功率半导体2035年市值将达77,757亿日元，SiC等占4...
此次调查针对功率半导体18项、零部件材料20项、制造设备19项。调查期间为2023年10月至2024年2月。
碳化硅（SiC）功率器件在新能源汽车中的深入应用解析
采用多芯片并联的SiC功率模块，会产生较严重的电磁干扰和额外损耗，无法发挥SiC器件的优良性能；SiC功率模块杂散参数较大，可靠性不高。 （2）SiC功率高温封装技术发展滞后。
Qorvo推出创新紧凑型E1B封装1200V SiC模块
Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。
碳化硅衬底产业全景：国内外主要厂商分布图
中国在碳化硅衬底领域的布局显示出了其对半导体材料自主供应链建设的重视。随着全球对高效能、高耐用性电子器件需求的增加，碳化硅衬底由于其在高温、高电压和高频率应用中的优异性能而变得越来越重要。
国内上市的碳化硅企业的表现情况
碳化硅之所以受到投资青睐，归功于其独特的半导体属性，能够在极端的高温、高压、高功率、和高频环境中发挥出色，预示着其在多种应用场景中的巨大潜力。
2024-02-25 标签：碳化硅 1452
天岳先进占据全球导电型碳化硅衬底市场第二
在电动汽车、电力设备以及能源领域驱动下，SiC功率器件市场需求整体坚挺， 2030年SiC功率器件市场规模将达到近150亿美元，占到整体功率器件市场约24%，2035年则有望超过200亿美元，届时SiC器件市场规模将占到整体功率器件的40%以上。
Qorvo借助SiC FET独特优势，稳固行业领先地位
在产品研发方面，2023年，Qorvo宣布采用具备业界最低RDS(on)（5.4mΩ）的TOLL封装750V FET，这是任何其它功率半导体技术（如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET）均无法超越的。
SiC规模将超560亿？
结合全球功率半导体市场数据推算，2022年SiC功率半导体的渗透率为4.85%，2023年渗透率为6.53%，2028年预计将达到18.58%左右。
科友提前布局：SiC行业下半场是8吋时代
2023年业内有多家企业陆续推出8英寸碳化硅衬底，成为市场热点，呈现出加速替代6英寸衬底的势头。我们认为，碳化硅行业的下半场就是8英寸的时代，谁的8英寸衬底先出货，谁就能更好地把握住时代机遇。
国产GaN迎来1700V突破！
该文献进一步透露，实现这一器件所采用的氮化镓外延材料结构包括：1.5μm薄层缓冲层和AlGaN/GaN异质结结构。
英飞凌与Wolfspeed延长SiC晶圆供应协议
为了满足不断增长的碳化硅器件需求，我们正在落实一项多供应商战略，从而在全球范围内保障对于 150mm 和 200mm 碳化硅晶圆的高品质、长期供应优质货源
国内外碳化硅产品标准比对分析
碳化硅具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、临界击穿电场高、介电常数低及化学稳定性好等诸多优点，是具有广阔发展潜力的第三代新型半导体材料。
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