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电子发烧友网>模拟技术>IGBT/功率器件>

IGBT/功率器件

电子发烧友网IGBT/功率器件栏目提供igbt器件,功率器件,功率半导体器件,功率开关器件,igbt功率模块,igbt功率管,大功率igbt驱动,大功率igbt等IGBT/功率器件设计所需的所有最新行业新闻、产品信息及技术热点方案及介绍。

A类放大器优缺点

这意味着A 类放大器配置是理想的工作模式,因为即使在负半周期内,输出波形也不会有交越或关断失真。A 类功率放大器输出级可以使用单个功率晶体管或连接在一起的晶体管对来分担高负载...

2023-02-08 标签:变压器放大器功率晶体管 2345

电机控制和转换效率对汽车应用至关重要

电机控制和转换效率对汽车应用至关重要

对于越来越多的汽车应用来说,电源转换和电机控制应用的效率是一项始终需要关注的设计规范要求。现代内燃机汽车越来越多地使用低压三相电机控制系统,包括燃油泵、座位调节电机和空调...

2023-02-08 标签:电源MOSFET电机控制 404

如何选择正确的电容 4.7μF电容变小了14倍的原因

我第一个假设是:电路板上某个元件值不正确,于是我测量用作一个分压器的两只电阻,但它们都没有问题。我把电容从电路板上拆下来测量,也没有问题。...

2023-02-08 标签:led电阻驱动器瓷片电容 900

离散事件仿真方法有哪些?

离散事件仿真方法有哪些?

事件是离散事件系统的基本概念,事件的发生引起系统状态的改变。事件调度法(event scheduling)以事件为分析系统的基本单位,通过定义事件、事件发生的时间顺序及其系统状态的变化,并以...

2023-02-08 标签:驱动仿真模型离散驱动 6076

广东合科泰荣获东莞市功率器件及模拟芯片设计制造工程技术研究中心认定

近日,广东省东莞市科技局发布了关于认定东莞市工程技术研究中心和重点实验室(2022年第二批)的通知,认定广东合科泰实业有限公司等229家市级工程技术研究中心和32家市级重点实验室。...

2023-02-07 标签:集成电路分立器件功率器件模拟芯片合科泰 1544

硅二极管的死区电压_硅二极管和锗二极管的区别

在室温下,实际硅二极管的死区电压为0.6~0.8V,正向压降为0.6~0.7V。...

2023-02-07 标签:硅二极管锗二极管 8299

氮化镓晶体管应用范围

作为第三代半导体的天之骄子,氮化镓晶体管日益引起工业界的重视,且被更大规模应用...

2023-02-07 标签:氮化镓晶体管 505

发光二极管接反了会怎么样

发光二极管正负极接反不能发光。二极管具有单向导通性,接反了就成了截止状态,就不能发光了。...

2023-02-07 标签:二极管发光二极管 9235

发光二极管串多大电阻接入220V

发光二极管串多大电阻接入220V

发光二极管接220v用14.5干欧,当然这是理想值,算上电网波动,串的电阻最好在15至16千欧之间,而一系列电阻一起是最好的,如果把一个电阻分成220V压,散热就不是很好,不同颜色的亮度,根...

2023-02-07 标签:电阻led灯发光二极管 32533

不同因素对IGBT温敏参数dv/dt有什么影响?

不同因素对IGBT温敏参数dv/dt有什么影响?

结温是IGBT功率模块中功率器件的重要状态变量,能直接反映器件安全裕量、健康状态及运行性能等。...

2023-02-07 标签:IGBT功率器件功率模块 3042

如何解读IGBT和模块的标准体系?

如何解读IGBT和模块的标准体系?

正确理解IGBT和模块的标准体系,对了解产品特性,指导系统设计用足产品特性,符合规范很有帮助,熟悉标准的工程师会在系统设计中更游刃有余。...

2023-02-07 标签:IGBT系统设计 1472

SiC模块的特征和电路构成

SiC模块的特征和电路构成

1. SiC模块的特征 大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。 由IGBT的尾电流和FRD的恢复电流引起的较大...

2023-02-07 标签:功率器件SiC碳化硅 974

如何计算IGBT驱动电流及驱动功率?

如何计算IGBT驱动电流及驱动功率?

IGBT驱动电路的设计包括上下桥绝缘水平的选择、驱动电压水平的确定、驱动芯片驱动功率的确定、短路保护电路等等。...

2023-02-07 标签:IGBT驱动电路驱动芯片 5203

SiC SBD器件结构和特征

1. 器件结构和特征 SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。 因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管(FR...

2023-02-07 标签:功率器件SiC碳化硅 748

发光二极管耐压多少_发光二极管压降是多少

小功率的发光二极管正常工作电流在10~30mA范围内。通常正向压降值在1.5~3V范围内。发光二极管的反向耐压一般在6V左右。...

2023-02-07 标签:发光二极管耐压 15124

如何测量IGBT换流回路中杂散电感?

如何测量IGBT换流回路中杂散电感?

换流回路中的杂散电感会引起波形震荡,EMI或者电压过冲等问题。...

2023-02-07 标签:emi电感波形 2382

IGBT的电流是怎么定义的?

IGBT的电流是怎么定义的?

IGBT的电流是器件基本参数之一,显而易见FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模块。...

2023-02-07 标签:电流IGBT参数 3693

IGBT是干嘛的_igbt损坏现象

IGBT中文翻译为:绝缘栅双极型晶体管。是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件,由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成,兼具了这二者的优点:高输入阻抗和低导通压降,也就是“驱...

2023-02-07 标签:IGBT晶体管 5033

IGBT集电极电压超过额定电压会发生什么呢?

IGBT集电极电压超过额定电压会发生什么呢?

实际应用中,IGBT集电极电压绝对不能超过额定值,否则器件有可能被击穿。...

2023-02-07 标签:IGBT器件 1292

SiC的物性和特征

SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型,所以被认为是一种...

2023-02-07 标签:功率器件SiC碳化硅 756

什么是IGBT驱动?

什么是IGBT驱动?

我们都知道,电机驱动是IGBT的主要应用领域之一。...

2023-02-07 标签:电机驱动IGBT 1046

什么是窄脉冲现象?

什么是窄脉冲现象?

IGBT作为一种功率开关,从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间,就像生活中开关门太快容易挤压手一样,过短的开通脉冲可能会引起过高的电压尖峰或者高频震荡问题。...

2023-02-07 标签:电压功率开关IGBT 1713

IGBT短路时的损耗

IGBT短路时的损耗

IGBT主要用于电机驱动和各类变流器,IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一,短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。...

2023-02-07 标签:电机驱动IGBT变流器 944

IGBT是否能用于ZVS以及IGBT?

IGBT是否能用于ZVS以及IGBT?

今天我就来唠一唠IGBT在软开关拓扑中的应用,IGBT是否能用于ZVS以及IGBT是否更适用于ZCS。...

2023-02-07 标签:IGBTIGBTZCSZVS 1510

Vce以及Vge钳位电路设计使用注意事项

Vce以及Vge钳位电路设计使用注意事项

在IGBT驱动电路中有时会用到钳位电路,其主要目的是为了保护IGBT器件,避免运行参数超过集电极或者门极的极限参数,今天我们总结一下Vce以及Vge钳位电路设计使用注意事项。...

2023-02-07 标签:IGBT驱动电路IGBT器件 1966

IGBT单管参数解析-下

IGBT单管参数解析-下

IGBT是大家常用的开关功率器件,本文基于英飞凌单管IGBT的数据手册,对手册中的一些关键参数和图表进行解释说明,用户可以了解各参数的背景信息,以便合理地使用IGBT。...

2023-02-07 标签:IGBT参数IGBT参数开关功率器件 7505

IGBT单管参数解析-上

IGBT单管参数解析-上

IGBT是大家常用的开关功率器件,本文基于英飞凌单管IGBT的数据手册,对手册中的一些关键参数和图表进行解释说明,用户可以了解各参数的背景信息,以便合理地使用IGBT。...

2023-02-07 标签:IGBT参数IGBT单管参数 6880

如何计算IGBT的损耗?

如何计算IGBT的损耗?

今天作者就帮大家打开这个黑盒子,详细介绍一下IGBT损耗计算方法同时一起复习一下高等数学知识。...

2023-02-07 标签:IGBTIGBT损耗计算高等数学 2620

如何选取MOSFET,关于MOSFET相关基础知识

插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔并焊接在PCB板上。常见的插入式封装有:双列直插式封装(DIP)、晶体管外形封装(TO)、插针网格阵列封装(PGA)三种样式。...

2023-02-07 标签:pcbMOSFET开关电源晶体管 1694

2023年SiC MOSFET产业市场需求将剧增?

这家美国制造商称,这两款设备的功率分别为200kW和400kW,得益于SiC MOSFET的开关频率是硅IGBT的20倍,SiC组件为 400 kW 逆变器提供了 4 kW/kg 的功率密度。...

2023-02-07 标签:SiC碳化硅太阳能逆变器 643

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