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电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>

功率器件

电子发烧友网功率器件栏目提供电源设计中所需的功率器件最新应用技术和方法以及电源设计相关内容,是电源工程师喜欢的网站。
MOS场效应管电源开关电路

MOS场效应管电源开关电路

MOS管开关电路是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种。...

2023-05-16 标签:开关电路MOS管漏极 1235

场效应晶体管工作原理

场效应晶体管是一种利用控制输入电路的电场效应来控制输出电路电流的半导体器件,并以此命名。因为它只依靠半导体中的多数载流子来导电,所以又称为单极晶体管。场效应晶体管英文是...

2023-05-16 标签:晶体管场效应晶体管半导体器件 974

晶体管和晶闸管区别

晶体管可以用来放大电信号,可以用来做电子开关;晶闸管也可以用来做电子开关,但不能用来放大信号,它用来做开关比晶体管好,因为它的导通电阻比晶体管的低,能通大电流;...

2023-05-16 标签:晶闸管晶体管放大信号 1455

双极型晶体管工作原理

双极性晶体管能够放大信号,并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力,所以它常被用来构成放大器电路,或驱动扬声器、电动机等设备,并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和...

2023-05-16 标签:医疗器械放大器电路晶体管 1176

从一季度十家碳化硅产业链企业业绩,看后市发展趋势

从一季度十家碳化硅产业链企业业绩,看后市发展趋势

电子发烧友网报道(文/梁浩斌)在整体消费市场低迷的前提下,乘着电动汽车以及工业领域的需求东风,去年碳化硅产业普遍获得亮眼的业绩增长之后,今年以来继续展现出逆势上升的趋势。...

2023-05-15 标签:英飞凌碳化硅三安光电Wolfspeed 1663

SiC市场份额翻番,安森美半导体要起飞?

SiC市场份额翻番,安森美半导体要起飞?

安森美半导体的另一个强劲市场是CMOS 图像传感器 (CIS)。该公司在 ADAS(高级驾驶辅助系统)市场占有 40% 的市场份额。在汽车市场,随着 ADAS/AV 功能数量的不断增加,带有图像传感器的摄像头越...

2023-05-11 标签:图像传感器安森美半导体SiC 1009

陕西省科技厅厅长姜建春一行莅临龙腾半导体调研指导秦创原建设工作

陕西省科技厅厅长姜建春一行莅临龙腾半导体调研指导秦创原建设工作

日前,省委科技工委书记、省科技厅厅长姜建春来经开区调研秦创原建设工作,并莅临龙腾半导体实地了解企业科技创新及生产经营情况。 姜建春厅长一行先后参观了龙腾半导体展厅及龙威半...

2023-05-11 标签:功率半导体 3612

大功率半导体技术现状及其进展

大功率半导体技术现状及其进展

功率半导体技术经过 60 余年发展,器件阻断能力和通态损耗的折衷关系已逐渐逼近硅基材料物理极限,因此宽禁带材料与器件越来越受到重视,尤其是以碳化硅(SiC)和氮化镓 (GaN) 为代表的第...

2023-05-09 标签:晶闸管IGBT功率半导体 3484

电流互感器如何接三相表 正反转电路的连接方法

电流互感器如何接三相表 正反转电路的连接方法

X0是光电传感器,当检测到产品时,X0的状态为ON,C100是停电保持计数器...

2023-05-05 标签:星三角电流互感器 1321

特斯拉虚晃一枪,碳化硅高速迈进

特斯拉虚晃一枪,碳化硅高速迈进

由此可见,华为对SiC的投资基本覆盖了整个产业链,这体现了华为对SiC的发展潜力有着充分的信心。早在2021年,华为便指出,未来十年是第三代功率半导体的创新加速期,渗透率将全面提升。...

2023-04-28 标签:半导体材料SiC碳化硅 891

一个完整的电源功率模块的设计和验证流程

一个完整的电源功率模块的设计和验证流程

首先,在设计阶段,系统的原理图模块化设计,方便实现设计复用,缩短设计周期;集成的仿真和EMI电路分析环境确保概念设计阶段电路功能和性能满足设计指标,从而减少失误导致的设计反复...

2023-04-28 标签:电源原理图电子系统功率模块 1853

SiC MOSFET:是平面栅还是沟槽栅?

SiC MOSFET:是平面栅还是沟槽栅?

沟槽栅结构是一种改进的技术,指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小,与平面栅相比,沟槽栅MOSFET消除了JFET区...

2023-04-27 标签:电阻MOSFETSiC 4100

绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术

绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术

GaN基功率开关器件能实现优异的电能转换效率和工作频率,得益于平面型AlGaN/GaN异质结构中高浓度、高迁移率的二维电子气(2DEG)。图1示出绝缘栅GaN基平面功率开关的核心器件增强型AlGaN/GaN...

2023-04-29 标签:功率器件GaN开关器件 1174

绝缘栅Si基GaN平面器件关键工艺

绝缘栅Si基GaN平面器件关键工艺

传统GaN-on-Si功率器件欧姆接触主要采用Ti/Al/X/Au多层金属体系,其中X金属可为Ni,Mo,PT,Ti等。这种传统有Au欧姆接触通常采用高温退火工艺(>800℃),第1层Ti在常温下能与(Al)GaN反应,从而...

2023-04-29 标签:功率器件GaN金属 1224

氮化镓(GaN)的晶体结构与性质

氮化镓(GaN)的晶体结构与性质

到目前为止我们已知的GaN有三种晶体结构,它们分别为纤锌矿(Wurtzite)、闪锌矿(Zincblende)和岩盐矿(Rocksalt)。通常的情况下纤锌矿是最稳定的结构。目前学术上在薄膜的外延生长中主要以...

2023-04-29 标签:纳米材料氮化镓GaN 19126

氮化镓材料的分析方法

X射线衍射法是根据X射线衍射原理来精确测定物质的晶体结构和应力的检测方法,测试方法简单、方便、测试结果准确,可以准确判断材料结晶质量好坏,因此是一种非常重要的、不可替代的晶...

2023-04-29 标签:晶体氮化镓X射线 547

额定电压和实际电压的区别

额定电压是指电气设备的标称电压,即电气设备的设计和制造时规定的电气参数,例如交流电机的额定电压为380V,发电机的额定电压为6600V等。额定电压在设备制造时已经确定,与电网电压的实...

2023-04-24 标签:电气设备电网电压额定电压 10207

额定电压的公式

额定电压公式的意义在于,当电器设备的额定电压为 Un时,其所能承受的最大电压为Vn。这个公式的根号3是因为在三相电路中,电压的有效值是相电压的根号3倍。...

2023-04-24 标签:电压额定电压电器设备 6218

额定电压是什么意思

额定电压(Nominal voltage):电池正负极材料因化学反应所造成的电位高低之差,利用些关系,所产生的电压,称为额定电压,不同的正负极材料,产生的电压不同,如:铅酸电池-2V/CELL, 锂离子...

2023-04-24 标签:锂离子电池额定电压负极材料 23645

所有MLCC都会啸叫吗?MLCC的原因和解决办法

所有MLCC都会啸叫吗?MLCC的原因和解决办法

随着人们对电子设备的需求趋于平静,在笔记本电脑、手机、数码相机 (DSC) 等各种应用设备的电源电路方面,以前未引起重视的由电容器振动所产生的“啸叫”问题已成为设计方面的课题。...

2023-04-23 标签:pcbMLCC陶瓷电容器贴片电容 1032

碳化硅:第三代半导体之星

按照电学性能的不同,碳化硅材料制成的器件分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅射频器件,两种类型碳化硅器件的终端应用领域不同。导电型碳化硅功率器件是通过在低电阻率的导电...

2023-04-21 标签:碳化硅射频器件 2813

碳化硅MOSFET在电动汽车热管理系统中的研究

我国拥有世界最大的汽车消费市场,为坚持可持续发展基本国策,需大力发展环保、节能、经济的电动汽车[1]。车主因担心驾驶电动汽车突然没电引起的焦虑问题主要有3种解决方法:增加充电粧保...

2023-04-17 标签:电动汽车MOSFET功率器件热管理碳化硅 1396

电力电子装置EMI滤波器平面集成研究

顺应逆变器高频化和集成化发展,针对开关频率提高所带来严重的电磁干扰问题,采用平面磁集成结构实现双级EMI滤波器。在EIE型磁芯上实现双级EMI滤波器所需电感绕组的磁集成,同时引入介电...

2023-04-16 标签:电磁兼容滤波器功率器件 985

五大陶瓷基板材料特性及应用大全

BeO为纤锌矿型结构,单胞为立方晶系。其热传导能力极高,BeO质量分数为99%的BeO陶瓷,室温下其热导率(热导系数)可达310W/(m·K),为同等纯度Al2O3陶瓷热导率的10倍左右。...

2023-04-12 标签:半导体材料碳化硅陶瓷基板 3701

一文讲透RC滤波器

假设我们有一个由完美的5kHz正弦波组成的音频信号。我们知道时域中的正弦波是什么样的,在频域中我们只能看到5kHz的频率“尖峰”。现在让我们假设我们激活一个500kHz振荡器,将高频噪声引...

2023-04-09 标签:滤波器振荡器频谱 1964

碳化硅电机驱动系统电磁兼容建模技术研究

碳化硅功率器件依托其开关性能的优势,在电机驱动系统中得到了广泛地应用,然而,其过快的开关响应速度及过大的开关振荡给系统带来了严重的EMI问题。通过采用理论分析、建模仿真及物理...

2023-04-07 标签:电磁兼容驱动系统功率器件碳化硅 1300

IGBT半导体与MOS管、三极管的区别

我们就从常见的开关说起,这边给他接一个电源,右边接一个负载,然后不停的开关这个开关,那么这个负载上的电压波形就是这么一个pwm波。那这个电路看上去很简单,但是它真的非常的重要...

2023-03-31 标签:三极管MOS管IGBT 1652

正反馈、负反馈傻傻分不清?

根据反馈的极性分类,可分为正反馈和负反馈。使放大电路净输入量增大的反馈称为正反馈,使放大电路净输入量减小的反馈称为负反馈。正反馈虽然能够提高放大倍数,但会使电路工作变得不...

2023-03-27 标签:电阻放大电路反馈 18610

有趣的材料—无处不在的碳化硅

电子器件的使用环境逐渐恶劣,航空航天、石油探测领域前景广阔,在热导率、击穿场等上的要求更高,那么以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为主的第三代半导体材料起到了极大的作用。...

2023-03-24 标签:电子器件SiC碳化硅 1427

价格下降、与Si器件价差缩小,氮化镓或成终端厂商进入高端市场的“宝剑”

价格下降、与Si器件价差缩小,氮化镓或成终端厂商进入高端市场的“宝剑”

价格下降、与Si器件价差缩小 ,氮化镓 或成终端厂商进入高端市场的“宝剑”   电子发烧友网报道(文/莫婷婷)作为第三代半导体,氮化镓材料由于具备禁带宽度大、击穿电压高、低损耗、高...

2023-03-20 标签:电源氮化镓氮化镓电源 3870

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