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JSAB安建科技

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安建团队赴广汽集团拜访交流

2024年7月17日,安建董事长兼总经理单建安教授与投资人代表胡强先生带队拜访广汽集团,与广汽集团冯....
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安建半导体出席第36届功率半导体器件和集成电路国际研讨会

在前不久结束的ISPSD2024 征稿评比中,安建半导体以工作单位独立参加碳化硅领域投稿,在口头报告....
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安建半导体推出针对大电流高功率应用的SGT MOSFET器件

近年來,工业及消费市场对于系统的要求不断提高,为达到更优秀的效率、可靠性及热性能,MOSFET作为功....
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安建半导体获得超过2亿元人民币的C1轮融资

安建半导体C1轮融资圆满收官,公司获得超过2亿元人民币的融资。本轮融资由北京国管顺禧基金及中航投资领....
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安建半导体推出全新150V SGT MOSFET产品平台

安建半导体 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET产品平台,平台采用先进的技术和....
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安建半导体推出具有完全自主知识产权的1200V-17mΩ SiC MOSFET,通过独特设计确保产品....
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JSAB正式推出1200V-900A模块

JSAB正式推出兼容国外一流品牌的EconoDual3和62mm封装的1200V-900A模块,产品....
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安建采用7层光罩工艺的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圆

依托于光刻机的光罩(Litho)工艺是半导体芯片加工流程中的核心工艺,光罩的层数是影响半导体芯片工艺....
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采用TO-247Plus-4L封装的1200V-140A IGBT单管

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1200V-600A/450A IGBT模块产品性能

1200V-600A/450A IGBT模块被广泛应用于新能源光伏和集中式储能、大功率工业电机变频及....
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