IGBT/功率器件
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5V转3.3V电平的19种方法技巧
在选择 LDO 时，重要的是要知道如何区分各种LDO。器件的静态电流、封装大小和型号是重要的器件参数。根据具体应用来确定各种参数，将会得到最优的设计。...
2023-02-11 2628
测量功耗并计算二极管和IGBT芯片的温升
根据电路拓扑和工作条件，两个芯片之间的功率损耗可能会有很大差异。IGBT 的损耗可以分解为导通损耗和开关（开通和关断）损耗，而二极管损耗包括导通和关断损耗。准确测量这些损耗通常...
2023-02-11 1676
如何测量功耗并计算二极管和IGBT芯片的温升
与大多数功率半导体相比，IGBT 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。这是因为大多数 IGBT 都采用一体式封装，同一封装中同时包含 IGBT 和二极管芯片。为了知道每个芯片的温度，有必要...
2023-02-11 2022
碳化硅二极管的区别和用途
随着终端应用电子架构复杂程度提升，硅基器件物理极限无法满足部分高压、高温、高频及低功耗的应用要求。近 20 多年来，以碳化硅(silicon carbide，SiC)为代表的宽禁带半导体器件，受到了广...
2023-02-10 1047
什么是功率开关管 开关管的工作原理
根据MOS管，三极管的性质可知，通过对它们工作电压的改变可以使它们分别用来放大信号，用来做开关，而MOS管，三极管同时也有大功率和小功率的各种类型管子，因此结合以上特点可知，MO...
2023-02-10 8134
车规MOSFET技术确保功率开关管的可靠性和强电流处理能力
大电流功率开关管是一个串联到主电源轨并由逻辑电路控制的低电阻MOSFET晶体管，集成了各种保护、诊断和检测功能。在大功率汽车电源系统中，通过背靠背连接的 MOSFET开关管...
2023-02-10 1014
在氧化镓基日盲雪崩探测器研究领域取得新突破！
研究组在前期Ga₂O₃/ITO n-n型雪崩探测器件成果的基础上（ACS Nano，2021，15：16654），经过不断探索，通过插入合适的宽带隙材料（MgO）对势垒高度进行了调整，成功研发了由β-Ga₂O₃/MgO/Nb:SrT...
2023-02-10 1030
一文解析大功率激光器芯片
对于单颗输出光功率超过500mW的激光器芯片已经是大功率激光器芯片了。转换效率根据材料的不同而不同，像红光的目前大功率也能达到50%，剩余的电能就转换成热能。...
2023-02-10 3857
为何碳化硅比氮化镓更早用于耐高压应用？
仅从物理特性来看，氮化镓比碳化硅更适合做功率半导体的材料。研究人员还将碳化硅与氮化镓的“Baliga特性指标（与硅相比，硅是1）相比，4H-SiC是500，而氮化镓是900，效率非常高。...
2023-02-10 2073
多极碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)单片微波集成电路(MMIC)器件
四款新型多极碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）单片微波集成电路（MMIC）器件。进一步扩展射频（RF）解决方案范围，适用于包括海事、气象监测和新兴的无人机系统雷达等在内的脉冲和连续波 X-波...
2023-02-10 850
碳化硅基氮化镓GaN-on-SiC为5G铺平道路
许多人可能认为，既然 5G 已经开始铺开，那么4G 技术也即将退出历史舞台。但这绝不是事实，因为仍有计划为许多使用较老的 3G／4G 技术的地区提供 4G 服务，以及升级和维护 4G 服务，以便为未...
2023-02-10 657
什么是氮化镓（GaN）？什么是高电子迁移率晶体管？
氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体，用于高效功率晶体管和集成电路。在GaN晶体的顶部生长氮化铝镓（AlGaN）薄层并在界面施加应力，从而产生二维电子气（2DEG）。2DEG用于在电场作用下，高效...
2023-02-10 5233
氮化镓行业发展前景如何？
氮化镓根据衬底不同可分为硅基氮化镓和碳化硅基氮化镓：碳化硅基氮化镓射频器件具有高导热性能和大功率射频输出优势，适用于5G基站、卫星、雷达等领域；硅基氮化镓功率器件主要应用于...
2023-02-10 3660
射频硅基氮化镓：两个世界的最佳选择
在这种情况下，氮化镓因其卓越的射频性能而成为5G mMIMO无线电的领先大功率射频功率放大器技术。然而，目前的实现方式成本过高。与硅基技术相比，氮化镓生长在昂贵的III/V族SiC晶圆上，采...
2023-02-10 1312
硅基氮化镓介绍
硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的...
2023-02-10 1934
硅基氮化镓是做什么用？
在过去几年中，氮化镓（GaN）在半导体技术中显示出巨大的潜力，适用于各种高功率应用。与硅基半导体器件相比，氮化镓是一种物理上坚硬且稳定的宽带隙（WBG）半导体，具有快速的开关速度...
2023-02-09 798
南芯科技推出PD3.1 140W单口/多口快充解决方案
USB PD3.1 能够迅速商业化，离不开苹果公司的“鼎力支持”— 2021 年10 月苹果发布的16 英寸MacBook Pro，成为全球首款支持USB PD3.1 快充技术的笔记本电脑，支持140W（28V/5A）的USB-C 快充。紧接着，越...
2023-02-09 2608
硅二极管和锗二极管区别在哪 如何区分硅二极管和锗二极管
基本二极管由一根管子、一个外壳和两个电极组成。管是一个PN结，在PN结的每一端画一个针。用塑料、玻璃或金属材料制成包装外壳，如下图所示。从P区抽出的电极称为正电极或阳极，从N区引...
2023-02-09 13705
结型场效应管（JFET）的工作原理/工作模式/特性/优点
结型场效应晶体管，简称JFET，已被广泛用于电子电路中。结型场效应管JFET是一种可靠且有用的电子元件，可以很容易地用于从放大器到开关电路的各种电子电路中。...
2023-02-09 27097
功率器件的应用场景及制造流程
功率半导体是电能转换的载体，22 年全球功率器件市场约为281亿美元，2022- 25年CAGR 8.2%。功率半导体是功率器件与电源管理IC的集合，其中功率器件例如二极管、MOSFET 及IGBT等作为快速的电子...
2023-02-09 557
双驱动功率放大器的PA拓扑结构分析
现代功率放大器（PA）有望通过OFDM支持高阶调制信号（如256-/1024-/4096-QAM），提高峰均功率比（PAPR）。...
2023-02-09 1117
RF设计基础：驻波比、回波损耗和失配损耗
在传输线测量的早期，这些高性能定向耦合器是不可用的，公式2是测量Γ幅度的简单解决方案。为此，工程师只需要通过称为开槽线路的设备测量沿线路的最小和最大电压。...
2023-02-09 1378
什么是二极管，关于二极管的一些基础知识
二极管就是电流的一个单向门（在火车站进出站里最常见，只能单方面通行...）,当二极管的阳极相对于阴极的的电压为正时，则叫“正向偏置”。...
2023-02-09 8018
石墨烯场效应晶体管 （GFET）的构造、优势
随着硅晶体管的尺寸和性能接近其物理极限，需要寻找替代材料来支持更多的新兴技术， 其中一个具有希望的材料石墨烯。由于其出色的电气、机械和热性能，使得它最有可能成为场效应晶体...
2023-02-09 5895
0欧电阻、电感、电容和磁珠单点接地方法
磁珠的等效电路相当于带阻限波器，只对某个频点的噪声有显著抑制作用，使用时需要预先估计噪点频率，以便选用适当型号。对于频率不确定或无法预知的情况，磁珠不合适。...
2023-02-09 3690
碳化硅MOS的结构与优势
碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源区和P井掺杂都是采用离子注入的方式，在1700℃温度中进行退火激活。另一个关键的工艺是碳化硅MOS栅氧化物的形成。由于碳化硅材料中同时有Si和C两种原子存在，需...
2023-02-09 2715
大功率碳化硅二极管的应用
由于碳化硅材料的带隙很宽（4H型碳化硅在室温下约为3.26eV），碳化硅器件能够在很高的温度下工作而不至于因为本征载流子激发导致器件性能失效。碳化硅材料在发生雪崩击穿前所能够忍受的...
2023-02-09 659
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