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电子发烧友网 > 模拟技术 > 业界新闻

为什么要用碳化硅?碳化硅晶体长不“高”到底难在哪儿?

硅是半导体行业的第一代基础材料,目前全球95%以上的集成电路都是以硅为衬底制造的。不过,由于转换效率、开关频率、工作温度等多方面受限,当电压大于900V时,要实现更大的功率,硅基功率MOSFET和IGBT就暴露了出了短板。

2023-08-01 标签:MOSFETIGBT功率半导体碳化硅半导体芯片 1810

森国科推出大功率IGBT分立器件

森国科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管(BJT)低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点。

2023-07-26 标签:MOSFETIGBT不间断电源光伏逆变器功率晶体管 519

受益于物联网的FD-SOI卷土重来

如今谈起晶圆工艺,大家提及的往往是日趋成熟的Fin-FET,抑或是尚出于完善阶段的GAA,台积电、三星、英特尔……无数厂商都在为了这两种工艺前后奔忙,不过却鲜少有人知晓另一种与Fin-FET齐名的工艺。

2023-07-25 标签:MOSFETFETFinFET偏置电压CMOS技术 551

国产igbt模块品牌

根据IGBT的产品分类来看,按照其封装形式的不同,可分为IGBT分立器件、IPM模块和IGBT模块。

2023-07-22 标签:新能源汽车变频器工业控制光伏逆变器IGBT模块 2819

第三代半导体后起之秀:氮化镓未来几大新的增长点

比碳化硅器件,氮化镓功率器件在同时对效率、频率、体积等综合方面有要求的场景中,将更有优势,比如氮化镓基器件已成功规模应用于快充领域。

2023-07-19 标签:半导体SiC氮化镓GaN碳化硅 764

逆变器中600V-1200V碳化硅MOSFET预备起飞

逆变器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未来十年的复合年增长率为27%。

2023-07-17 标签:转换器MOSFET逆变器GaN碳化硅 434

半导体制造商专注扩大功率半导体和成熟的工艺产能

晶圆代工龙头中芯国际在未来5至7年内将有约34万片晶圆产能的12英寸生产线建设项目,其中包括深圳、北京、上海等地项目。

2023-07-14 标签:中芯国际晶圆代工功率半导体半导体制造碳化硅 180

镓、锗元素为何会影响整个半导体领域?

中国对镓、锗实施出口管制,短期内会引起全球镓、锗的备货潮,遭到相关企业疯抢,推动相关海外产品价格大幅上涨,国外企业AXT股价已大幅下跌。

2023-07-13 标签:半导体产业物联网氮化镓砷化镓5G 1861

碳化硅功率器件全产业链提速

在过去的几年,半导体市场无疑经历了巨大的波折。

2023-07-08 标签:新能源汽车半导体MOS管功率器件碳化硅 369

可重构晶体管取得新进展!制造后也可改变属性!

几十年来,传统晶体管一直在不断地小型化,这是由摩尔定律的总体趋势所决定的。

2023-07-07 标签:滤波器NTC晶体管电源电压 400

华为、浪潮力推GaN,万亿级市场打开

氮化镓在服务器电源领域愈发扮演着重要角色,今天,“行家说”将为大家带来3条该领域的内容服务,并为大家分析GaN备受数据中心青睐的原因。

2023-07-06 标签:智能电网氮化镓电源GaNGaN技术 945

全球功率半导体市场规模 芯达茂IGBT年出货量已超千万颗

与硅IGBT器件相比,碳化硅器件具有耐高压、高速开关、低导通电阻、低损耗等众多优点,使得其在电动汽车、光伏和其他新能源产业应用上极有优势。

2023-07-06 标签:新能源汽车变频器IGBT功率器件 776

英飞凌科技推首款ISOFACE双通道数字隔离器 可与其它产品...

新推出的ISOFACE双通道数字隔离器进一步壮大了英飞凌的隔离产品组合,可广泛适用于服务器、通信和工业SMPS、工业自动化系统、电机控制和驱动、储能系统及太阳能逆变器等各种应用。

2023-07-06 标签:英飞凌电机控制数据传输数字隔离器ISOFACETM 387

NexGen垂直GaN半导体 预计2023年第三季度全面生产

该公告涉及的垂直器件包括NexGen 2 月发布的700V 和 1200V样品。

2023-07-04 标签:氮化镓GaN通用汽车GaN器件 338

半导体材料都有哪些?半导体材料产业分类状况

集成电路产业链包括设计、制造和封测等关键步骤,其中半导体材料是集成电路上游关键原材料,按用途可分为晶圆制造材料和封装材料。

2023-07-03 标签:集成电路半导体材料氮化镓砷化镓晶圆制造 30062

世强和音特电子签署协议 为用户提供TVS瞬态抑制二极管

音特电子于2007年以零缺陷通过了ISO9001质量管理体系认证,拥有一流的生产和检测设备,产品材料均已通过RoHS检测;系列产品完成UL、VDE、CSA等国际标准论证,产品各项性能指标均处于行业领先水平。

2023-06-30 标签:TVS霍尔传感器瞬态抑制二极管 259

英飞凌推出新一代面向汽车应用的OptiMOS 7 40V M...

英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。

2023-06-26 标签:MOSFET 478

科友半导体突破8英寸SiC量产关键技术

科友半导体突破了8英寸SiC量产关键技术,在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。2023年4月,科友半导体8英寸SiC中试线正式贯通并进入中试线生产,打破了国际在宽禁带半导体关键材料的限制和封锁。

2023-06-25 标签:SiC碳化硅 490

IGBT及第三代半导体功率器件技术与应用

IGBT技术在功率密度、工作频率、损耗控制等方面不断创新。新一代IGBT产品在提高开关速度、降低开关损耗、增强耐压能力等方面取得了显著进展,提高了系统效率和可靠性。

2023-06-21 标签:IGBT功率器件 1467

整体IGBT国产化率已提升至约30%-35%

值得注意的是,国内在IGBT制造工艺水平,模块封装的散热效率上与国外英飞凌等厂商存在一定差距。

2023-06-20 标签:IGBT 322

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