备能同时控制工件的两面，有效地避免应力差与粘结误差引起的变形问题。化学机械抛光（CMP）技术： CMP技术结合了化学腐蚀和机械研磨的双重作用，可以在晶圆表面形成一层化学反应层，并通过机械研磨去除这层反应层，从而实现

半导体晶圆碳化硅

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发布了文章 2024-12-06 14:11

基于石英玻璃外延GaN的工艺改进方法有哪些？

基于石英玻璃外延GaN的工艺改进方法主要包括以下几个方面：一、晶圆片制备优化多次减薄处理：采用不同材料的浆液和磨盘对石英玻璃进行多次减薄处理，可以制备出预设厚度小于70μm且厚度均匀性TTV为±0.5μm的晶圆片结构。这种方法避免了石英玻璃本身机械性能脆弱易导致晶圆片结构碎裂的风险，同时保证了晶圆片结构正面电路的完整性。抛光处理：对多次减薄处理

GaN 石英玻璃碳化硅

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发布了文章 2024-12-06 10:36

大尺寸蓝宝石晶圆平坦化的方法有哪些

大尺寸蓝宝石晶圆平坦化的方法主要包括以下几种：一、传统研磨与抛光方法粗研磨使用研磨垫配合绿碳化硅溶液对蓝宝石晶圆进行双面粗研磨，以去除晶圆表面的大部分不平整。通过控制研磨参数，如研磨压力、转速和研磨时间，可以将TTV（总厚度偏差）控制在一定范围内。精研磨在粗研磨的基础上，使用更细的研磨材料（如钻石抛光液）和更精细的研磨垫进行双面精研磨。这一步旨在

测量碳化硅

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发布了文章 2024-12-05 16:51

改善晶圆出刀TTV异常的加工方法有哪些？

改善晶圆出刀TTV（Total Thickness Variation，总厚度变化量）异常的加工方法主要包括以下几种：一、设备调整与优化主轴与承片台角度调整通过设备自动控制，进行工艺角度调整，减小晶圆TTV值。这通常涉及调整主轴或承片台的角度，使磨轮与承片台之间呈一定的夹角，以获得较好的晶圆减薄表面质量并控制TTV。设备精度校准确保设备的精度，包

半导体晶圆测厚碳化硅

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发布了文章 2024-12-05 14:14

磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质量有哪些影响

磨料形貌及分散介质对4H碳化硅（4H-SiC）晶片研磨质量具有显著影响。以下是对这一影响的详细分析：一、磨料形貌的影响磨料形貌是研磨过程中影响4H-SiC晶片质量的关键因素之一。金刚石磨料因其高硬度和耐磨性，是研磨4H-SiC晶片的常用材料。磨料的形状、大小和分布都会影响研磨过程中的材料去除速率和晶片的表面质量。材料去除速率：磨料的形状和大小直接影

半导体碳化硅

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发布了文章 2024-12-05 10:15

怎么制备半导体晶圆片切割刃料？

半导体晶圆片切割刃料的制备是一个复杂而精细的过程，以下是一种典型的制备方法：一、原料准备首先，需要准备高纯度的原料，如绿碳化硅和黑碳化硅。这些原料具有高硬度、高耐磨性和高化学稳定性，是制备切割刃料的理想选择。二、破碎与筛分颚式破碎：将原料放入颚式破碎机中进行初步破碎，得到一定粒度的颗粒。筛分：通过筛分设备将破碎后的颗粒进行分级，筛选出符合要求的

半导体晶圆碳化硅

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发布了文章 2024-12-04 11:30

有什么方法可以去除晶圆键合边缘缺陷?

去除晶圆键合边缘缺陷的方法主要包括以下几种：一、化学气相淀积与平坦化工艺方法概述：提供待键合的晶圆。利用化学气相淀积的方法，在晶圆的键合面淀积一层沉积量大于一定阈值（如1.6TTV）的氧化物薄膜。对氧化物薄膜进行致密化工艺。对经致密化工艺后的氧化物薄膜进行平坦化工艺，确保平坦化的研磨量和氧化物薄膜的剩余量满足一定条件（如平坦化的研磨量大于0.9

半导体晶圆晶圆碳化硅键合

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发布了文章 2024-10-31 17:38

降低晶圆TTV的磨片加工有哪些方法?

高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理，可解决晶圆/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，总厚度偏差）、BOW（弯曲度）、WARP（翘曲度），TIR（Total Indicated Reading 总指示读数，STIR（Site Total Indicated Reading 局部总指示读数），LTV（Local Thickn

Warp

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