安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（S...
智能电源和智能感知技术的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。
重磅！国产SiC衬底激光剥离实现新突破
最近，泰科天润董事长陈彤表示，国内SiC单项目突破100万片的关键在于成本，即“碳化硅器件成本仅为硅器件的2倍”。
意法半导体功率转换芯片节省空间提高消费电子和工业应用的能效
2023年5月20日，中国——意法半导体高压宽禁带功率转换芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65两款产品，适合最大功率100W和65W的单开关管准谐振 (QR)反激式功率转换器。
未来的晶体管会是什么样？
在比利时安特卫普举行的ITF World 2023上，英特尔技术开发总经理Ann Kelleher概述了英特尔在几个关键领域的最新进展，最有趣的是英特尔将在未来采用堆叠CFET晶体管。
如何突破功率半导体器件性能天花板?
碳化硅衬底材料能量损失更小。在相同的电压和转换频率下，400V电压时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的29%-60%之间；800V时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的30%-50%之间。
什么是氮化镓半导体？GaN如何改造5G网络？
GaN 通过实现更快的数据传输速度和更高的效率，在 5G 技术的发展中发挥着至关重要的作用。GaN 更宽的带隙使其能够处理高频信号，使其成为 5G 基站和其他通信基础设施的理想选择。
e络盟开售Analog Devices多通道系统时钟器件
AD-SYNCHRONA14-EBZ专为经过培训的专业人员在实验室环境中使用，而不能作为最终产品进行商用。它既可以作为一个完整的参考设计，也可根据需要自定义设计，用于各种最终客户应用中。用户还可以免费获取完整的设计详细信息。
赛米控丹佛斯推出基于罗姆的1200V IGBT的功率模块
随着全球电气化技术的快速发展，对功率模块的需求已经达到了前所未有的程度，相关产品的市场规模急剧扩大，几乎超出了芯片制造商的产能提升速度。
基于大面积薄膜晶体管开关阵列的有源数字微流控平台
近些年来，基于单细胞的基因组、转录组和蛋白质组学的研究已经被证明有利于促进单细胞多组学研究的发展，同时也带动了更多前沿的单细胞多组学研究方法的出现。
纳微半导体携尖端GaN/SiC功率产品亮相PCIM 2023
作为欧洲领先的“电力转换与智能运动”领域专业盛会，PCIM 2023将于5月9日至11日在德国纽伦堡盛大召开，会上将展开超400篇国际技术论文的学术交流，并安排了技术及应用为重点的综合会议。
通富微电子连续第三年荣获德州仪器卓越供应商奖项
近日，通富微电子股份有限公司凭借优质的成本控制，先进的技术管理能力，以及快速响应和优质交付等方面的优异表现连续第三年荣获德州仪器 （以下简称"TI" ) 卓越供应商奖项。 每天有将近2千万颗大小不一的模拟IC在通富完成组装和测试，最后销往世界各地，他们去向我们身边的电子产品，汽车，工业自动化，以及云端存储等等。TI 外部制造副总裁Robert Furtaw 表示“为了获得这一荣誉，TFME团队展现了对最高水平的道德行为的承诺，制造的关
纳微半导体发布高频、高压的氮化镓+低压硅系统控制器方案
氮化镓是相比传统高压 (HV) 硅 (Si) 功率半导体有着重大升级的下一代半导体技术，同时还减少了提供相同性能所需的能源和物理空间。
串行输入、12位电压输出数模转换器DAC8512概述
DAC8512的编码方式为标准二进制，MSB先加载。输出运算放大器的摆幅可以达到任一供电轨，设置为0 V至+4.095 V范围，分辨率为每位1 mV。
为何电动汽车公司对碳化硅芯片情有独钟？
碳化硅芯片是一种新型的半导体材料，具有比传统的硅材料更高的导电性和更强的热稳定性。这种材料可以承受高温、高电压和高频率等极端环境，因此在电动汽车的控制系统和驱动系统中有着广泛的应用前景。
中微半导发布首款多通道、双AD高精度SoC CMS8H121...
CMS8H1215是中微半导模拟系列首款多通道、双AD的高精度SoC，也是国内同类产品中的首款，具有独特的差异化优势，可基于单芯片产品级解决方案，大幅降低系统设计复杂度及系统成本。
意法半导体的TSU111H 5V车规运算放大器介绍
意法半导体的TSU111H 5V车规运算放大器具有微电流消耗和最高150°C的工作温度，实现了一个器件兼具多种特性。
Diodes推出工业级碳化硅DMWS120H100SM4 N
Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。
浅析下一代功率半导体的市场前景
由于对SiC功率半导体的强劲需求和对GaN功率半导体的强劲需求，2022年下一代功率半导体将比上年增长2.2倍。预计未来市场将继续高速扩张，2023年达到2354亿日元（约合人民币121亿元），比2022年增长34.5%，2035年扩大到54485亿日元（约合人民币2807亿元），增长31.1倍。
1 GSPS直接数字频率合成器AD9858概述
AD9858是一款直接数字频率合成器(DDS)，内置一个10位DAC，工作速度最高达1 GSPS。该器件采用先进的DDS技术，内置一个高速、高性能数模转换器，构成数字可编程的完整高频合成器。
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