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ADALM2000实验：变压器

变压器还可以升高电压以实现长距离传输，并降低电压以实现安全配电。如果没有变压器，配电网络中已经很严重的电力浪费将大到惊人。也可以将直流(DC)电压升压或降压，但这些技术比交流变压器更复杂，而且在操作过程中涉及到将直流电压转换为某种形式的交流信号。此外，这样的转换通常效率低下且/或成本高昂。交流电的...

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如何在没有软启动方程的情况下测量和确定软启动时序？

问题: 如果DC-DC器件具有两个输出，但用作单路两相输出，这会如何影响软启动时序？答案: 如果器件有两个独立的软启动引脚，每个引脚都有各自的电流源，现在将二者并联连接，形成单路输出设计，此时电流源值会加倍，相同的输出电容将表现出原来一半的时序。为了实现相同的软启动时序，软启动电容值也需要加倍。...

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WBG 器件给栅极驱动器电源带来的挑战

碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 器件的栅极驱动器电源必须满足这些宽带隙半导体的独特偏置要求。本文将讨论在 SiC 和 GaN 应用中设计栅极驱动器电源时需要考虑的关键因素。图 1：RECOM 众多 DC/DC 模块针对 WBG 栅极驱动器应用进行优化中的一部分 SiC 和 GaN 是宽带...

730次阅读 · 0评论驱动器SiCGaN栅极驱动器宽带隙半导体

开关模式电源问题分析及其纠正措施：检测电阻器违规

本文旨在解决DC-DC开关稳压器的反馈级设计中面临的复杂难题，重点关注检测电阻器(RSENSE)元件。RSENSE对于确保反馈网络（负责维持输出电压）接收来自电感电流的准确信号而言至关重要。失真的信号可能会使电感纹波看起来比实际更大或更小，从而导致反馈网络出现意外行为。...

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高性能电压监控器详解—-- 第一部分

本文阐述了高性能电压监控器的价值，讨论了其基本定义、工作原理、技术规格、拓扑结构和极性。某些高性能电压监控器旨在帮助基于微处理器的系统提升可靠性，防止掉电状况下系统出错。本文提供了一些示例。...

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实现不间断能源的智能备用电池第四部分：基于MAX32625的BBU架的操作

摘要本文详细介绍了ADI公司用于开放计算项目开放机架第3版(OCP ORV3)备用电池单元(BBU)架的硬件和软件。其主要功能是建立BBU模块之间的通信，并通过为此类应用精心打造的图形用户界面(GUI)向用户呈现可读数据和信息。引言备用电池架是OCP ORV3架构和数据中心应用中电源管理系统的...

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必易微高性能连续导通模式PFC控制器KPE2851X/KPE2852

在现代电力系统中，功率因数校正（Power Factor Correction，简称 PFC）已经成为电源设计中不可忽视的重要因素之一，直接关系到电网的稳定性、能效以及对环境的影响。 2023 年，必易微推出了临界导通模式 (CRM) 的高性能 PFC 控制器 KP2806(A)。PFC 工作在临界...

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AI数据中心电力飙升，安森美高能效MOSFET如何见招拆招？

安森美的中低压 T10 PowerTrench MOSFET 采用了新型屏蔽栅极沟槽技术，降低了开关损耗和导通损耗，并进而显著降低了其 Qg，RDS(ON) 也降至 1mOhm 以下。...

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瑞萨电子RA2L1微控制器双向3KW UPS电源方案带来不间断电力供应能力

在现代企业的运营中，电力供应的稳定与连续是至关重要的。无论是数据中心、医疗设施还是工业制造环境，片刻的电力中断都可能引发数据丢失、设备损坏甚至安全事故，因此，不间断电源（UPS）十分重要，其可确保业务的连续性，从而避免因突然断电而造成的经济损失和潜在的风险。针对这一趋势，瑞萨推出双向3KW UP...

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400nA超低功耗升压DC/DC转换器大幅提升电池驱动时间

这次介绍适用于一次电池驱动时间应用的超低功耗升压DC/DC。 XC9145： 400nA超低功耗升压DC/DC转换器由于超低功耗，无论MCU在休眠模式还是活跃模式下，都可以在无需开关控制的情况下始终保持高效率。 XC9145系列通过超低功耗电路将消耗电流降低至400nA，并采用PWM/PFM控制方...

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2.1 3.3V Vbus电源静电保护方案

方案优点：用于满足IC VCC 3.3V的静电浪涌保护，根据电源所处环境选择合适保护电流的ESD器件；高速传输接口选择超低电容ULC0511CDN，保证信号完整性的同时，通过静电测试。满足IEC61000-4-2，等级4，接触放电30KV，空气放电30KV。...

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1.0 1.8V VCC电源静电保护方案

方案优点：用于满足IC VCC 1.8V的静电浪涌保护，根据电源所处环境选择合适保护电流的ESD器件；I/O接口选择ESD01811CDN,，保证信号完整性的同时，通过静电测试。满足IEC61000-4-2，等级4，接触放电30KV，空气放电30KV。...

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英飞凌CoolSiC™ MOSFET G2，助力下一代高性能电源系统

所有现代硅功率器件都基于沟槽技术，并已取代了平面技术，那么碳化硅呢？就碳化硅而言，沟槽设计在性能优势方面与Si功率MOSFET技术的发展有许多相似之处。采用碳化硅沟槽设计还有一个显著优势，即可靠性。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明显低于横向界面。这就为性能和鲁棒性特征与可靠性的匹配提供了新的优化...

525次阅读 · 0评论英飞凌MOSFET功率器件SiC电源系统