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电子发烧友网>LEDs>LED芯片>GaN衬底 中国LED企业与国外厂家同时起跑

GaN衬底 中国LED企业与国外厂家同时起跑

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2021-09-18 09:49:533869

新开发了一种GaN衬底减薄技术——激光减薄技术

而此次他们通过实验证明,该技术同样适用于GaN-on-GaN HEMT器件制造,即在器件制造之后采用激光工艺进行减薄,该技术可显著降低 GaN 衬底的消耗。
2022-05-12 10:45:553709

晶能光电硅衬底氮化镓技术助力MicroLED产业化

Micro LED被誉为新时代显示技术,但目前仍面临关键技术、良率、和成本的挑战。 微米级的Micro LED已经脱离了常规LED工艺,迈入类IC制程。相对其它竞争方案,大尺寸硅衬底氮化镓(GaN
2022-08-17 12:25:421163

晶能光电参与的国家虚拟现实创新中心获批组建

晶能光电是硅衬底GaNLED生产的垂直整合制造IDM企业,拥有包括硅衬底GaN材料生长、LED芯片制备,器件模组生产的全链条产业化的丰富经验。
2022-11-08 09:19:12589

世界最高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底

近年来,半绝缘SiC衬底上外延生长的GaN高迁移率晶体管(GaN-on-SiC HEMTs)已广泛应用于微波射频领域的功率放大器电路中。
2022-12-02 11:43:46497

国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件

 相比于横向功率电子器件,GaN纵向功率器件能提供更高的功率密度/晶圆利用率、更好的动态特性、更佳的热管理,而大尺寸、低成本的硅衬底GaN纵向功率电子器件吸引了国内外众多科研团队的目光,近些年已取得了重要进展。
2022-12-15 16:25:35808

电装实力入榜2022胡润中国外商投资企业百强

2022 胡润中国外商投资企业百强 2022 /12 / 21 胡润研究院发布了《2022胡润中国外商投资企业百强榜暨投资大湾区指南》 (Hurun Largest Foreign HK/Macau
2023-01-05 01:55:02612

晶能光电带驱动的三基色Micro LED显示模组再获央视报道

作为国家虚拟现实创新中心入局者,晶能光电利用自主创新的硅衬底GaNLED技术,承担硅衬底Micro LED的关键共性技术开发。
2023-02-15 10:53:39270

浅谈带驱动的三基色Micro LED显示模组

作为国家虚拟现实创新中心入局者,晶能光电利用自主创新的硅衬底GaNLED技术,承担硅衬底Micro LED的关键共性技术开发。
2023-02-21 11:00:20262

浅谈GaN 异质衬底外延生长方法

HVPE(氢化物气相外延法)与上述两种方法的区别还是在于镓源,此方法通常以镓的氯化物GaCl3为镓源,NH3为氮源,在衬底上以1000 ℃左右的温度生长出GaN晶体。
2023-06-11 11:11:32309

GaN单晶衬底显著改善HEMT器件电流崩塌效应

衬底材料和GaN之间纯在较大的晶格失配和热失配,外延层中往往存在大量的缺陷,使得HEMT器件中存在较强电流崩塌效应,影响器件的性能发挥。
2023-06-14 14:00:551920

与国外直线模组相比,国内直线电机模组厂家面临哪些挑战?

当前在国内工业与制造业智能化、自动化转型升级趋势不断加深背景下,国内直驱技术市场保持着高速成长的趋势,市场应用空间不断拓大。但国产直线电机还处于发展的初期阶段,产品工艺和技术方面还未完全完善和成熟,那么与国外直线模组相比,国内直线电机模组厂家面临哪些挑战?
2023-07-26 14:39:20594

几种led衬底的主要特性对比 氮化镓同质外延的难处

GaN半导体产业链各环节为:衬底GaN材料外延→器件设计→器件制造。其中,衬底是整个产业链的基础。 作为衬底GaN自然是最适合用来作为GaN外延膜生长的衬底材料。
2023-08-10 10:53:31795

氮化镓衬底和外延片哪个技术高 衬底为什么要做外延层

氮化镓衬底是一种用于制造氮化镓(GaN)基础半导体器件的基板材料。GaN是一种III-V族化合物半导体材料,具有优异的电子特性和高频特性,适用于高功率、高频率和高温应用。 使用氮化镓衬底可以在上面
2023-08-22 15:17:312720

晶能光电硅衬底UVA LED 产品性能处于行业先进水平

2023年9月,第三届紫外LED国际会议暨长治LED发展推进大会在长治隆重召开,国内外专家云集,深入交流紫外LED最新技术进展与发展趋势。晶能光电外延工艺高级经理周名兵受邀作《硅衬底GaN基近紫外
2023-09-19 11:11:285949

晶能光电:硅衬底GaN材料应用大有可为

衬底GaN材料在中低功率的高频HEMT和LED专业照明领域已经实现规模商用。基于硅衬底GaN材料的Micro LED微显技术和低功率PA正在进行工程化开发。DUV LEDGaN LD以及GaN/CMOS集成架构尚处于早期研究阶段。
2023-10-13 16:02:31361

助熔剂法生长GaN单晶衬底的研究进展

GaN性能优异,在光电子、微电子器件应用广泛,发展潜力巨大;进一步发展,需提升材料质量,制备高质量氮化镓同质衬底
2023-12-09 10:24:57774

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