存储技术
LSI选择赛普拉斯并行nvSRAM非易失性存储器 用于其业界...
赛普拉斯半导体公司日前宣布，LSI在其用于高性能服务器、工作站和外部存储器的12Gb/s SAS主机总线适配器（HBA）中，选用了赛普拉斯的并行非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）。nvSRAM为SAS HBA带来高速度、低电压、无故障的存储器，提升了LSI解决方案的性能。LSI选择并行nvSRAM的另一个原因是它可工作在不同的电压下，而且广受媒体好评。
美高森美提供世界唯一自加密0.5TB 2.5”SATA SL...
致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司（Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC）发布全球唯一的安全性0.5 TB （half-terabyte） 固态驱动器（solid state drive， SSD）产品，用于移动视频监控运作、存储域网络（SAN）和其它需要出色的实时数据保护的大容量存储应用。
希捷推新一代超低功耗企业级硬盘
近日，希捷推出两款新一代企业级硬盘，希捷Terascale扩容硬盘以及希捷第七代企业级 10K超能盘，用于优化新兴的云基础设备和大规模数据中心。希捷Terascale扩容硬盘及第七代企业级10K超能盘以低功耗提供大容量存储，可以高效且经济地存储持续增长、一般存于云端的非结构化数据，非常适合于云系统构建商。
IMEC开发新型电介质,推动20nm NAND Flash进...
比利时微电子研究中心IMEC的研究人员们已经开发出一种纳米级的氧化铝铪电介质（HfAlO/Al2O3/HfAlO）堆迭，这种具氮化硅/氮化钛混合浮闸的闸间电介质可用于平面 NAND Flash 结构中，并可望推动NAND flash在20nm及其以下先进制程进一步微缩。
2013-06-26 标签：NAND Flash20nmIMEC公司 1147
ST最新EEPROM系列保证400万次擦写操作
全球第一大EEPROM供应商意法半导体推出最新EEPROM系列产品。新产品保证400万次擦写操作，而竞争产品只提供100万次擦写操作。意法半导体的新产品支持更高的存储数据更新频率，延长系统在高温条件下的寿命，为设计人员带来了更大的设计自由空间。
SanDisk发布业界领先的19纳米SSD
瞄准超轻薄超极本（Ultrabook）、笔记本电脑及平板装置终端用户对于更高运算效能与反应速度的SSD需求，SanDisk已率先业界发布采用19奈米（nm）NAND Flash制造的固态硬盘（SSD ），以迎合消费者和个人电脑（PC）制造商对于更高运算效能及更快反应速度的要求。
Innodisk推全球首款“nanoSSD”微型固态硬盘
商业和工业固态存储厂商Innodisk今天宣布，推出全球首款基于SATA µSSD（JEDEC MO-276）技术标准“nanoSSD”的微型固态硬盘。
浩康科技联同Velosti发表USB3.0高速AES/UCA...
2013年5月21日，香港， 21-5-2013 - 香港浩康科技（Crypton Tech） 发布了的USB3.0超高速AES / UCA硬件加密优盘方案。 在高速数据传输领域，数据传输速度和保密性是两个最重要的考察指标，该这方案成功完善地满足了这两个指标。 该方案采用Velosti USB3.0 控制器 （以32位ARM架构为基础 ），内置AES /UCA 硬件加密机制，实现了具有保密性好，极难破解的之特点，而且速度比一般USB2.0优盘快 10 倍左右。
力旺电子推全新反熔丝架构嵌入式非挥发性内存技术
嵌入式非挥发性内存厂商力旺电子日前宣布，正式推出全新反熔丝架构之嵌入式非挥发性内存技术NeoFuse，此技术瞄准先进工艺平台，具备硅智财组件尺寸小与保存能力佳等特点，可满足客户产品在先进工艺产品之进阶需求。
美超微推出基于高容量服务器存储方案 支持热拔插HDD
美超微推出一款基于高容量服务器全面拓展存储解决方案。该服务器支持HDD热拔插，采用创新型4U解决方案，可使类似容量提升50%，功耗降低60%，提供多达288TB存储容量。
HOLTEK推出HT24LC256新款大容量串行式EEPRO...
HOLTEK推出新款串行式EEPROM产品 -- HT24LC256，使用两线式串行接口，总共有256K位内存容量，内存架构为32768×8位。
富士通半导体推出新型1 Mbit 和 2 Mbit FRAM...
富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，推出两款新型FRAM产品－MB85RS1MT 和 MB85RS2MT，两款产品分别带有1 Mbit 和 2 Mbit的存储器，是富士通半导体提供的最大容量的串口FRAM。这两款产品将于2013年3月起开始提供新品样片。
2013-03-25 标签：FRAM 1129
世界最快机械硬盘:1GB缓存、400MB/s写入!
Buffalo最近发布了HD-GDU3系列外置硬盘，竟然整合了多达1GB DRAM缓存，写入速度也超过了惊人的400MB/s。
HOLTEK推出HT24LC02A极具成本竞争力2K串行式E...
Holtek推出新款串行式EEPROM产品 -- HT24LC02A，它和HT24LC02产品最大差异有：1.无Address input -- A0/A1/A2三个Pad，成本更有竞争力。2.只有HT24LC02A提供SOT23-5封装，且和业界完全兼容，可快速导入市场。
东芝开发出能省电最多85%的行动产品RAM
Toshiba 公布他们已经成功开发出一款低耗电量的行动装置 RAM 原型晶片装置被使用时能省电 27%，而待命时则省电 85%
无线硬盘都爆弱了:希捷推出支持iOS设备直接读写的移动硬盘
希捷推出了Wireless Plus HDD（亚马逊售价199.99美元），一个外部硬盘驱动器，内置兼容的移动硬盘，同时提供充电电源支持。
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