在配置上，这款SSD使用了TLC的闪存颗粒，一共提供三种容量版本，分别为256GB/512GB/1TB。支持NVMe 1.3版标准，不过搭配了独立的DRAM作为缓存，并且开启了SLC Cache，所以在性能表现上会处于一个不错的水平，最大的1TB版本的读写速度可以达到每秒3400/3000MB，随机读写最高达450K/400K IOPS。借助于水冷散热马甲，就算是长时间高负载工作，其温度也可以得到很好的控制。

2019-07-27 标签：SSD 固态硬盘 2015

西部数据推出高速、高密度和高灵活性的IntelliFlash...

IntelliFlash系列产品和OS 3.10升级功能，为业界领先的高性能NVMeTM全闪存阵列提供了卓越的性能，可简化混合云环境中的关键任务工作负载

2019-07-18 标签：西部数据 nvme 全闪存 1218

具有3200 MHz原生速率的DDR4内存模块将于7月7日推...

　日本著名存储设备制造商Century Micro近日宣布即将推出新的DDR4内存模块，具有3，200 MHz的原生速率。

2019-07-07 标签：DDR4 内存模块 AMD Ryzen 3489

华为云存储推出全新一代极速IO云硬盘

华为在成都发布云存储All-Flash战略，并推出战略落地的首款产品——全新一代极速IO云硬盘，标志着华为云存储正式从毫秒进入微秒时代。

2019-07-03 标签：华为云存储 1090

Microchip面向下一代数据中心应用推出四款全新20路微...

20路输出PCIe时钟缓冲器是下一代服务器、数据中心、存储设备及其他PCIe应用的理想选择。

2019-07-01 标签：时钟缓冲器 microchip PCIe 1155

美超微推出业界首个支持EDSFF的存储系统

EDSFF是为存储而优化的第一个行业标准全闪存NVMe规范，以更高的密度、更好的可管理性和最佳的热效率将NVMe推向更高水平。

2019-06-27 标签：互联网存储系统美超微 890

瑞萨电子开发出新的闪存技术实现业界最大容量和最快的随机访问...

瑞萨电子株式会社宣布开发出新的闪存技术，该技术可实现更大的内存容量、更高的读出速度和对采用下一代28 nm工艺的汽车MCU的空中下载技术(OTA)支持。

2019-06-15 标签：闪存 OTA 瑞萨电子 1560

瑞萨电子推出基于SOTB工艺的嵌入式闪存低功耗技术实现能量...

瑞萨电子株式会社宣布，推出基于65nm SOTB（(薄氧化埋层上覆硅）工艺的新型嵌入式闪存低功耗技术，可提供1.5MB容量，是业界首款基于65nm SOTB技术的嵌入式2T-MONOS（双晶体管-金属氧化氮氧化硅）闪存.

2019-06-15 标签：瑞萨嵌入式闪存 2091

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